公开(公告)号：CN1160479C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN96195202.4

申请日：1996-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗恩·范奥斯 ,  威廉·J·德宾 ,  理查德·H·马西森 ,  丹尼斯·C·芬斯克 ,  埃里克·D·罗斯

IPC: C23C16/00 ,  C23F1/02 ,  C23C14/00 ,  H05H1/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3322

Abstract: 一种等离子体增强的化学处理反应器和方法。该反应器(10)包括一等离子体室(18)，该室包括一个第一气体注入进气管(15)和一个电磁能源(12)。该等离子体室与一处理室(16)相通，该处理室包括一晶片支持件(20)和一个第二气体进气管(17)。在该等离子体室(18)中产生的等离子体扩散到处理室(16)中并与反应气体互相作用，以便在晶片(24)上沉积一层材料。该反应器(10)还包括用来排空反应器(10)的一个真空系统(26)。该方法包括以下各步骤：在等离子体室(18)内产生等离子体，引入至少一种气相化学品到处理室(16)内晶片支持件(20)附近，并应用射频梯度诱导该等离子体扩散到晶片支持件(20)附近的区域。