公开(公告)号：CN119993912A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510161128.4

申请日：2025-02-13

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王根旺 ,  许一帆 ,  陈新鹏 ,  李璐 ,  潘鹏辉 ,  李宝霞

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明公开了一种具有液态金属布线的硅转接板结构及其制备方法，属于先进封装集成芯片技术领域，方法：制备PI层，制备铜布线对外电学互连结构；制备流动腔室底部槽结构，制备流动腔室顶部覆盖结构，形成液态金属布线腔室，注入磁性液态金属，磁性液态金属流动控制磁棒通过磁性引导使磁性液态金属流动至预设位置，磁性液态金属固化，完成金属布线，形成具有液态金属布线的硅转接板结构。本发明实现了硅转接板上局部区域的液态金属布线的制备与控制，使在硅转接板制备完成后或者芯粒与硅转接板集成后，通过液态金属布线结构的改变，实现关键接口之间互连结构的变化，改变芯粒集成中的互连电路网络，有助于实现集成芯片功能的切换。