公开(公告)号：CN109216402A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810637195.9

申请日：2018-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  吴圭焕 ,  郑智允 ,  黄俊渊

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L27/24 ,  H01L45/122

Abstract: 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括导电线、以及在导电线中的一个上包含可变电阻元件的存储单元。可变电阻存储器件包括在导电线之间的第一绝缘区。此外，可变电阻存储器件包括在导电线之间在第一绝缘区上的第二绝缘区。还提供了形成可变电阻存储器件的方法。

公开(公告)号：CN109037436A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810536610.1

申请日：2018-05-30

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 李相宪

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/149 ,  H01L45/12

Abstract: 一种阻变存储元件包括：下电极；可变电阻层，其设置在下电极上，并且被配置为包括含氧碳结构；阻挡层，其设置在可变电阻层上，并且被配置为包括能够被可逆地氧化和还原的含氧物质；以及上电极，其设置在阻挡层上。

公开(公告)号：CN108807454A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201711329524.5

申请日：2017-12-13

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 高永锡 ,  金秀吉 ,  文珠荣

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L45/1608 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L27/24 ,  H01L23/50

Abstract: 在一个实施例中，提供了包括单元区和虚设区的衬底。下互连结构形成在单元区和虚设区中。在下互连结构之上形成单元区中的一个或多个第一多层结构图案和虚设区中的一个或多个第二多层结构图案。第一多层结构图案和第二多层结构图案沿第一方向延伸。每一个第二多层结构图案包括刻蚀目标层。绝缘材料层形成在第一多层结构图案和第二多层结构图案之上。填充第一多层结构图案和第二多层结构图案的两个相邻图案之间的空间的层间绝缘层通过平坦化绝缘材料层来形成。移除每一个第二多层结构图案中的刻蚀目标层。

公开(公告)号：CN108701762A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011895.0

申请日：2017-02-15

Applicant: ARM有限公司

Inventor： 卡洛斯·阿尔韦托·巴斯·德·阿劳约 ,  约兰塔·克林斯卡 ,  金柏莉·盖伊·里德 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC: H01L45/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L45/145 ,  C23C14/085 ,  C23C16/308 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45527 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1641

Abstract: 本技术总体涉及用于例如执行开关功能的相关电子材料的制造。在实施例中，气态形式的前体可以在腔室中使用以构建包括各种阻抗特性的相关电子材料的膜。

公开(公告)号：CN108701760A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780008557.1

申请日：2017-01-25

Applicant: ARM有限公司

Inventor： 卡洛斯·阿尔博托·巴斯·德·阿劳约 ,  卓兰塔·博泽纳·赛琳斯卡 ,  金柏莉·盖伊·里德 ,  卢西恩·施弗伦

IPC: H01L45/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L45/1616 ,  C23C14/085 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641

Abstract: 本公开的技术一般涉及用于例如执行开关功能的相关电子材料的制造。在实施例中，相关电子材料可以包括主要配体和取代配体，其可以允许相关电子材料中的电子捐献和回捐。电子捐献和回捐可以使相关电子材料表现出从高阻抗/绝缘状态到低阻抗导电状态的转变。

公开(公告)号：CN108630808A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710320421.6

申请日：2017-05-09

Applicant: 华邦电子股份有限公司

Inventor： 许博砚 ,  傅志正 ,  沈鼎瀛

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器结构及其形成方法。此电阻式随机存取存储器结构包括：层间介电层，形成于基板上，其中层间介电层为包括氧的介电材料；氧扩散阻障层，形成于层间介电层上；底电极层，形成于氧扩散阻障层上。底电极层包括：第一电极层，形成于氧扩散阻障层上；第一富氧层，形成于第一电极层上；以及第二电极层，形成于第一富氧层上。此电阻式随机存取存储器结构亦包括：电阻转态层，形成于底电极层上；以及顶电极层，形成于电阻转态层上。本发明的氧扩散阻障层能够阻挡从层间介电层扩散进入第一电极层的氧，从而可改善电阻不均与转换不均的问题，进而提升产品的良率及信赖性。

公开(公告)号：CN107949924A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680043617.9

申请日：2016-07-19

Applicant: 南洋理工大学

Inventor： 洪鼎胜 ,  周宇

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/047 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/32 ,  H01L27/14601 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L51/441

Abstract: 提供了一种用于感测光学光线的传感器元件。传感器元件可包括用于电连接到第一电源电压的第一电极，用于电连接到第二电源电压的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间的氧化物电介质元件。氧化物电介质元件可以配置为在第一电源电压和第二电源电压之间的电位差超过阈值电平之后形成导电细丝，从而减小氧化物电介质元件的电阻。传感器元件还可以包括检测器。第一电极可以配置为允许光学光线穿过第一电极到氧化物电介质元件。检测器可以配置为在氧化物电介质元件接收到光学光线之后检测氧化物电介质元件的电阻的增加。

公开(公告)号：CN103811494B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201310547253.6

申请日：2013-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  金昌圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C7/18 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L43/08 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 半导体存储器件包括在一个单元阵列块中沿行和列二维地布置的单位单元。单位单元被分为多个单元子组，每个单元子组包括组成多个行的单位单元。每个单位单元包括选择元件和数据存储部。字线连接到组成每列的单位单元的选择元件的栅电极。位线连接到组成所述行的单位单元的数据存储部。在每个单元子组中源极线电连接到单位单元的选择元件的源极端子。源极线平行于位线。源极线与位线中的一条被选位线相邻。源极线和被选位线之间的距离等于彼此相邻的位线之间的距离。

公开(公告)号：CN103811513B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201310538289.8

申请日：2013-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权亨峻 ,  吴世忠 ,  V.尤拉齐夫 ,  渡嘉敷健 ,  朴钟撤 ,  白光铉 ,  徐载训 ,  李相旻

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。

公开(公告)号：CN103855304B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310170875.1

申请日：2013-05-10

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金秀吉

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  G11C13/0002 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 本发明涉及一种可变电阻存储器件及其形成方法。根据本发明的可变电阻存储器件包括：第一电极；第二电极，与第一电极间隔开；电阻可变层和金属绝缘体转变层，提供在第一电极与第二电极之间；以及热阻挡层，提供在（i）第一电极和金属绝缘体转变层之间，（ii）金属绝缘体转变层和电阻可变层之间，或者（iii）第二电极和金属绝缘体转变层之间。本发明利用热边界电阻TBR现象来防止在金属绝缘体转变层中产生的热的耗散，因而可以减小操作可变电阻存储器件的电流和电压。