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公开(公告)号：CN109564956A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780044849.0
申请日：2017-07-20
Inventor： 朴修益
Abstract: 一个实施例公开一种半导体器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间布置的有源层并且包括多个第一凹部和第二凹部，多个第一凹部被布置为通过穿透第二导电半导体层和有源层直到第一导电半导体层的部分区域，第二凹部被布置在多个第一凹部之间；多个第一电极，其被布置在多个第一凹部内，并且与第一导电半导体层电连接；多个第二电极，其被电连接到第二导电半导体层；以及反射层，其被布置在第二凹部内，其中多个第一凹部的面积和第二凹部的面积之和为半导体结构的第一方向中的最大面积的60％或更小，多个第一凹部的面积和第二凹部的面积是在半导体结构的下表面上形成的面积，并且第一方向垂直于半导体结构的厚度方向。
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公开(公告)号：CN109427937A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811009432.3
申请日：2018-08-31
Applicant: 晶元光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/46 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包含：一基板，包含一基部及与该基部相接的多个特征部；一第一缓冲结构设于该基部上，且与该些特征部之间具有至少一距离；以及一半导体叠层设于该第一缓冲结构及该些特征部上。
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公开(公告)号：CN109328399A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201780036051.1
申请日：2017-06-09
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405
Abstract: 一个实施例提供一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层并且还包括从第二导电半导体层穿过有源层延伸到第一导电半导体层的第一凹槽和第二凹槽；第一电极，与第一凹槽中的第一导电半导体层接触；第二电极，与第二导电半导体层接触；以及反射层，形成在第二凹槽中，其中第二凹槽具有设置在第二导电半导体层的下侧的开口的下部、设置在第一导电半导体层上的上部以及从下部延伸到上部的侧部，并且反射层包括布置在第二凹槽的内部的反射部以及从第二凹槽的下部延伸并接触第二电极的延伸部。
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公开(公告)号：CN108847437A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810343945.1
申请日：2018-04-17
Applicant: 华灿光电(苏州)有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括平片衬底和依次设置在平片衬底上的氮化物成核层、布拉格反射层、u型GaN层、n型层、发光层和p型层，布拉格反射层上形成有周期性镂空图形，或者布拉格反射层包括在氮化物成核层上阵列排布的周期性凸起，u型GaN层生长在氮化物成核层上且覆盖布拉格反射层，在生长u型GaN层时，在露出的氮化物成核层的表面上具有较高的生长速度，在布拉格反射层上不会直接生长出GaN晶体，在露出的氮化物成核层的表面上生长的晶粒具有相同的取向，这样可以使生长出来的晶粒取向相同，从而减少后续形成的外延结构的位错密度，有利于降低外延片的位错密度，提高外延片的晶体质量。
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公开(公告)号：CN108346723A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710055014.7
申请日：2017-01-24
Applicant: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种GaAs基AlGaInP四元发光二极管灯丝及其制备方法。包括GaAs基AlGaInP四元发光二极管芯片，在芯片的每个周期单元两端均刻蚀形成端台面，并在该端台面上制作有金属引线电极；在每个周期单元内沿芯片单元一侧，经刻蚀形成对芯片单元的水平环切，并在GaAs衬底上芯片单元之间形成缝隙；对DBR层进行氧化使之成为绝缘层；裂片后以GaAs衬底为基板，周期单元内的相邻芯片单元之间P电极与N电极导线连通，有荧光胶包覆层将各芯片单元及基板完全包覆，引脚线部分露出荧光胶包覆层外。本发明突破了LED封装难题，使外延芯片至LED灯丝的整体成本降低55％以上，可直接进行封装，提高封装产出率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108269908A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810158996.7
申请日：2014-04-25
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L33/60
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/405
Abstract: 本发明公开一种发光二极管装置，包含：一发光叠层，包含一第一型半导体层，一第二型半导体层，及一活性层形成在该第一型半导体层与该第二型半导体层间且发出一光线；一反射结构，形成于该第一型半导体层上并具有第一界面与第二界面，其中，该光线于该第一界面所产生的全反射角大于该光线于该第二界面所产生的全反射角；以及一结合层包覆该反射结构并与该第一型半导体层相接触；其中，该反射结构与该第一型半导体层于该第一界面形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN108091738A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711342838.9
申请日：2017-12-14
Applicant: 苏州亿拓光电科技有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种堆叠式图形化的LED衬底，包括衬底主体以及形成于衬底主体上的多个堆叠式图形，堆叠式图形包括与衬底主体连接的第一图形块以及堆叠于第一图形块上的第二图形块，第一图形块和第二图形块具有至少一个不同角度的光反射面。相对于传统的图形设计，堆叠式图形能提供更多的光反射面，从而可以使光在更多的角度被反射，更加容易逃逸出芯片，提升LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN108075021A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711091194.0
申请日：2017-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L33/48 , H01L33/382 , H01L33/60
Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二半导体层上的第一绝缘层，其包括具有第一宽度的多个第一开口和具有与第一宽度不同的第二宽度的多个第二开口；第一电极，其通过第一开口电连接至第一半导体层；第二半导体层与第一绝缘层之间的第一子电极层，第一子电极层通过第二开口暴露出来；以及第一绝缘层上的第二子电极层，所述第二子电极层通过第二开口连接至第一子电极层，其中，彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离不同于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。
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公开(公告)号：CN107895754A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711117026.4
申请日：2017-11-13
Applicant: 北海威德电子科技有限公司
Inventor： 刘功伟
Abstract: 本发明公开了一种用于电子显示器的micro LED芯片总成，包括有垒晶层的第一基板、第二基板；第一基板垒晶层包括P层、N层及发光层，第一基板的垒晶层包括5个微型P-N芯片结构，成十字排列，5个微型P-N芯片结构之间暴露的侧边覆盖有绝缘层，第一基板表面设置有多层独立的金属反射层；第二基板与第一基之间通过粘合层固定。提高了LED封装、应用效率，降低了LED电子显示器的生产成本，简化了LED电子显示器的组装工艺，并且进一步提高了生产良率。
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公开(公告)号：CN107851688A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680046399.4
申请日：2016-08-05
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 实施例的一种发光二极管包括：下电极；发光结构，布置在所述下电极上，并包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；上电极焊盘，布置在所述发光结构上；至少一个分支电极，连接到所述上电极焊盘；以及上欧姆层，布置在所述至少一个分支电极下方；其中所述上电极极焊盘可以包括连接到所述至少一个分支电极的至少一个连接电极，且至少一个连接电极可以与所述上电极焊盘一体形成，并且可以从所述上电极焊盘的侧表面以一定间隔突出。
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