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公开(公告)号：CN114784131A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210373740.4
申请日：2022-04-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开一种光敏二极管、一种光敏运放电路及一种光敏芯片，该光敏二极管包括P型衬底，P型衬底上沉积有N型外延层，N型外延层上形成有P+基区层；P+基区层为网格结构；P+基区层上设有基区氧化层，网格结构间隙中的N型外延层上设有外延氧化层；外延氧化层的厚度大于基区氧化层的厚度；当该光敏二极管工作时，激发光敏二极管的红外光源的辐射深度小于光敏二极管的N型外延层的厚度。该一种光敏运放电路包括有上述的光敏二极管以及肖特基二极管。本发明中光敏二极管的结构以及光敏运放电路的设计有效缩小芯片面积、减小光敏芯片功耗、提高稳定性、减小传输延迟，防止输出常高功能错误、实现了高速光耦产品整体小型化、高速化、可靠性的设计。
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公开(公告)号：CN109301028A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811103152.9
申请日：2018-09-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/12 , H01L31/0203
Abstract: 本发明公开了一种一次成型的塑封光电耦合器制作方法，首先制作塑封光电耦合器的承载结构，采用了设计成形的内部光导介质成型结构，有效地提高器件的光电耦合效率，并且无需采用改变光导介质内腔形状的多种成型模具或改变光导介质透明度的掺杂工艺以及改变引线框架金岛角度的复杂步骤，便可方便达到光电耦合器电流传输比(CTR)参数精确可调的目的，只需开发一次外壳注塑模具，即可实现光电耦合器产品的塑封化和性能参数分档精细化的要求，优化了共面光耦的光电耦合效率，解决了一次注塑模具实现光电耦合器电流传输比(CTR)精细化分档的共面封装问题，从而在降低产品模具开发成本的基础上，实现了光电耦合器的塑封化及产品性能参数精确可控的目标。
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公开(公告)号：CN114784131B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210373740.4
申请日：2022-04-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开一种光敏二极管、一种光敏运放电路及一种光敏芯片，该光敏二极管包括P型衬底，P型衬底上沉积有N型外延层，N型外延层上形成有P+基区层；P+基区层为网格结构；P+基区层上设有基区氧化层，网格结构间隙中的N型外延层上设有外延氧化层；外延氧化层的厚度大于基区氧化层的厚度；当该光敏二极管工作时，激发光敏二极管的红外光源的辐射深度小于光敏二极管的N型外延层的厚度。该一种光敏运放电路包括有上述的光敏二极管以及肖特基二极管。本发明中光敏二极管的结构以及光敏运放电路的设计有效缩小芯片面积、减小光敏芯片功耗、提高稳定性、减小传输延迟，防止输出常高功能错误、实现了高速光耦产品整体小型化、高速化、可靠性的设计。
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公开(公告)号：CN109301028B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201811103152.9
申请日：2018-09-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/12 , H01L31/0203
Abstract: 本发明公开了一种一次成型的塑封光电耦合器制作方法，首先制作塑封光电耦合器的承载结构，采用了设计成形的内部光导介质成型结构，有效地提高器件的光电耦合效率，并且无需采用改变光导介质内腔形状的多种成型模具或改变光导介质透明度的掺杂工艺以及改变引线框架金岛角度的复杂步骤，便可方便达到光电耦合器电流传输比(CTR)参数精确可调的目的，只需开发一次外壳注塑模具，即可实现光电耦合器产品的塑封化和性能参数分档精细化的要求，优化了共面光耦的光电耦合效率，解决了一次注塑模具实现光电耦合器电流传输比(CTR)精细化分档的共面封装问题，从而在降低产品模具开发成本的基础上，实现了光电耦合器的塑封化及产品性能参数精确可控的目标。
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