-
公开(公告)号：CN117747410A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311618469.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/02 , G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种薄芯片翘曲矫正方法及系统，属于半导体封装技术领域。先建立正面等效介质层Si翘曲仿真模型，获取Si层厚度达到目标值时芯片翘曲值，在正面等效介质层Si翘曲仿真模型中将目标晶圆Si层设置目标减薄厚度，在Si层另一面增加Si背面矫正介质层等效翘曲仿真模型，通过修正介质层厚度使得目标晶圆翘曲达到目标要求值，记录仿真模型中介质层厚度，在实际工艺中按照仿真参数制备相应厚度的介质层进行晶圆翘曲的矫正，通过此方法可以改善薄晶圆或芯片的翘曲值，使之适用于不同工艺条件的翘曲要求，提高工艺普适性和产品产出良率。因此，本发明提出的方法不影响模组的堆叠高度，增加了堆叠存储器的模组容量。
-
公开(公告)号：CN117525044A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311596634.3
申请日：2023-11-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/64 , H01L27/08 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H10N97/00
Abstract: 本发明公开了一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构，包括晶圆；晶圆上刻蚀形成有错位式六边形排布三齿齿轮状硅柱阵列，硅壁上形成有带硅壁凸起；硅柱、硅壁和凹槽的表面生长有晶圆绝缘层；晶圆绝缘层上生长有三维电容层；各个硅柱顶端，以及硅壁凸起顶端设置有第一分布式电极和第二分布式电极；第一分布式电极和第二分布式电极连接第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层；第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层连接焊盘。通过采用三齿齿轮状硅柱在硅柱阵列周期不变的情况下，增大了硅柱侧壁面积，有利于进一步提高电容密度，并且仍然能保证凹槽间隙的均匀性。
-
公开(公告)号：CN116130458A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310003789.5
申请日：2023-01-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/492
Abstract: 本发明公开了一种预制垂直模通孔模封互连基板结构及制造方法，属于微电子制造技术领域，通过在两个外金属键合垫上均设若干个金属球，并将若干个金属球自下而上依次堆叠设置，形成预制垂直堆叠金属球模通孔，取代现有的激光打孔再填空或掩模光刻后电镀制备垂直模通孔，不容易产生翘曲；对内金属键合垫、重布线路及芯片结构之间注塑，形成基板结构，再将若干个基板结构自下而上依次设置，在最下边一个基板结构的感性树脂胶黏层下表面上植钎料焊球，得到互联基板，能够解决制备模通孔可靠性低的问题。因此，本发明提出的互连基板能够解决现有技术中铜柱过高容易产生翘曲，可靠性低的问题，在微电子制造技术领域具有较好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115425019A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211058003.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/603 , H01L23/49 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种多芯片桥接集成结构及其组装方法，集成结构包括若干电路单元，电路单元中的第一芯片通过第一微凸点阵列键合在转接板上，第二芯片转接板连接部的外引脚通过第二微凸点阵列键合在转接板上，第二芯片封装基板连接部的外引脚通过焊柱阵列键合在封装基板上，转接板通过焊球构成的焊球阵列键合在封装基板上，所述第一芯片和第二芯片之间通过第一微凸点、转接板上的金属布线和第二微凸点构成的电互连通路实现，所述转接板上开设有若干导电通道。在芯片结构需要阵列式扩展时，电路单元能够沿横向和/或纵向扩展，转接板的面积不需要成倍的相应扩展，能够提高转接板在工作过程中的可靠性，保证转接板良率，并且降低成本。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
