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公开(公告)号：CN114844502A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210609393.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03L7/185
Abstract: 本发明公开了基于TIA结构有源负载的RFD电路，输入缓冲模块、分频器核心电路模块和输出缓冲模块；所述分频器核心电路模块包括有源负载，Gilbert混频器和射随器电路模块；引入新型TIA有源负载模块，这种电阻并联反馈拓扑降低了与吉尔伯特单元连接处的电阻，从而降低了开环时间常数，由于时间常数与环路增益带宽呈负相关，环路带宽随时间常数的减小而增大，整体上提升了分频器的最大工作频率，进而延展了分频器的分频范围，从而保证VCO的调谐范围和分频器的分频范围充分重叠，甚至分频范围还能远大于调谐范围。
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公开(公告)号：CN106771476B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201611056816.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明一种高压电流监控电路，包括第一运放和第二运放；第一运放连接母线电压和正电源供电，第一运放包括连接在母线电压和负电源之间的分压电路；第一运放的同相输入端和反相输入端分别通过电阻R1和电阻R2连接在高边采样电阻的两端，第一运放的输出端连接输出达林顿管的基极，第一运放的分压输出端分别连接对应的分压达林顿管的基极，分压达林顿管依次级联在第一运放的同相输入端和输出达林顿管的集电极之间，输出达林顿管的发射极经电阻R3接地；第二运放连接第一运放的分压输出端和正电源供电；第二运放的同相输入端连接输出达林顿管的发射极；反相输入端分别经电阻R4接地，经电阻R5连接第二运放的输出端；输出端输出监控信号。
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公开(公告)号：CN116404861A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310604436.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种实现有源电压箝位的Timer电路，包括有源箝位模块和比较器模块；有源箝位模块用于为比较器模块提供输入电压VTIMER，所述有源箝位模块的输出端与比较器模块的输入端连接，所述比较器模块用于比较输入电压和超时门限电压的大小，并根据比较结果输出高电平或低电平信号。本发明的Timer电路包括低功耗控制技术和泄漏管栅压动态调整技术，可以根据超时状态下Timer电路的输入电压变化程度智能调节漏电管的工作状态从而实现动态电压箝位，使其输入端电容不会过充，从而降低了恢复后电容的放电时间，提高了工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116155089A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310153277.7
申请日：2023-02-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种降低传输延迟影响的Timer电路，包括复位模块和比较器模块；复位模块和比较器模块分别加入了两级反相器和开关管构成预偏置启动电路。当同步信号从异常状态恢复正常时，驱动器的逻辑电路会重新产生复位信号，Timer接收到该复位信号后，预偏置启动电路中的两级反相逻辑会让比较器模块的开关管导通，输出端的电平就能快速翻转，极大地降低了驱动器重新恢复工作所需的时间。由于该预偏置启动技术直接作用于Timer的输出端，直接避免了大电容的放电时间和逻辑链路的晶体管寄生效应造成的延迟影响。
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公开(公告)号：CN106771476A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611056816.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R19/0092
Abstract: 本发明一种高压电流监控电路，包括第一运放和第二运放；第一运放连接母线电压和正电源供电，第一运放包括连接在母线电压和负电源之间的分压电路；第一运放的同相输入端和反相输入端分别通过电阻R1和电阻R2连接在高边采样电阻的两端，第一运放的输出端连接输出达林顿管的基极，第一运放的分压输出端分别连接对应的分压达林顿管的基极，分压达林顿管依次级联在第一运放的同相输入端和输出达林顿管的集电极之间，输出达林顿管的发射极经电阻R3接地；第二运放连接第一运放的分压输出端和正电源供电；第二运放的同相输入端连接输出达林顿管的发射极；反相输入端分别经电阻R4接地，经电阻R5连接第二运放的输出端；输出端输出监控信号。
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公开(公告)号：CN116247930A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310034470.9
申请日：2023-01-10
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用自适应电流补偿的二次电源电路，包括：启动及电流镜产生模块向二次电源模块提供参考电流，二次电源模块接收参考电流产生二次电源，二次电源模块向输出驱动模块提供电压；所述自适应电流补偿模块向二次电源模块提供补偿电流。本发明采用带有自适应电流补偿的二次电源电路基于CMOS工艺，针对电源电压的情况对参考电平的输出进行自适应调节，使得在更宽的输入电压范围下，输出电压保持稳定；同时在低电源电压条件下，输出二次电平符合信号传输电路工作要求；提升了隔离型DC/DC开关电源的传输速度和最高工作频率。
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公开(公告)号：CN115225081A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210885809.1
申请日：2022-07-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K21/38
Abstract: 本发明公开了一种复位脉宽可调的Timer电路及驱动器，基于CMOS工艺技术实现复位脉宽可调的有效方法，复位脉宽可调的Timer电路包括实现脉宽可调的状态指示模块、电流源模块、充放电模块和比较器模块，源极电压比较电路可以有效地让复位信号脉冲结束时间完全由Timer的比较电压与阈值的比较结果来决定，从而实现了Reset复位信号脉冲宽度可调，极大地提升了Timer计时和重置的精度，从而解决了由于传统Timer结构使用固定脉宽的Reset复位信号导致Timer在计时周期积累后可能出现误关停和异常情况漏检测的问题，提高了隔离型DC/DC电源中同步整流驱动器的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN206610809U
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201720290748.9
申请日：2017-03-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种双极线性稳压器全芯片ESD保护结构，包括连接在芯片各端口的SCR静电结构单元；所述的SCR静电结构单元包括衬底PNP结构的晶体三极管Q1，以及构成SCR电路的晶体三极管Q2、晶体三极管Q3、电阻Rj和电阻Rb；晶体三极管Q1发射极接IO端口，集电极自然接地，基极为SCR静电结构单元的输入输出端口B；晶体三极管Q2发射极与电阻Rj一端均连接SCR静电结构输入输出端口B，基极接电阻Rj另一端和晶体三极管Q3的集电极，晶体三极管Q2集电极接晶体三极管Q3的基极和电阻Rb电阻的一端；晶体三极管Q3发射极与电阻Rb另一端接SCR静电结构单元的IO端口。
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