公开(公告)号：CN118712300A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410808064.8

申请日：2024-06-21

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 曹得重 ,  郭正全 ,  高望欣 ,  王赫 ,  骆恬恬 ,  王菲斐 ,  第五淯暄 ,  马丽 ,  王森

IPC: H01L33/10 ,  C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  C30B33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层、n‑GaN/u‑GaN周期性结构，随后在溶液中对n‑GaN/u‑GaN周期性结构进行刻蚀，制备具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜；以纳米多孔GaN分布布拉格反射镜为衬底，采用脉冲激光沉积技术生长Eu掺杂的氧化镓薄膜，制备具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜；采用退火技术，将上述氧化镓薄膜转变为不同Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜。本发明制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高、Eu浓度可调的单晶β‑氧化镓薄膜。