公开(公告)号：CN117525044A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311596634.3

申请日：2023-11-27

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  何亨洋 ,  张辽辽 ,  陈新鹏 ,  潘鹏辉 ,  雷婧 ,  张雨婷 ,  武洋 ,  吴玮

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/08 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明公开了一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构，包括晶圆；晶圆上刻蚀形成有错位式六边形排布三齿齿轮状硅柱阵列，硅壁上形成有带硅壁凸起；硅柱、硅壁和凹槽的表面生长有晶圆绝缘层；晶圆绝缘层上生长有三维电容层；各个硅柱顶端，以及硅壁凸起顶端设置有第一分布式电极和第二分布式电极；第一分布式电极和第二分布式电极连接第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层；第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层连接焊盘。通过采用三齿齿轮状硅柱在硅柱阵列周期不变的情况下，增大了硅柱侧壁面积，有利于进一步提高电容密度，并且仍然能保证凹槽间隙的均匀性。