Invention Publication
- Patent Title: 非晶碳氢膜的后处理方法以及使用了该方法的电子器件的制造方法
- Patent Title (English): Method of aftertreatment of amorphous hydrocarbon film and method for manufacturing electronic device by using the aftertreatment method
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Application No.: CN200980103650.6Application Date: 2009-01-19
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Publication No.: CN101971322APublication Date: 2011-02-09
- Inventor: 石川拓
- Applicant: 东京毅力科创株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- Agent 柳春雷; 南霆
- Priority: 2008-018858 2008.01.30 JP
- International Application: PCT/JP2009/050634 2009.01.19
- International Announcement: WO2009/096251 JA 2009.08.06
- Date entered country: 2010-07-30
- Main IPC: H01L21/768
- IPC: H01L21/768 ; C23C16/26 ; H01L21/312 ; H01L23/522
Abstract:
【课题】置换非晶碳氢膜最外侧表面的官能基。【解决手段】在覆盖有Low-k膜(105)的硅衬底(Sub)上形成非晶碳氢膜(110)。接下来，对非晶碳氢膜(110)进行非硅烷气体气氛中的加热处理。接下来，对刚进行了该加热处理之后的非晶碳氢膜(110)进行在硅烷气体气氛中的加热处理。在该加热处理之后，形成硬掩模等的膜(115)。
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