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公开(公告)号：CN118892869A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410941068.3
申请日：2024-07-15
Applicant: 西安工程大学
IPC: B01J31/26 , H10N30/85 , H10N30/30 , C02F1/30 , C02F1/72 , B01J35/39 , B01J37/10 , B01J35/33 , B01J37/34 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种印染废水处理用的ZnCdS/PVDF材料的制备方法、ZnCdS/PVDF材料及应用，通过ZnCdS和PVDF混合制备ZnCdS/PVDF材料，首先采用水热法制备了半导体材料ZnCdS，然后用溶剂溶胶法制备了ZnCdS/PVDF材料。通过对制备的ZnCdS/PVDF材料进行分析，证明了本发明制备的ZnCdS/PVDF材料在可见光范围内表现出高效的光催化活性，ZnCdS/PVDF材料已经达到利用可见光进行水分解的条件范围，ZnCdS/PVDF‑10具有更优越的光催化活性；同时，ZnCdS材料的加入促进了PVDF中β相的产生，从而提高了ZnCdS/PVDF材料的压电性能。解决了现有技术中在印染废水处理过程中对太阳能利用率不高、量子效果不明显、光生电子‑空穴分离效率低、光化学不稳定等问题。
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公开(公告)号：CN118892820A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410938715.5
申请日：2024-07-14
Applicant: 西安工程大学
IPC: B01J21/06 , C02F1/30 , C02F1/32 , B01J31/02 , B01J35/39 , B01J37/10 , C02F103/30 , C02F101/38 , C02F101/36 , C02F101/34
Abstract: 本发明公开了一种印染废水处理用的TNT/TCPP材料制备方法、TNT/TCPP材料及其应用，该方法使用水热法制备钛酸纳米管，再用所制TNT与TCPP不同配比制成TNT/TCPP材料。通过X‑射线衍射分析(XRD)进行TNT以及TNT/TCPP材料的表征实验，确定材料的物理和化学性能。然后用所制备的材料进行光催化染料降解的实验，通过对不同光照时间样品的抽取，进行光催化样品降解性能测试，结果证明本发明制备的TNT/TCPP材料具有更好的光催化降解染料效果，且相比于传统的TiO2光催化材料，TNT/TCPP材料在光生载流子分离效率方面有所提升，光催化性能提升，拥有更好的紫外‑可见吸收性能，电化学性能提高。
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公开(公告)号：CN107285760B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710533294.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 西安工程大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开的一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法，具体步骤为：步骤1、于空气气氛下，将CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末及Nd2O3粉末混合均匀，得到前驱粉料；步骤2、对经步骤1得到的前驱粉料先进行烧结，再随炉冷却，得到预烧粉料；步骤3、对经步骤2得到的预烧粉料依次进行造粒、过筛及成型处理，得到生坯；步骤4、对经步骤3得到的生坯依次进行排胶、烧结处理，得到低损耗巨介电常数陶瓷材料，其化学式为Ca1‑xNdxCu3Ti4O12，其中x＝0.03，0.06，0.09。利用本发明的制备方法制备出的陶瓷材料具有巨介电常数和低介电损耗的优点。
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公开(公告)号：CN107285760A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710533294.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 西安工程大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3281 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开的一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法，具体步骤为：步骤1、于空气气氛下，将CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末及Nd2O3粉末混合均匀，得到前驱粉料；步骤2、对经步骤1得到的前驱粉料先进行烧结，再随炉冷却，得到预烧粉料；步骤3、对经步骤2得到的预烧粉料依次进行造粒、过筛及成型处理，得到生坯；步骤4、对经步骤3得到的生坯依次进行排胶、烧结处理，得到低损耗巨介电常数陶瓷材料，其化学式为Ca1-xNdxCu3Ti4O12，其中x＝0.03，0.06，0.09。利用本发明的制备方法制备出的陶瓷材料具有巨介电常数和低介电损耗的优点。
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公开(公告)号：CN103971798B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410168598.5
申请日：2014-04-24
Abstract: 一种架空裸导线扩径增强绝缘结构，包括上扩径部件、下扩径部件以及连接上扩径部件和下扩径部件的弹性卡扣，上扩径部件和下扩径部件结构相同，上下对称的卡接在架空裸导线需防护位置的表面，上扩径部件和下扩径部件的外表面均涂覆有改性环氧绝缘层。扩经导体内部为中空结构；本发明结构屏蔽了架空裸导线表面单线曲率和毛刺，获得光滑、较大导体等效半径，彻底消除裸导线表面电晕，极大地减小了安全距离；本发明的扩径导体和外部增强固体绝缘层策略可以获得几乎是永久的安全防护效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104118901A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410352597.6
申请日：2014-07-23
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开的花状纳米氧化锌的制备方法，具体按照以下步骤实施：1)分别称取二水乙酸锌和氢氧化钾；2)将1)中称取的二水乙酸锌和氢氧化钾分别溶解于去离子水中，配制成二水乙酸锌溶液和氢氧化钾溶液；3)将经2)配制的二水乙酸锌溶液和氢氧化钾溶液充分混合，得到混合溶液；4)将经3)得到的混合溶液放置于超声清洗机中进行超声处理，得到白色沉淀物；5)对经4)得到的白色沉淀物进行处理，得到花状纳米氧化锌。本发明的花状纳米氧化锌的制备方法，解决了现有花状氧化锌纳米锌制备方法存在的制备温度高、制备时间长的问题。
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公开(公告)号：CN118016770B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410122154.1
申请日：2024-01-29
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaN/n‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基MQW；以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p‑GaN层，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED。本发明是一种具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高的GaN基LED。
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公开(公告)号：CN115321976B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210304287.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 西安工程大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数、低介电损耗CCTO陶瓷材料制备方法，具体步骤为：在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2为原料，以Nd2O3和Nb2O5作为添加剂，采用固相反应工艺，通过混料、预烧、成型、排胶、烧结工艺流程，获得巨介电常数、低介电损耗陶瓷材料Ca1‑xNdxCu3Ti4‑yNbyO1。本发明在保持CCTO陶瓷材料巨介电常数的基础上提供了一种降低介电损耗的方法，即配方上通过添加Nd2O3和Nb2O5，工艺上通过固相烧结，得到了巨介电常数、低介电损耗的陶瓷材料，其在测试频率为20626Hz时，εr＝10880，tanδ＝0.020。因此本发明制备出巨介电常数低介电损耗的CCTO陶瓷材料，改善了CCTO陶瓷材料的介电性能。本发明充分运用了固相法,工艺简单，易操作，重复性高，样品性能稳定性高，易于实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN115321976A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210304287.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 西安工程大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数、低介电损耗CCTO陶瓷材料制备方法，具体步骤为：在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2为原料，以Nd2O3和Nb2O5作为添加剂，采用固相反应工艺，通过混料、预烧、成型、排胶、烧结工艺流程，获得巨介电常数、低介电损耗陶瓷材料Ca1‑xNdxCu3Ti4‑yNbyO1。本发明在保持CCTO陶瓷材料巨介电常数的基础上提供了一种降低介电损耗的方法，即配方上通过添加Nd2O3和Nb2O5，工艺上通过固相烧结，得到了巨介电常数、低介电损耗的陶瓷材料，其在测试频率为20626Hz时，εr＝10880，tanδ＝0.020。因此本发明制备出巨介电常数低介电损耗的CCTO陶瓷材料，改善了CCTO陶瓷材料的介电性能。本发明充分运用了固相法,工艺简单，易操作，重复性高，样品性能稳定性高，易于实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN114436643A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210081121.8
申请日：2022-01-24
Applicant: 西安工程大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种利用固相烧结法制备巨介电常数、低介电损耗的钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12,以下简写为CCTO)陶瓷材料的方法，属于电子陶瓷材料制备的技术领域。本发明的巨介电常数、低损耗CCTO陶瓷材料，其特征在于：由主料(CaCu3Ti4O12)及添加剂(Nb2O5)组成,化学组成为CaCu3Ti4‑xNbxO12，其中0≤x≤0.08；在空气气氛下，将CaCO3、CuO、TiO2以及Nb2O5按比例混合后预烧，然后干压成型，压制成形的生坯升温进行排胶处理，然后继续烧结，最后随炉冷却至室温，获得巨介电常数、低介电损耗陶瓷材料。本发明所用方法工艺简单，易操作，重复性高，样品性能稳定性高，易于实现规模化生产。
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