公开(公告)号：CN106574362B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201580042283.9

申请日：2015-06-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村真也 ,  池田佳广 ,  藤井佳词 ,  宫口有典

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3435 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3497

Abstract: 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时可靠地防止结合靶和背板的粘接材料向外部渗出。背板(22)具有比靶(21)的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)。环状的屏蔽板(4)与延伸部分相对配置，以便在将靶组件(2)安装在溅射装置(SM)上时围住靶。以背板上结合有靶的部分作为接合部分(22b)，该接合部分相对于延伸部分凸出设置。使从延伸部分到接合部分的侧面的外表面都粗糙化。从延伸部分到靶的侧面都形成绝缘材料膜(23)。

公开(公告)号：CN109504948A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811627274.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 吴忠振 ,  崔岁寒 ,  肖舒 ,  林海 ,  潘锋

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/48

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明公开了一种筒形溅射阴极及离子引出系统，其中，筒形溅射阴极包括具有中空部的筒形壳体，所述筒形壳体内沿径向由外至内依次设置有：用于屏蔽所述筒形壳体以外的带电体的屏蔽罩、抵接在所述屏蔽罩上起绝缘隔离作用的定位套、抵接在所述定位套上的磁短路组件、两个咬合在所述磁短路组件上下两侧的环形磁铁，以及用于轴向固定靶材的靶材固定组件；两个所述环形磁铁相对的一侧磁极相反。本发明通过在筒形壳体中设置环形磁铁，并在环形磁铁的外侧依次设置有磁短路组件和屏蔽罩，解决了现有的等离子源系统中磁场不闭合、起辉及维持放电困难的问题。

公开(公告)号：CN106574359B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201580034459.6

申请日：2015-06-25

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 小泽诚 ,  安东勋雄

IPC: C23C14/34 ,  C04B41/80 ,  C04B35/01 ,  C04B37/02

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C04B35/457 ,  C04B37/021 ,  C04B37/023 ,  C04B41/80 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明提供电弧、结节的产生极少的溅射靶及其制造方法。加工由氧化物烧结体构成的材料而得到平板状或圆筒形靶材(3、13)。此时，使用规定粒度的磨石，并根据该磨石的粒度对所述材料中成为溅射面(5、15)的面，实施一次以上的粗磨，然后，实施一次以上的清磨，从而将溅射面(5、15)的表面粗糙度控制在以算数平均粗糙度Ra计为0.9μm以上、以最大高度Rz计为10.0μm以下、并且以十点平均粗糙度RzJIS计为7.0μm以下。介由接合层(4、14)将所得到的靶材(3、13)与支撑本体(2、12)接合而制成溅射靶(1、11)。

公开(公告)号：CN108604533A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680074710.6

申请日：2016-12-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 汪荣军 ,  阿纳塔·K·苏比玛尼 ,  慈航·清 ,  唐先民

IPC: H01L21/02 ,  H01L45/00 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01J37/3441 ,  C23C14/082 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3429

Abstract: 本文公开用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，工艺腔室包含：腔室主体，限定内部空间；基板支撑件，在内部空间内支撑基板；多个阴极，耦合至腔室主体并且具有对应的多个靶，多个靶被溅射至基板上；和屏蔽物，可旋转地耦合至腔室主体的上部并且具有至少一个孔以暴露多个靶中至少一个被溅射的靶，和设置于屏蔽物的背侧中的至少一个袋以容纳和覆盖多个靶中至少另一个不被溅射的靶，其中屏蔽物经配置以绕着处理腔室的中央轴旋转并且沿着处理腔室的中央轴线性移动。

公开(公告)号：CN108431926A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680078516.5

申请日：2016-10-27

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： S.D.斯罗瑟斯 ,  K.B.阿尔博 ,  S.费拉斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3435 ,  B23K15/0086 ,  B23K26/342 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00 ,  C23C14/3407

Abstract: 形成整体背衬板的方法，其包括使用增材制造形成连续材料的三维结构，其包括在第一平面中形成基本平坦的第一侧、形成接合到所述第一侧的多个流动障碍物，所述多个流动障碍物具有在垂直于所述第一平面的方向上的厚度；形成限定在所述多个流动障碍物之间的多个流道；和在所述第一平面中形成基本平坦的第二侧，和均匀固化所述材料以使所述背衬板在所述第一侧、所述多个流动障碍物和所述第二侧各处包含均匀的连续材料结构。

公开(公告)号：CN108239760A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201611213229.9

申请日：2016-12-23

Applicant: 浙江金徕镀膜有限公司

Inventor： 申屠江民 ,  祝宇 ,  张平 ,  乐卫文

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/3407

Abstract: 本发明提供一种磁控溅射靶罩，属于基板玻璃加工技术领域。该磁控溅射靶罩，包括罩面和侧边，侧边设置于罩面外边缘，侧边与罩面的交界线围合成一个封闭的图形，罩面上设置有溅射窗口，还包括至少一金属丝，金属丝两端固定于侧边，金属丝在罩面上的投影部分位于溅射窗口。该磁控溅射靶罩可有效提升靶材在基片表面沉积成膜的效果。

公开(公告)号：CN108118300A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711392270.1

申请日：2017-12-21

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 胡彬彬

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提出一种改善长寿命钽靶材后期使用的腔体套件结构，包括：溅射腔，其设置于溅射腔安装板上；钽靶，设置于所述溅射腔内部，并正对于晶圆表面；钽环，设置于所述溅射腔内部侧壁，其中所述溅射腔内部侧壁上设置有第一安装位置和第二安装位置，当晶圆和钽靶之间的距离发生变化时，将所述钽环从所述第一安装位置移动到第二安装位置。本发明提出的改善长寿命钽靶材后期使用的腔体套件结构，以补偿长寿命钽靶材后期靶材与晶圆的间距，晶圆与钽环的间距，以及钽环与靶材的间距，保持工艺稳定。

公开(公告)号：CN107893215A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201711441741.3

申请日：2017-12-27

Applicant: 肇庆市大力真空设备有限公司

Inventor： 苏贵方

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/022 ,  C23C14/3407

Abstract: 本发明公开了一种EMI真空磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法，其中EMI真空磁控溅射镀膜设备包括中真空抽气机组、高真空抽气机组及依次连接的进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架，所述进片轰击室与中真空抽气机组连接，所述进片保持室、进片过渡室和出片过渡室均与高真空抽气机组连接。本发明可对工件进行高效、快速的净化处理，降低了功率消耗，降低了生产成本，同时还提高了生产效率。

公开(公告)号：CN105177519B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510541245.X

申请日：2011-10-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·拉希德 ,  K·A·米勒 ,  R·王

IPC: C23C14/50

CPC classification number: C23C14/50 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明涉及用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘。本发明的实施例大体上关于用于半导体处理腔室的处理套件，以及具有该套件的半导体处理腔室。具体而言，此述的实施例关于包括沉积环与底座组件的处理套件。该处理套件的部件单独(及组合)运作以显著地减少它们在处理期间对基板周围的电场的影响。

公开(公告)号：CN107717024A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201610659597.X

申请日：2016-08-11

Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司

Inventor： 姚力军 ,  潘杰 ,  相原俊夫 ,  王学泽 ,  朱华海

IPC: B23C3/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: B23C3/00 ,  B23C2220/605 ,  C23C14/3407

Abstract: 本发明提供一种背板的制造方法以及靶材组件，所述制造方法包括：提供背板坯料，所述背板坯料包括焊接面、以及与所述焊接面相对的背面；对所述背面进行粗加工，在所述背面内形成初始水道；对所述初始水道进行精加工，形成水道结构；在所述精加工过程中，采用易挥发性溶液作为冷却液。本发明对所述初始水道进行精加工的过程中，采用易挥发性溶液作为冷却液，冷却液挥发后不易在所述水道结构内形成残留，从而可以提高所述水道结构的表面洁净度、色泽度，且可以减小或避免所述水道结构内的残留杂质，从而提高了所述水道结构的形成质量，进而提高了所述背板的质量。