公开(公告)号：CN102971844B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201180032068.2

申请日：2011-06-21

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 永俊·杰夫·胡 ,  埃弗里特·A·麦克蒂尔 ,  约翰·A·斯迈思三世 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3467 ,  C23C14/08 ,  C23C14/082 ,  C23C14/088 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/3322 ,  H01L21/02192 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本文中阐述使用高功率脉冲磁控管溅镀法形成存储器。一个或一个以上方法实施例包含使用高功率脉冲磁控管溅镀法HIPIMS在结构上形成电阻式存储器材料，其中所述电阻式存储器材料是在具有大约400℃或400℃以下的温度的环境中在所述结构上形成。

公开(公告)号：CN109950198A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811562413.3

申请日：2018-12-20

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 乔丹·D·格林利 ,  约翰·马克·梅尔德里姆 ,  埃弗里特·A·麦克蒂尔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 本申请案涉及用导电材料填充开口的方法以及具有经垂直堆叠导电结构的组合件。一些实施例包含一种方法，在所述方法中，将组合件形成为在堆叠内具有空隙且具有邻近空隙的狭缝。空隙的外围边界具有接近狭缝的近端区域以及邻近近端区域的远端区域。在致使材料沿着远端区域比沿着近端区域形成为更大厚度的条件下将材料沉积在空隙内。一些实施例包含一种组合件，组合件具有包括交替的第一层级与第二层级的堆叠。第二层级包含导电材料。面板结构延伸穿过堆叠。第二层级内的导电材料具有外边缘，外边缘具有接近面板结构的近端区域以及邻近近端区域的远端区域。界面材料是沿着导电材料的外边缘，且沿着近端区域具有与沿着远端区域不同的组合物。

公开(公告)号：CN102971844A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180032068.2

申请日：2011-06-21

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 永俊·杰夫·胡 ,  埃弗里特·A·麦克蒂尔 ,  约翰·A·斯迈思三世 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3467 ,  C23C14/08 ,  C23C14/082 ,  C23C14/088 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/3322 ,  H01L21/02192 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本文中阐述使用高功率脉冲磁控管溅镀法形成存储器。一个或一个以上方法实施例包含使用高功率脉冲磁控管溅镀法HIPIMS在结构上形成电阻式存储器材料，其中所述电阻式存储器材料是在具有大约400℃或400℃以下的温度的环境中在所述结构上形成。