公开(公告)号：CN118016770A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410122154.1

申请日：2024-01-29

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 曹得重 ,  李兴 ,  王赫 ,  郭正全 ,  成鹏飞 ,  闫晓东 ,  孙坤校 ,  王菲斐 ,  骆恬恬 ,  第五淯暄

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C25F3/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明公开了具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaN/n‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基MQW；以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p‑GaN层，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED。本发明是一种具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高的GaN基LED。

公开(公告)号：CN118016770B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410122154.1

申请日：2024-01-29

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 曹得重 ,  李兴 ,  王赫 ,  郭正全 ,  成鹏飞 ,  闫晓东 ,  孙坤校 ,  王菲斐 ,  骆恬恬 ,  第五淯暄

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C25F3/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明公开了具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaN/n‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基MQW；以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p‑GaN层，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED。本发明是一种具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高的GaN基LED。