公开(公告)号：CN103474344B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310406951.4

申请日：2010-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  东条行雄

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/44 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。

公开(公告)号：CN101981659B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980111063.1

申请日：2009-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪内士·帕德希 ,  哈阳成 ,  苏达·拉西 ,  德里克·R·维迪 ,  程秋 ,  朴贤秀 ,  加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  马丁·杰·西蒙斯 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  金柏涵 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146

Abstract: 一种在基板上沉积非晶碳层的方法，包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重惰性气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重惰性气体选自由氩气、氪气、氙气、及其混合物所组成的群组，并且惰性气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括沉积后终止步骤，其中烃源及惰性气体的流动停止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间，以自处理室中移除粒子。

公开(公告)号：CN1871697B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200480031189.5

申请日：2004-10-21

Applicant: 日商乐华股份有限公司 ,  大研化学工业株式会社

Inventor： 高萩隆行 ,  坂上弘之 ,  新宫原正三 ,  富本博之 ,  樱井俊男 ,  内山昌彦 ,  石川佐千子

IPC: H01L21/314 ,  B24D3/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/3146 ,  Y10T428/30

Abstract: 已知为高耐热性低介电常数膜的多孔结构金刚石微粒膜，虽然热传导性高而被期待用作为半导体集成电路元件的多层线路用绝缘膜，但是将成为膜原料的金刚石微粒液状组合物，胶体稳定性差，在膜制造过程中重现性和成品率不足。如果在金刚石微粒的胶体状态液状组合物中存在少量的胺，则能够具有极为低的粘度和高的稳定性。如果根据需要用增稠剂调节成期望的粘度，则能够应用各种涂布装置。由此，可以得到相对介电常数2.5左右的低介电常数膜。此外，该液状组合物还能够用作为加工用研磨料。

公开(公告)号：CN100570830C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200610132147.1

申请日：2006-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146

Abstract: 提供一种使用含-Si气体在半导体衬底上刻蚀含-碳层的方法，以及一种制造半导体器件的相关方法，其中通过使用根据本发明形成的以及具有几十nm宽度的含-碳层图形作为刻蚀掩模，刻蚀层间绝缘层，形成具有优异侧壁外形的多个接触孔。为了刻蚀待用作第二刻蚀掩模的含-碳层，在该含-碳层上形成第一掩模图形，以部分地露出含-碳层的顶表面。然后使用第一掩模图形作为第一刻蚀掩模，利用由O2和含-Si气体形成的碳-刻蚀混合气体的等离子各向异性地刻蚀含-碳层，以形成含-碳层图形。根据本发明制造的高密度单元阵列区中的相邻接触孔明显地互相分开，即使当相邻接触孔之间的间隔小到几十nm以下；因此可以防止使用这种接触孔的相邻基本单元之间的短路。

公开(公告)号：CN100550466C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200580048428.2

申请日：2005-12-15

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： K·R·萨马 ,  B·陈 ,  X·孙

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3146 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038

Abstract: 一种有机发光二极管(OLED)，包括设置于阳极(104)和空穴传输层(106)之间的相对较薄的类金刚石碳(DLC)层(114)，用以提高发光效率和操作寿命。该相对较薄的DLC层(114)抑制空穴注入，其平衡电荷流动并提高效率，增大阳极(104)的表面光滑度，其有助于提高操作寿命。

公开(公告)号：CN100524640C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580003299.5

申请日：2005-01-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伟·刘 ,  吉姆·中义·何 ,  桑-H·安 ,  梅华·沈 ,  海澈姆·穆萨德 ,  温迪·H·叶 ,  克里斯多佛·D·本彻尔

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/314

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定型碳层上作为覆盖层。

公开(公告)号：CN101484984A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780025512.1

申请日：2007-07-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的后处理方法，其特征在于，其是在基板上成膜后施加了伴随加热的处理的无定形碳膜的进一步的后处理方法，该方法在进行伴随加热的处理后，立即进行防止无定形碳膜氧化的处理。

公开(公告)号：CN101480110A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780024531.2

申请日：2007-06-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： D·帕德希 ,  H-C·哈 ,  S·拉蒂 ,  D·R·威蒂 ,  C·陈 ,  S·帕克 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·杰纳基拉曼 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  B·H·金 ,  H·姆塞德

IPC: H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。

公开(公告)号：CN101407909A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810211588.X

申请日：2008-10-08

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 马丁·杰西蒙斯 ,  尤加南德·N·萨利帕里 ,  光得·道格拉斯·李 ,  博·恒·金 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  温蒂·H·叶 ,  约瑟芬·汝-伟·张刘 ,  埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈''萨德

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C23C16/26 ,  H01L21/3146

Abstract: 提供了一种以提高的台阶覆盖率高温沉积非晶碳膜的方法。在一个实施例中，沉积非晶碳膜的方法包括：在处理室中提供基板，在高于500摄氏度的温度下加热基板，将包括碳氢化合物和惰性气体的气体混合物提供到含有加热基板的处理室中，和在加热的基板上沉积具有在100兆帕斯卡(MPa)拉应力和约100兆帕斯卡(MPa)压应力之间的应力的非晶碳膜。

公开(公告)号：CN101312126A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200710153932.X

申请日：2007-09-14

Applicant: TES股份有限公司

Inventor： 朴根五 ,  安秉大 ,  李承俊

IPC: H01L21/033 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/26 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明涉及一种形成非晶碳膜的方法和一种使用所述方法制造半导体装置的方法。通过将具有链状结构和一个双键的液态碳氢化合物汽化，并将化合物供应到腔室且将化合物离子化，而在衬底上形成非晶碳膜。非晶碳膜用作硬掩模膜。可容易地控制非晶碳膜的特征，如沉积速率、蚀刻选择性、折射率(n)、光吸收系数(k)和应力，以满足用户要求。明确来说，可降低折射率(n)和光吸收系数(k)。因而，可在不具有防止下材料层发生漫反射的抗反射膜的情况下执行光刻过程。另外，在沉积过程期间产生少量反应副产物，且可容易地移除粘附在腔室内壁上的反应副产物。为此，可增加用于清洁腔室过程的周期，并可增加腔室的零件替换周期。故，可节省时间和成本。