公开(公告)号：CN118712300A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410808064.8

申请日：2024-06-21

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 曹得重 ,  郭正全 ,  高望欣 ,  王赫 ,  骆恬恬 ,  王菲斐 ,  第五淯暄 ,  马丽 ,  王森

IPC: H01L33/10 ,  C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  C30B33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层、n‑GaN/u‑GaN周期性结构，随后在溶液中对n‑GaN/u‑GaN周期性结构进行刻蚀，制备具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜；以纳米多孔GaN分布布拉格反射镜为衬底，采用脉冲激光沉积技术生长Eu掺杂的氧化镓薄膜，制备具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜；采用退火技术，将上述氧化镓薄膜转变为不同Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜。本发明制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高、Eu浓度可调的单晶β‑氧化镓薄膜。

公开(公告)号：CN111366825A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010286620.1

申请日：2020-04-13

Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 ,  陕西中试电力科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  西安工程大学

Inventor： 张璐 ,  杨昊 ,  孙蕾 ,  丁彬 ,  吴经锋 ,  王森 ,  师一卿 ,  王文森 ,  刘强 ,  郭璨 ,  王辰曦 ,  李高阳

IPC: G01R31/12 ,  G01R31/20 ,  G01R31/00 ,  G01K1/14 ,  G01K7/18 ,  G05D23/24 ,  G01B11/00

Abstract: 本发明公开了变压器套管热致气泡模拟产生装置及起始温度测量方法，变压器套管热致气泡模拟产生装置包括温度控制与测量装置，保护套，加热装置，温度传感器和电子放大镜，加热装置和温度传感器设置在保护套中，加热装置通过控制线和温度控制与测量装置连接，温度传感器的信号线与温度控制与测量装置连接，保护套上开设有观察窗。通过将具有较高热响应速度的加热装置布置在实验腔体内壁，当加热装置工作时可以较好的模拟实际变压器套管处所处环境温度，并产生气泡，本发明通过加热的方式产生气泡，这与实际变压器套管在变压器中产生气泡的原因类似，可以用于模拟实际变压器中变压器套管的状况。