公开(公告)号：CN105264641A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480028918.5

申请日：2014-03-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚徹 ,  小林德弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/187 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，具有对剥离构成贴合晶圆的接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理。由此，提供一种贴合晶圆的制造方法，其组合RTA处理与牺牲氧化处理，在进行贴合晶圆的薄膜表面的平坦化和薄膜减薄化时，能够抑制BMD密度增加且能够使薄膜表面充分平坦化。

公开(公告)号：CN103168344A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201180050007.9

申请日：2011-11-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蒂莫西·W·韦德曼 ,  托德·施罗德

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02167 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供用于在基板表面上沉积碳化硅膜的方法。该方法包括使用气相碳硅烷前体，且该方法可使用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可在小于600℃的温度下实施，例如介于约23℃与约200℃之间或在约100℃下。然后，可致密化该碳化硅层，以去除氢含量。另外，可将该碳化硅层暴露于氮源，以提供反应性N-H基团，然后该N-H基团可用来使用其他方法继续膜沉积。等离子体处理条件可用来调整膜的碳、氢和/或氮含量。

公开(公告)号：CN100452318C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610000510.4

申请日：2006-01-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蕾扎·阿嘎娃尼 ,  迈克尔·丘·宽 ,  夏立群 ,  尹康素

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明公开了一种用于通过利用PECVD工艺在栅极结构上沉积一个或多个含硅材料层以产生总k值在约3.0到约5.0之间的隔片，从而在栅极叠层上形成侧壁隔片的方法。含硅材料可以是碳化硅、掺氧的碳化硅、掺氮的碳化硅、掺碳的氮化硅、掺氮的碳氧化硅或其组合。沉积在等离子体增强化学气相沉积室中执行，并且沉积温度小于450℃。这样产生的侧壁隔片提供了好的容性电阻以及优秀的结构稳定性和密封性。

公开(公告)号：CN101097863A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710128224.0

申请日：2004-10-26

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 王嗣裕

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及一种半导体组件及其制造方法，一含氮结构形成在半导体基板上，并经氧化，该氧化物结构中的氮重新分配形成一氮集中区域，氧化该结构及重新分配氮是藉自由基氧化施行。添加氮至该氧化物结构中，该氮集中区域有助于调整添加的氮所达的深度。

公开(公告)号：CN1822330A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610000510.4

申请日：2006-01-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蕾扎·阿嘎娃尼 ,  迈克尔·丘·宽 ,  夏立群 ,  尹康素

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明公开了一种用于通过利用PECVD工艺在栅极结构上沉积一个或多个含硅材料层以产生总k值在约3.0到约5.0之间的隔片，从而在栅极叠层上形成侧壁隔片的方法。含硅材料可以是碳化硅、掺氧的碳化硅、掺氮的碳化硅、掺碳的氮化硅、掺氮的碳氧化硅或其组合。沉积在等离子体增强化学气相沉积室中执行，并且沉积温度小于450℃。这样产生的侧壁隔片提供了好的容性电阻以及优秀的结构稳定性和密封性。

公开(公告)号：CN105264641B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201480028918.5

申请日：2014-03-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚徹 ,  小林德弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/187 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，具有对剥离构成贴合晶圆的接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理。由此，提供一种贴合晶圆的制造方法，其组合RTA处理与牺牲氧化处理，在进行贴合晶圆的薄膜表面的平坦化和薄膜减薄化时，能够抑制BMD密度增加且能够使薄膜表面充分平坦化。

公开(公告)号：CN107430992A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680014686.7

申请日：2016-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛君 ,  卢多维克·戈代 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  迈克尔·W·斯托厄尔 ,  起威·梁 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664

Abstract: 本案中提供处理基板的方法。在一些实施方式中，处理设置在处理腔室中的基板的方法包括：(a)通过将基板暴露于第一反应性物种和第一前驱物而在基板上沉积材料层，所述第一反应性物种由远程等离子体源产生，其中所述第一反应性物种与所述第一前驱物反应；及(b)通过将基板暴露于等离子体而处理全部或大体上全部的沉积材料层，所述等离子体在处理腔室内由第二等离子体源产生；其中远程等离子体源或第二等离子体源中的至少之一被脉冲化以控制沉积周期及处理周期。

公开(公告)号：CN101416286B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200780012443.0

申请日：2007-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： C·S·奥尔森

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67207 ,  H01L29/518

Abstract: 所揭示的为一种在处理室中处理半导体基材的方法，包括利用一种两步骤退火工艺来形成氮氧化硅膜层。第一退火步骤包括在分压为约1～约100毫托耳的氧化气体存在下将该氮氧化硅膜退火，且第二退火步骤包括在流速为约1slm的氧气下将该氮氧化硅膜退火。第一退火步骤是在比第二退火步骤更高处理室温度且更高处理室压力下实施。

公开(公告)号：CN1832130B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200610009472.9

申请日：2006-02-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  大音光市 ,  竹胁利至

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76867 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76886

Abstract: 将包括含硅化合物的第一气体引入到真空室中，以便将放置在该室中的半导体衬底暴露于第一气体环境中(硅处理步骤)。然后将真空室内的压力减小到低于开始硅处理步骤时的压力的水平(减压步骤)。此后，将包括含氮化合物的第二气体引入到真空室中，并用第二气体的等离子体辐照半导体衬底(氮等离子体步骤)。

公开(公告)号：CN101507374B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200780031365.9

申请日：2007-08-24

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/024 ,  H05K3/467 ,  H05K3/4688 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置以及多层布线基板中，在多层布线结构所包含的第一布线层与第二布线层之间介入相对介电常数平均在2.5以下的气体或者绝缘物。在第一布线层中的布线与第二布线层中的布线之间设置导电连接体，在第一布线层中的规定的布线与第二布线层中的规定的布线之间设置相对介电常数在5以下的绝缘物热传导体。