公开(公告)号：CN107546091A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710412838.5

申请日：2017-06-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堀越孝太郎

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32788 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68742

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将半导体晶片放置在设置于室中的载台之上，所述室内部的压力通过真空抽取而减小；和(b)在步骤(a)之后，在半导体晶片被所述载台吸附且保持的状态下在所述室中形成等离子体，从而对所述半导体晶片执行期望的处理。这里，在步骤(a)之前，将具有高于氮气的电负性的负气体、氧气O2引入所述真空容器中以在所述室中形成O2等离子体，由此允许消除保留在所述载台之上的电荷。

公开(公告)号：CN104813435B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380060603.4

申请日：2013-09-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 威廉·T·理威 ,  乔治·M·葛梅尔 ,  具本雄 ,  布兰特·S·宾斯 ,  理查尔·M·怀特

IPC: H01J37/24 ,  H01J37/248 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C14/48 ,  C23C14/021 ,  C23C14/022 ,  C23C14/048 ,  C23C14/5826 ,  H01J37/241 ,  H01J37/243 ,  H01J37/248 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/24535 ,  H01L2224/81913

Abstract: 描述一种离子布植机的维护方法。在一实施例中，进行电浆辅助调节，其中修正对萃取电极施加的偏压以抑制离子束的形成。增加供应至离子源中的电浆产生器的功率，从而产生高密度电浆，所述高密度电浆不被萃取电极所萃取。所述电浆从离子源腔室延伸经过萃取孔，接着高能离子调节萃取电极。在另一实施例中，进行电浆辅助清洁。在此模式下，将萃取电极移动至离离子源腔室更远的位置上且使用不同的源气体用来产生电浆。在一些实施例中，将所述模式的结合用来减少离子布植机中的故障。

公开(公告)号：CN102737949B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210206264.3

申请日：2008-06-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔瑟夫·库德拉 ,  卡尔·A·索伦森 ,  约翰·M·怀特

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01F17/06 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01F27/08 ,  H01F2017/065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/0206 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 在大面积等离子体工艺系统中，工艺气体经由喷气头组件而导入腔室中，而喷气头组件可作为RF电极驱动。接地的气体供应管与喷气头为电性隔离。气体供应管不但提供工艺气体，还提供来自远程等离子体源的清洁气体至工艺室。气体供应管的内侧可以维持在低RF场或是零RF场，以避免早期气体在气体供应管中分解，而早期气体在气体供应管中分解可能导致在气体源及喷气头之间形成寄生等离子体。将气体供应通过RF扼流器，则RF场及工艺气体可经过共同位置而导入工艺室中，并因而简化腔室设计。

公开(公告)号：CN104810231A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410808396.2

申请日：2014-12-22

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 大浦正英 ,  今井大辅 ,  二宫史郎

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3002 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/30472 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明提供一种离子注入装置以及离子注入装置的控制方法，其课题在于提供一种保护电源以避免因负载电流的产生而产生的过电流的技术。在本发明的离子注入装置(10)中，切断机构在射束线的中途切断离子束(B)。等离子体淋浴装置(40)设置于比切断机构更靠射束线的下游侧。控制部(60)在等离子体淋浴装置(40)的点火开始期间，使切断机构切断离子束(B)。切断机构可以设置于比高电压电场式电极部更靠射束线的上游侧，所述高电压电场式电极部至少设置一个以上。气体供给机构可以向等离子体淋浴装置(40)供给源气体。控制部(60)可以在使切断机构切断离子束(B)之后，使气体供给机构开始供给源气体。

公开(公告)号：CN101983255B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980112015.4

申请日：2009-04-07

Applicant: MKS仪器有限公司

Inventor： 杰西·N·克莱因 ,  大卫·C·霍尔斯特德 ,  迈克尔·R·吉尔伯特

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: H01J37/3476 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32944 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3444 ,  H01J2237/0206

Abstract: 一种溅射系统，包括具有用作阴极的靶材以及阳极和工件的溅射室。直流(DC)电源，其向所述阳极和所述阴极供应足以在所述溅射室内产生等离子体的电能。检测模块，其通过监控所述等离子体的电特性来检测所述溅射室中电弧的出现。在一个实施例中，所被监控的电特性是所述等离子体的阻抗。在另一实施例中，所述电特性是所述等离子体的电导。

公开(公告)号：CN101563749B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200780043193.7

申请日：2007-09-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 ,  拉塞尔·J·罗

IPC: H01J37/317 ,  H01J31/16 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/08

Abstract: 一种用在离子注入机的装置包括导电结构以及绝缘导体，绝缘导体安置于紧邻导电结构的外部之处以修改导电结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。也提供一种离子注入机。离子注入机包括：用于提供离子束的离子源；界定空腔的终端结构，离子源至少部分地安置于空腔中；以及绝缘导体。绝缘导体安置于紧邻终端结构的外部之处以修改终端结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。

公开(公告)号：CN101772992B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880101792.4

申请日：2008-07-14

Applicant: 株式会社京三制作所

Inventor： 让原逸男 ,  高柳敦

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/0206

Abstract: 一种抑制真空装置的异常放电的装置，所述真空装置从高频电源向等离子体反应室内供给电力进行成膜处理，所述抑制异常放电的装置具有电力控制部和切断控制部，前者根据电力指令值和电力反馈值的偏差控制高频电源，后者根据等离子体反应室内的异常放电的检测，切断从高频电源向等离子体反应室的电力供给。切断控制部进行切断时间不同的第一操作切断控制和第二操作切断控制。第一操作切断控制使可能在等离子体反应室内残存离子，在起弧因素消失的时间范围内切断控制高频电源。另一方面，第二操作切断控制在异常电弧离子消灭的时间范围内切断控制高频电源。由此对于等离子体稳定地供给电力。

公开(公告)号：CN101689450B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880024220.0

申请日：2008-06-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔瑟夫·库德拉 ,  卡尔·A·索伦森 ,  约翰·M·怀特

IPC: H01J7/24 ,  H05B31/26

CPC classification number: H01F17/06 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01F27/08 ,  H01F2017/065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/0206 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 在大面积等离子体工艺系统中，工艺气体经由喷气头组件而导入腔室中，而喷气头组件可作为RF电极驱动。接地的气体供应管与喷气头为电性隔离。气体供应管不但提供工艺气体，还提供来自远程等离子体源的清洁气体至工艺室。气体供应管的内侧可以维持在低RF场或是零RF场，以避免早期气体在气体供应管中分解，而早期气体在气体供应管中分解可能导致在气体源及喷气头之间形成寄生等离子体。将气体供应通过RF扼流器，则RF场及工艺气体可经过共同位置而导入工艺室中，并因而简化腔室设计。

公开(公告)号：CN1987490B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200610171233.3

申请日：2006-12-21

Applicant: 许廷格电子有限及两合公司

Inventor： 斯文·阿克森贝克 ,  马库斯·班瓦尔特 ,  梅尔廷·施托伊贝尔 ,  彼得·维德姆特 ,  洛塔尔·沃尔夫

IPC: G01R17/00 ,  G01R19/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01J37/34 ,  H02H7/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3444 ,  G01R19/0061 ,  G01R31/12 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/0206

Abstract: 本发明设计用于在等离子工艺中检测电弧的一种方法和电弧检测装置(1)，包括至少一个比较器(ADC)，为所述比较器提供AC发生器的输出信号或者与所述输出信号有关的内部信号作为评估信号，还为所述比较器提供参考值(R1到R4)，其中，比较器(3到6)连接到逻辑器件(16)，所述逻辑器件(16)生成用于电弧抑制设备(23)的信号。

公开(公告)号：CN101258784B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200680032713.X

申请日：2006-09-15

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 中岛节男 ,  武内稔公 ,  松崎纯一 ,  真弓聪 ,  西川理 ,  斋藤直道 ,  中野良宪 ,  福士麻琴 ,  古野喜彦

IPC: H05H1/24 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J2237/0206 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 为了提供能够容纳待加工物品的面积的增加、并且能够在开始正常等离子放电时确保适当的加工的大气压等离子加工设备。在一种大气压等离子加工设备中，台(20)的第一台部分(21)的第一金属表面(21a)被暴露，并且由电介质材料组成的待加工物品(W)放置在第一金属表面21a上。固体介电层(25)设置在第二台部分(22)的第二金属(24)上。物品W的周边部分放置在固体介电层(25)的内部介电部分(26)上。电极(11)在第二台部分(22)的上方的第二移动范围(R2)内产生助走放电(D2)。然后，电极(11)移动到第一台部分(21)的上方的第一移动范围(R1)并产生正常等离子放电(D1)。