公开(公告)号：CN116344495A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310342926.8

申请日：2023-03-31

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  陈新鹏 ,  南旭惊 ,  张雨婷 ,  葛一铭 ,  刘鹏飞 ,  朱凯

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，尤其涉及一种微模组封装引出结构及制备方法，引出结构包括凸点下金属触垫、柔性焊柱和凸点焊球，凸点下金属触垫与微模组的金属再布线层连接；柔性焊柱包括金属细柱簇和金属焊盘，凸点焊球焊接在金属焊盘上；金属细柱簇包括若干金属细柱，金属细柱的一端与金属焊盘连接，另一端与凸点下金属触垫连接；相邻金属细柱的间隙内填充有细柱保护层。本发明能有效缓解微模组和电路板直接装焊结构的热应力失配，使得微模组可以直接安装焊接在电路板上，不再需要通过塑封基板或陶封基板来做中间的电转接和应力缓冲，从而降低微模组器件的体积、重量和成本，更好的满足电子系统小型化需求。

公开(公告)号：CN117747410A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311618469.7

申请日：2023-11-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈新鹏 ,  李宝霞 ,  姚华 ,  武洋 ,  何亨洋 ,  张雨婷 ,  武忙虎 ,  葛一铭

IPC: H01L21/02 ,  G06F30/17 ,  G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种薄芯片翘曲矫正方法及系统，属于半导体封装技术领域。先建立正面等效介质层Si翘曲仿真模型，获取Si层厚度达到目标值时芯片翘曲值，在正面等效介质层Si翘曲仿真模型中将目标晶圆Si层设置目标减薄厚度，在Si层另一面增加Si背面矫正介质层等效翘曲仿真模型，通过修正介质层厚度使得目标晶圆翘曲达到目标要求值，记录仿真模型中介质层厚度，在实际工艺中按照仿真参数制备相应厚度的介质层进行晶圆翘曲的矫正，通过此方法可以改善薄晶圆或芯片的翘曲值，使之适用于不同工艺条件的翘曲要求，提高工艺普适性和产品产出良率。因此，本发明提出的方法不影响模组的堆叠高度，增加了堆叠存储器的模组容量。