公开(公告)号：CN106471158B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201480079866.4

申请日：2014-06-23

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 吴冠霆 ,  康有全 ,  范耀文

IPC: C23C26/00 ,  C23C14/22 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/024 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  C23C28/00 ,  C25D13/02 ,  C25D13/06 ,  C25D13/14 ,  C25D13/22 ,  G06F1/1656

Abstract: 示例性实现涉及在基材上制造多层涂层。在一个示例中，可提供具有导电表面的基材。由第一材料构成的第一层可电泳沉积在该基材的导电表面的至少一部分。由导电的第二材料构成的第二层可利用物理气相沉积而沉积在该第一层的至少一部分。由第三材料构成的第三层可电泳沉积在该第二层的至少一部分。

公开(公告)号：CN109280885A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811366902.1

申请日：2018-11-16

Applicant: 江苏科技大学

Inventor： 鞠洪博 ,  许俊华 ,  喻利花 ,  贾沛

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/564

Abstract: 本发明公开了基于硬质合金或陶瓷基体表面制备V-B-Al-N纳米硬质薄膜的方法，本发明的V-B-Al-N硬质纳米结构薄膜由V-B-Al-N固溶体及非晶B3N4构成。采用高纯V靶、B靶和Al靶共焦射频反应溅射，沉积在高速钢等硬质合金或陶瓷基体上，V-B-Al-N硬质纳米结构薄膜的厚度为2~3μm，薄膜中薄膜Al的相对含量（Al/(V+B+Al)）为1.29～38.82%，B相对含量（B/(V+Al+B)）大致稳定在8%。这种硬质涂层能够获得24.00GPa的高硬度，兼具优异的摩擦磨损性能，室温干切削实验下，其摩擦系数为0.4977；700℃干切削实验下平均摩擦系数为0.3553。

公开(公告)号：CN108707864A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810560497.0

申请日：2018-06-04

Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

Inventor： 彭寿 ,  沈洪雪 ,  姚婷婷 ,  杨勇 ,  李刚

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641

Abstract: 本发明公开一种稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，在衬底表面溅镀得到 Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜；两个靶材相互独立，工艺参数可根据需要进行独立设定，可进行任意掺杂浓度稀磁半导体薄膜的制备；整个镀膜过程只进行Cu膜与AlN薄膜的镀制，过程简单，变量较少；制备工艺简单，重复性好，并且可节约大量靶材的成本。

公开(公告)号：CN108642462A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810560499.X

申请日：2018-06-04

Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

Inventor： 沈洪雪 ,  姚婷婷 ,  杨勇 ,  李刚

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/22 ,  C23C14/58 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  H01F41/18

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/14 ,  C23C14/221 ,  C23C14/5806 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明公开一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用离子束沉积设备与磁控溅射设备，衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内，通过离子束在衬底表面沉积Cu层；S3、沉积有Cu层的衬底转入磁控溅射设备的真空腔室内，采用Al靶为溅射靶材，工作气体Ar，反应气体N2，在Cu层表面溅镀AlN层，得到复合薄膜；S4、加热磁控溅射设备放置衬底的样品台至500℃，对步骤S3得到的复合薄膜退火处理，最终得到Cu掺杂稀磁半导体薄膜；本方法工艺简单，可控性、操作性强；利用样品台加热系统对样品进行加热，达到对掺杂Cu进行在薄膜中进行再均匀化分布的作用，同时可以提高整个薄膜的结晶质量。

公开(公告)号：CN105683409B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201480047434.5

申请日：2014-06-26

Applicant: 欧瑞康表面解决方案股份公司 ,  普费菲孔

Inventor： S.克拉斯尼茨尔

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/00

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3467

Abstract: 本发明涉及在真空涂覆室中进行的用装饰性硬材料层涂覆基底的方法，其中借助反应性HIPIMS法沉积该装饰性硬材料层，且其中调节功率脉冲中的能量含量以使沉积的硬材料层具有均匀颜色、高光滑度和高硬度。

公开(公告)号：CN108411265A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810261975.8

申请日：2018-03-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 张旭海 ,  陈龙 ,  郑云西 ,  肖静才 ,  曾宇乔 ,  朱奎 ,  季宝荣 ,  卢倩文 ,  杨志 ,  李娟 ,  蒋建清

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/165

Abstract: 本发明公开了一种低应力致密涂层制备方法，步骤一.将工件清洗干净，放入真空室抽真空至6X10-4Pa以上，通入惰性气体氩气，偏压为-800V至-1000V，刻蚀所述工件表面10分钟-60分钟；步骤二.通入惰性气体氩气，溅射中间层Ti或Cr，厚度100nm-500nm；步骤三.通入氩氪、氩氙、氪氙或氩氪氙惰性气体的混合气体，溅射所需沉积涂层。在溅射沉积过程，工作气体为氩氪、氩氙或氩氪氙的混合气体，同时控制合理沉积偏压，从而控制涂层应力水平。相对传统的涂层，在获得致密结构条件下，压应力更低，适用于涂层结合性能要求高，涂层厚度大的应用领域。

公开(公告)号：CN105224120B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201410315562.5

申请日：2014-07-03

Applicant: 宸鸿科技(厦门)有限公司

Inventor： 许毅中 ,  徐国书 ,  李鼎祥 ,  曾国玮 ,  高常清

IPC: G06F3/041

CPC classification number: C23C14/06 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0676 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明涉及触控技术领域,提供了种基板结构,包含基板、导电图案、第层迭结构以及钝化层。导电图案位于基板上。第层迭结构位于导电图案与基板上,其中第层迭结构包含第上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜,第上薄膜邻接导电图案与基板,第上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜依序堆栈。钝化层位于第层迭结构上,第三上薄膜邻接钝化层,其中导电图案、第上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜和钝化层之折射率依序递减。本发明减少导电图案与其上下层材料的折射率差异,借此改善导电图案的可视性。

公开(公告)号：CN108315737A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810125438.0

申请日：2018-02-07

Applicant: 上海三朗纳米技术有限公司

Inventor： 姚勇

IPC: C23C28/04 ,  C23C16/27 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C28/044 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/35 ,  C23C16/271

Abstract: 本发明公开一种基于切削刀具的复合涂层制备工艺，包括将切削刀具依次进行清洗前处理以及脱钴预处理，并清洗后吹干待用；将待用的切削刀具放入CVD金刚石沉积炉中，然后将CVD金刚石沉积炉抽真空，再按照CH4、H2、N2气流速率比1∶100～300∶1～3通入CH4、H2、N2三者的混合气体，加热热丝，以调节切削刀具的表面温度为600～1000℃，沉积6～10h，切削刀具表面形成导电金刚石涂层；再在CVD涂层表面进行TiN涂层沉积，得到复合涂层切削刀具。本发明公开一种基于切削刀具的复合涂层制备工艺，通过对切削刀具内部进行CVD导电金刚石涂层涂覆，再通过对CVD导电金刚石涂层表面进行TiN涂层涂覆，形成一种复合涂层的刀具。通过该制备工艺制备的切削刀具导电性好、韧性强、耐磨性好，使用寿命长。

公开(公告)号：CN108300971A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810396260.3

申请日：2018-04-28

Applicant: 深圳市正和忠信股份有限公司

Inventor： 曾德强 ,  华秀菊 ,  陈华强 ,  田由元

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/50

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/352 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明提供了真空镀膜生产线，包括PVD滚镀装置、室外机器人和货架区，PVD滚镀装置包括镀膜室和设备室，室外机器人能够集搬运工件及操作PVD滚镀装置两种功能于一体，智能化程度高，而且在实现智能化的过程中减少了机器人种类和数量，成本更低。而且，PVD滚镀装置内不再需要给小尺寸的工件制作夹具或者挂具，也不再需要对小尺寸工件进行装夹，可直接将大量的小尺寸工件放置在托盘内进行真空镀膜，不仅成本低，而且效率高。

公开(公告)号：CN108290780A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680062083.4

申请日：2016-10-21

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： K·阿迪比 ,  R·A·贝尔曼 ,  A·W·布克班德 ,  S·D·哈特 ,  A·P·赫伯利 ,  K·W·科齐三世 ,  林琳 ,  C·A·保尔森 ,  V·M·施奈德

IPC: C03C17/34

CPC classification number: H05K5/03 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/74 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/024 ,  C23C14/28 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32 ,  H01J2237/3321 ,  H04B1/3888 ,  H04M1/0266 ,  H05K5/0017

Abstract: 一种抗紫外光的制品，所述制品包括：具有玻璃或玻璃陶瓷组合物以及第一和第二主表面的基材；紫外光吸收元件，其在约100nm至约380nm的波长下的吸收率大于50％，并且厚度在约10nm至约100nm之间；以及利用等离子体强化工艺形成的介电叠层。另外，光吸收元件处于基材与介电叠层之间。或者，光吸收元件可包括一层或多层抗紫外光的层，其位于第一主表面上方的介电叠层内。