一种铣刀的镀膜方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107829076A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201711039097.7

    申请日:2017-10-31

    Inventor: 罗跃进

    CPC classification number: C23C16/271 C23C16/32

    Abstract: 本发明提供的一种铣刀的镀膜方法,包括以下步骤:1)在铣刀表面镀制一层碳化钛和碳化铬过渡层,2)铣刀经过丙酮清洗脱水后,放入化学气相沉积金刚石生长设备中的真空室;3)打开冷却水系统,先抽真空到10托,再打开热丝电源,缓慢加电流,然后打开氢气质量流量计;4)5分钟后打开甲烷质量流量计,1.5小时后关闭甲烷质量流量计,2小时后关闭氢气流量计,保持冷却系统正常运转;5)1小时后关闭冷却系统,打开真空室,取出刀具,这样就可以实现在铣刀表面镀制一层厚度为20~25微米的金刚石膜。本发明的镀膜方法,有效提高了铣刀的硬度、强度和韧性。

    一种在MPCVD制备碳化钼晶体时利用在直流电弧引入钼源的方法

    公开(公告)号:CN107338476A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710639970.X

    申请日:2017-07-31

    Inventor: 马志斌 任昱霖

    Abstract: 本发明公开了一种在MPCVD制备碳化钼晶体时利用在直流电弧引入钼源的方法,包含如下步骤:将两根清洗后的纯钼杆插入反应腔内上法兰的绝缘孔中,并将两根纯钼杆上端分别与直流电源的正电极端以及负电极端相连接;将硅衬底放入反应腔内的基片台上,对腔体抽真空;向反应腔腔体通入氢气,并调节微波功率和气压直至等离子体稳定,通入反应气体甲烷;打开直流电源,调节电压值,使得两根纯钼杆电极之间产生弧光放电,向微波等离子体中引入钼;待反应结束后,关机,取出样品。本发明通过直流电弧放电产生的高温使金属钼从固态转变为气态,带入下方的微波等离子体中参与反应,解决了碳化钼制备过程中钼的引入问题,极大的提高了碳化钼的制备效率。

    一种超细纳米晶碳化钨涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN107130227A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710545169.9

    申请日:2017-07-06

    CPC classification number: C23C16/32 C23C16/0281

    Abstract: 本发明涉及一种超细纳米晶碳化钨涂层及其制备方法,为一种采用常压化学气相沉积的方法制备的超细纳米晶碳化钨涂层,所制备的超细纳米晶碳化钨涂层为具有高硬度、耐磨损、耐腐蚀特性的细晶粒层状碳化钨涂层,特别是存在粒径为3~5nm的W2C超细纳米晶和非晶,有效提高了层状结构涂层的层间结合力,和涂层硬度,该涂层的显微硬度可以达到28.8GPa。

    涂层切削刀具
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105916617B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201580005902.7

    申请日:2015-01-27

    Inventor: 中村崇昭

    Abstract: 本发明的一个技术方案的涂层切削刀具包括基材和形成于基材的表面的涂层。涂层至少包括一层以上的α型氧化铝层。在α型氧化铝层的与基材的表面大致平行的截面中,将截面的法线与α型氧化铝层的粒子的(222)面的法线形成的角度设成方位差,将截面的处于方位差为0度以上90度以下的范围内的α型氧化铝层的粒子的面积定义为100面积%,并且将处于方位差为0度以上90度以下的范围内的α型氧化铝层的粒子的面积按照10度的间距进行划分,在上述情况下,处于方位差为20度以上且不足30度的范围内的α型氧化铝层的粒子的面积的合计Sa在每10度间距的9个分区的各个面积的合计中最大。

    带PVD涂层的切削工具及其制备方法

    公开(公告)号:CN105970219A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610140363.4

    申请日:2016-03-11

    CPC classification number: C23C16/34 C23C16/32 C23C16/36 C23C28/042 C23C28/044

    Abstract: 本发明公开了一种带涂层的切削刀片(20),所述带涂层的切削刀片(20)包括基底(22),所述基底(22)为陶瓷基底或含多晶立方氮化硼的基底并且具有基底表面(23)。基础涂层方案(28)通过化学气相沉积而施加到所述基底表面(23),其中所述基础涂层方案(28)包括下列涂层:与所述基底表面(23)相邻的内部涂层(34),其中所述内部涂层(34)为氮化物,所述氮化物选自由氮化钛、氮化锆和氮化铪构成的组;沉积到所述内部涂层(34)上的内部居间涂层(36),其中所述内部居间涂层(36)为碳氮化物,所述碳氮化物选自由碳氮化钛、碳氮化锆和碳氮化铪构成的组;沉积到所述内部居间涂层(36)上的外部居间涂层(38),并且其中所述外部居间涂层(38)为碳氮化物,所述碳氮化物选自由碳氮化钛、碳氮化锆和碳氮化铪构成的组;以及沉积在所述外部居间涂层(38)上的外部涂层(40),其中所述外部涂层(40)为碳化物,所述碳化物选自由碳化钛、碳化锆和碳化铪构成的组。外部涂层方案(43)通过物理气相沉积而沉积在所述基础涂层方案(28)上。

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