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发明公开
一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法有权转让

公开(公告)号：CN114566436A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210178297.5

申请日：2022-02-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 霍瑞霞 , 陈雷达 , 刘建军 , 陈新鹏 , 蒲晓龙

IPC: H01L21/56 , H01L21/48 , H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法，除采用通过温度控制胶的流速以及涂布合理的胶量来控制Pad气泡的产生，尤其采用晶圆在键合腔室内多次反复预抽真空，完成晶圆排气泡过程，同时结合低温预热的方法使得键合胶在低粘度条件下流速变慢，以降低残胶溢胶风险，且配合低速率阶梯式升温，改变传统的一步升温键合模式，气泡不良率基本得到控制，基本在千分之五左右。

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