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公开(公告)号：CN1189859A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：CN96195202.4
申请日：1996-06-21
Applicant: 沃特金斯·约翰逊公司
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J2237/3321 , H01J2237/3322
Abstract: 一种等离子体增强的化学处理反应器和方法。该反应器(10)包括一等离子体室(18),该室包括一个第一气体注入进气管(15)和一个电磁能源(12)。该等离子体室与一处理室(16)相通,该处理室包括一晶片支持件(20)和一个第二气体进气管(17)。在该等离子体室(18)中产生的等离子体扩散到处理室(16)中并与反应气体互相作用,以便在晶片(24)上沉积一层材料。该反应器(10)还包括用来排空反应器(10)的一个真空系统(26)。该方法包括以下各步骤:在等离子体室(18)内产生等离子体,引入至少一种气相化学品到处理室(16)内晶片支持件(20)附近,并应用射频梯度诱导该等离子体扩散到晶片支持件(20)附近的区域。
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公开(公告)号：CN102971844A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032068.2
申请日：2011-06-21
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 永俊·杰夫·胡 , 埃弗里特·A·麦克蒂尔 , 约翰·A·斯迈思三世 , 古尔特杰·S·桑胡
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/3467 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/088 , C23C14/3407 , C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J2237/3322 , H01L21/02192 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本文中阐述使用高功率脉冲磁控管溅镀法形成存储器。一个或一个以上方法实施例包含使用高功率脉冲磁控管溅镀法HIPIMS在结构上形成电阻式存储器材料，其中所述电阻式存储器材料是在具有大约400℃或400℃以下的温度的环境中在所述结构上形成。
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公开(公告)号：CN105378138A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480039448.2
申请日：2014-07-09
Applicant: 欧瑞康表面处理解决方案股份公司特鲁巴赫
Inventor： 约格·哈克曼 , 西格弗里德·克拉斯尼策尔
CPC classification number: H01J37/3429 , C23C14/0036 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3467 , H01J2237/3321 , H01J2237/3322
Abstract: 本发明涉及靶，其靶表面如此构造，通过采用所述靶用于在涂覆室内的电绝缘层反应溅射沉积，避免该靶表面对也位于涂覆室内的阳极的火花放电的生成。
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公开(公告)号：CN104508176A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040553.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F1/0014 , B22F3/15 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01J2237/3322 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285
Abstract: 一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。本发明的课题在于，通过减少钨烧结体溅射靶的钼，并且调节烧结时所使用的W粉末的粒度分布，从而降低使用该钨烧结体靶进行溅射而得到的钨膜的电阻率。
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公开(公告)号：CN1160479C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN96195202.4
申请日：1996-06-21
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J2237/3321 , H01J2237/3322
Abstract: 一种等离子体增强的化学处理反应器和方法。该反应器(10)包括一等离子体室(18)，该室包括一个第一气体注入进气管(15)和一个电磁能源(12)。该等离子体室与一处理室(16)相通，该处理室包括一晶片支持件(20)和一个第二气体进气管(17)。在该等离子体室(18)中产生的等离子体扩散到处理室(16)中并与反应气体互相作用，以便在晶片(24)上沉积一层材料。该反应器(10)还包括用来排空反应器(10)的一个真空系统(26)。该方法包括以下各步骤：在等离子体室(18)内产生等离子体，引入至少一种气相化学品到处理室(16)内晶片支持件(20)附近，并应用射频梯度诱导该等离子体扩散到晶片支持件(20)附近的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105551924B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201510695465.8
申请日：2015-10-23
Applicant: 德莎欧洲股份公司
Inventor： M.黑内尔
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32568 , B05D3/144 , B29C59/14 , C09J5/02 , H01J37/3244 , H01J37/32541 , H01J2237/3322 , H01J2237/336 , H05H1/2406 , H05H2001/2418 , H05H2001/2431
Abstract: 本发明公开用于表面的等离子体处理的装置和用等离子体处理表面的方法。用于表面(2)的等离子体处理的装置具有：第一电极(4)和第二电极(7)以及在第一电极(4)和第二电极(7)之间的交变电压源(6)、以及至少在第一电极(4)和第二电极(7)之间形成的电场、布置在第一电极(4)的前面且待处理的表面(2)可位于其中的有效区域(9)，且第二电极(7)布置得比第一电极(4)更接近于有效区域(9)，特征在于，设置在第一电极(4)处的具有至少一个出口(5)的用于至少一个工艺气体物流的至少一个工艺气体通道(3)，并且所述至少一个出口(5)指向有效区域(9)的方向，并且所述至少一个工艺气体物流撞击在电场上且所述电场将所述至少一个工艺气体物流转化为等离子体物流且所述等离子体物流撞击在有效区域(9)上。
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公开(公告)号：CN107454978A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201680009034.4
申请日：2016-01-26
Applicant: 通快许廷格有限公司
CPC classification number: H01J37/3476 , G01R31/1254 , H01J37/241 , H01J37/244 , H01J37/32944 , H01J37/3444 , H01J2237/0206 , H01J2237/24564 , H01J2237/3322
Abstract: 一种电弧处理设备(14)包括：a.电弧检测设备(21)，其检测等离子体腔(30)中是否存在电弧；b.电弧能量确定设备(22)，其用于确定电弧能量值，所述电弧能量值是对应于当所述等离子体腔(30)中存在所述电弧时被供应到所述等离子体腔(30)的能量的值；c.切断时间确定设备(24)，其用于根据所确定的电弧能量值确定切断时间。
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公开(公告)号：CN104619673B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201380047313.6
申请日：2013-09-10
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: H01L21/363 , C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/3322 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85％以上，对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，Zn2SnO4相和InGaZnO4相以规定的比例包含。
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公开(公告)号：CN104350174B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201380028671.2
申请日：2013-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/58 , C23C14/02 , C23C14/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。
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公开(公告)号：CN104619673A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047313.6
申请日：2013-09-10
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/3322 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85％以上，对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，Zn2SnO4相和InGaZnO4相以规定的比例包含。
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