公开(公告)号：CN105102670A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480004638.0

申请日：2014-03-20

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 大桥一允 ,  冈部岳夫

IPC: C23C14/34 ,  C22C27/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，杂质铁为0.8重量ppm以下且余量为钨和其它不可避免的杂质，靶组织中的铁的浓度范围为平均含有浓度的±0.1重量ppm的范围内。上述钨烧结体溅射靶，其特征还在于，靶的相对密度为99％以上，平均晶粒尺寸为50μm以下，晶粒尺寸的范围为5～200μm。本发明的课题在于通过减少钨烧结体溅射靶中的铁，由此抑制该钨靶中的异常晶粒生长。

公开(公告)号：CN102803550B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201180014500.5

申请日：2011-03-18

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 山越康广 ,  大桥一允

IPC: C23C14/34 ,  C22C19/03 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/04 ,  C22C19/03

Abstract: 一种Ni合金溅射靶，其特征在于，含有5~30原子%的Pt、1~5原子%的选自V、Al、Cr、Ti、Mo和Si的一种以上成分，其余包含Ni和不可避免的杂质。本发明的课题在于抑制：作为磁导率高的Ni-Pt合金靶的缺点的漏磁通（PTF）低的情况；由此溅射时磁力线在靶的表面局部集中，从而具有靶的侵蚀区域小的倾向的情况；而且随着靶侵蚀的进行，选择性地进一步进行侵蚀的部分与不怎么进行侵蚀的部分的差异进一步增大的情况。

公开(公告)号：CN105102670B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201480004638.0

申请日：2014-03-20

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 大桥一允 ,  冈部岳夫

IPC: C23C14/34 ,  C22C27/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，杂质铁为0.8重量ppm以下且余量为钨和其它不可避免的杂质，靶组织中的铁的浓度范围为平均含有浓度的±0.1重量ppm的范围内。上述钨烧结体溅射靶，其特征还在于，靶的相对密度为99％以上，平均晶粒尺寸为50μm以下，晶粒尺寸的范围为5～200μm。本发明的课题在于通过减少钨烧结体溅射靶中的铁，由此抑制该钨靶中的异常晶粒生长。

公开(公告)号：CN102803550A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180014500.5

申请日：2011-03-18

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 山越康广 ,  大桥一允

IPC: C23C14/34 ,  C22C19/03 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/04 ,  C22C19/03

Abstract: 一种Ni合金溅射靶，其特征在于，含有5～30原子%的Pt、1～5原子%的选自V、Al、Cr、Ti、Mo和Si的一种以上成分，其余包含Ni和不可避免的杂质。本发明的课题在于抑制：作为磁导率高的Ni-Pt合金靶的缺点的漏磁通（PTF）低的情况；由此溅射时磁力线在靶的表面局部集中，从而具有靶的侵蚀区域小的倾向的情况；而且随着靶侵蚀的进行，选择性地进一步进行侵蚀的部分与不怎么进行侵蚀的部分的差异进一步增大的情况。

公开(公告)号：CN104508176A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040553.3

申请日：2013-10-24

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 神永贤吾 ,  大桥一允

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04 ,  C23C14/14 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3426 ,  B22F1/0014 ,  B22F3/15 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C22F1/18 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/3322 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285

Abstract: 一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。本发明的课题在于，通过减少钨烧结体溅射靶的钼，并且调节烧结时所使用的W粉末的粒度分布，从而降低使用该钨烧结体靶进行溅射而得到的钨膜的电阻率。