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公开(公告)号：CN117747410A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311618469.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/02 , G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种薄芯片翘曲矫正方法及系统，属于半导体封装技术领域。先建立正面等效介质层Si翘曲仿真模型，获取Si层厚度达到目标值时芯片翘曲值，在正面等效介质层Si翘曲仿真模型中将目标晶圆Si层设置目标减薄厚度，在Si层另一面增加Si背面矫正介质层等效翘曲仿真模型，通过修正介质层厚度使得目标晶圆翘曲达到目标要求值，记录仿真模型中介质层厚度，在实际工艺中按照仿真参数制备相应厚度的介质层进行晶圆翘曲的矫正，通过此方法可以改善薄晶圆或芯片的翘曲值，使之适用于不同工艺条件的翘曲要求，提高工艺普适性和产品产出良率。因此，本发明提出的方法不影响模组的堆叠高度，增加了堆叠存储器的模组容量。
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公开(公告)号：CN115662983A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211274532.5
申请日：2022-10-18
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31
Abstract: 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种小型化控制微模组，包括塑封体，在塑封体内封装有由上至下的上层硅基板和下层硅基板，上层硅基板上集成有AD采集芯片、电源管理芯片及外围阻容；下层硅基板上集成MCU芯片及外围阻容；两层基板通过锡球实现电气连接；电源管理芯片有两片，分别为第一LDO芯片和第二LDO芯片，用于提供微模组内二次电源，分别实现5V到3.3V和5V到1.8V的电源转换。基于TSV、PoP立体集成工艺技术，通过裸芯片叠层和硅基板互连，将信号平面互连更改为垂直互连，减小了器件间的电互连距离，增加了功能和组装密度，提高了互连性能；既可以满足控制系统小型化的需求，又可以实现提高系统性能的目的。
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公开(公告)号：CN114566471A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210182477.0
申请日：2022-02-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无空洞有机介质填充方法，针对硅晶片重构工艺中埋置芯片和填充凹槽之间形成的高深比窄凹槽结构，首先在硅晶片上制备凹槽结构，去除凹槽表面的化学污渍和颗粒残留，对硅晶片上凹槽结构采用纯氧等离子处理，将增粘剂平铺至凹槽结构表面，采用有机溶剂对凹槽结构表面进行预湿，使有机溶剂吸附在凹槽结构表面上；然后在制备有凹槽结构的硅晶片上旋涂有机介质；最后通过至少两次抽真空排除凹槽结构内的气泡，对有机介质进行固化。通过本方法能够显著的提高填充工艺的均匀性和稳定性，减少硅上凹槽结构内的介质填充空洞工艺风险，显著提高产品的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114566436A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210178297.5
申请日：2022-02-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法，除采用通过温度控制胶的流速以及涂布合理的胶量来控制Pad气泡的产生，尤其采用晶圆在键合腔室内多次反复预抽真空，完成晶圆排气泡过程，同时结合低温预热的方法使得键合胶在低粘度条件下流速变慢，以降低残胶溢胶风险，且配合低速率阶梯式升温，改变传统的一步升温键合模式，气泡不良率基本得到控制，基本在千分之五左右。
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公开(公告)号：CN117727720A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311616264.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L25/00 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，涉及一种基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组及制备方法，包括TSV硅基板和埋置在硅基板正背面的若干芯片；TSV硅基基板内制备导电通孔，导电通孔与硅基衬底之间制备绝缘层；TSV通孔采用导电材料填充，TSV硅基板正背面设计凹槽用于埋置芯片，每个凹槽埋置对应的芯片，基板正面和背面的表面依次制备和TSV通孔互联电连通的背面多层金属布线层和凸下金属层和正背面对外连微凸点，形成多芯片立体集成结构水平方向的电连接；实现多个芯片高密度、高性能、高可靠的TSV立体堆叠集成，解决了因随着堆叠层数增加导致键合引线的扇出面积呈指数级增长的问题，同时降低多层芯片Flipchip模组立体集成后模组高度，提升TSV模组立体集成密度。
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公开(公告)号：CN117525044A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311596634.3
申请日：2023-11-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/64 , H01L27/08 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H10N97/00
Abstract: 本发明公开了一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构，包括晶圆；晶圆上刻蚀形成有错位式六边形排布三齿齿轮状硅柱阵列，硅壁上形成有带硅壁凸起；硅柱、硅壁和凹槽的表面生长有晶圆绝缘层；晶圆绝缘层上生长有三维电容层；各个硅柱顶端，以及硅壁凸起顶端设置有第一分布式电极和第二分布式电极；第一分布式电极和第二分布式电极连接第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层；第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层连接焊盘。通过采用三齿齿轮状硅柱在硅柱阵列周期不变的情况下，增大了硅柱侧壁面积，有利于进一步提高电容密度，并且仍然能保证凹槽间隙的均匀性。
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公开(公告)号：CN119993912A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510161128.4
申请日：2025-02-13
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本发明公开了一种具有液态金属布线的硅转接板结构及其制备方法，属于先进封装集成芯片技术领域，方法：制备PI层，制备铜布线对外电学互连结构；制备流动腔室底部槽结构，制备流动腔室顶部覆盖结构，形成液态金属布线腔室，注入磁性液态金属，磁性液态金属流动控制磁棒通过磁性引导使磁性液态金属流动至预设位置，磁性液态金属固化，完成金属布线，形成具有液态金属布线的硅转接板结构。本发明实现了硅转接板上局部区域的液态金属布线的制备与控制，使在硅转接板制备完成后或者芯粒与硅转接板集成后，通过液态金属布线结构的改变，实现关键接口之间互连结构的变化，改变芯粒集成中的互连电路网络，有助于实现集成芯片功能的切换。
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公开(公告)号：CN116344495A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310342926.8
申请日：2023-03-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/485 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，尤其涉及一种微模组封装引出结构及制备方法，引出结构包括凸点下金属触垫、柔性焊柱和凸点焊球，凸点下金属触垫与微模组的金属再布线层连接；柔性焊柱包括金属细柱簇和金属焊盘，凸点焊球焊接在金属焊盘上；金属细柱簇包括若干金属细柱，金属细柱的一端与金属焊盘连接，另一端与凸点下金属触垫连接；相邻金属细柱的间隙内填充有细柱保护层。本发明能有效缓解微模组和电路板直接装焊结构的热应力失配，使得微模组可以直接安装焊接在电路板上，不再需要通过塑封基板或陶封基板来做中间的电转接和应力缓冲，从而降低微模组器件的体积、重量和成本，更好的满足电子系统小型化需求。
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