公开(公告)号：CN1551312A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044584.9

申请日：2004-05-13

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  三菱电机株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  田中直敬

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面且在表面上形成有功能元件的半导体基板的表面，形成沿该半导体基板的厚度方向延伸的表面侧凹处的工序；向该表面侧凹处内供给金属材料，形成与功能元件电连接的表面侧电极的表面侧电极形成工序；从背面去除半导体基板，将半导体基板薄形化至比表面侧凹处的深度大的所定厚度的薄型化工序；在该薄型化工序之后，通过在半导体基板的背面形成与表面侧凹处连通的背面侧凹处，从而形成包括表面侧凹处和背面侧凹处在内的连续的贯通孔的背面侧凹处形成工序；向背面侧凹处供给金属材料，形成与表面侧电极电连接的、与表面侧电极一起构成贯通半导体基板的贯通电极的背面侧电极形成工序。

公开(公告)号：CN1505138A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119538.6

申请日：2003-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 根本义彦 ,  谷田一真 ,  高桥健司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明得到易制造的半导体器件。具备：互相相向配置的第1和第2半导体衬底1、2；在第1半导体衬底1的相向面上形成、由第1半导体电路3和第1电极7构成的第1半导体元件5；在第2半导体衬底2的相向面上形成、由第2半导体电路4和第2电极8构成的第2半导体元件6；夹在第1与第2电极7、8之间的布线层9；及贯通第1半导体衬底1，经布线层9与第1和第2电极7、8连接的贯通电极12，第2半导体衬底2在贯通电极12的侧面方向隔开配置，从第1半导体衬底1突出的贯通电极12的侧面和第2半导体元件6的侧面被绝缘材料13覆盖，贯通电极12的一端从第1半导体衬底1背面露出，另一端位于与第2半导体衬底2背面相同的高度，并从绝缘材料13露出。

公开(公告)号：CN1503337A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310116443.9

申请日：2003-11-21

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  三菱电机株式会社 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  梅本光雄

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成由金属构成的、在给定位置上具有开口的阻挡掩模层的工艺；向上述阻挡掩模层的开口内供给金属材料并形成由该金属构成的凸出电极的金属材料供给工艺；在该金属材料供给工艺之后除去上述阻挡掩模层的工艺。

公开(公告)号：CN100539090C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200580001557.6

申请日：2005-06-09

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  森藤忠洋 ,  宫田修

IPC: H01L23/12 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置，包括：第1半导体芯片，其具有形成有第1功能元件的第1功能面及与该第1功能面相反侧的面即第1背面；第2半导体芯片，其具有第2功能面，该第2功能面形成第2功能元件，并具有与所述第1半导体芯片的第1功能面相对的相对区域和该相对区域以外的区域即非相对区域；连接构件，其在所述第1功能面与所述第2功能面的相对部分，将所述第1功能元件和所述第2功能元件电连接；绝缘膜，其按照覆盖所述第2半导体芯片的非相对区域以及所述第1半导体芯片的第1背面的方式连续形成；重新布线层，其形成在该绝缘膜的表面，与所述第2功能元件电连接；覆盖所述重新布线层的保护树脂；和由所述重新布线层贯通所述保护树脂而被竖立设置的外部连接端子。

公开(公告)号：CN101015053A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580029878.7

申请日：2005-10-17

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体装置(1、21)的制造方法，包括：准备由多个布线基板(2)制成，在至少一表面(2a)具有跨相互邻接的上述布线基板的边界而形成的导电构件(13)的原基板(11)的工序；使具有形成有功能元件(4)的功能面(3a)的半导体芯片(3)对着各布线基板，使其功能面与上述一表面隔有规定间隔而相对地连接的芯片连接工序；在此芯片连接工序后，在上述原基板与上述半导体芯片的间隙，以及上述导电构件上形成密封树脂层(7)的密封树脂层形成工序；在该密封树脂层形成工序之后，使上述原基板和切割工具(B)相对移动，以使该切割工具从与上述原基板的上述一表面呈相反侧的另一表面(2b)穿到上述一表面，由此沿着互相邻接的上述布线基板的边界切割上述原基板的切割工序。

公开(公告)号：CN1950939A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014582.8

申请日：2005-07-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/52 ,  H01L23/562 ,  H01L24/01 ,  H01L24/17 ,  H01L24/28 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L51/5246 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/153 ,  H01L2924/183 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 提供一种半导体装置(1、21)，包括：固体装置(2、22)；半导体芯片(3)，其具有形成了功能元件(4)的功能面(3a)，使该功能面相面对于上述固体装置的表面，在与上述固体装置的表面之间保持规定的间隔而接合；绝缘膜(6)，其设置于上述固体装置的与上述半导体芯片的相对面(2a、22a)，并具有开口(6a)，该开口(6a)在垂直俯视该相对面的俯视中，形成为比上述半导体芯片大的尺寸；以及密封层(7)，其对上述固体装置和上述半导体芯片之间进行密封。

公开(公告)号：CN1943024A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011697.1

申请日：2005-08-04

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K3/3452 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种布线基板(2、15)，其表面与半导体芯片(3)相对并接合，包括：连接电极(14)，该电极形成在与半导体芯片接合的接合面(2a、15a)上，用于与该半导体芯片连接；绝缘膜(6)，该绝缘膜形成在所述接合面上，具有用于使所述连接电极露出的开口(6a)；以及低熔点金属部(16)，该部在所述开口内，设置在所述连接电极上，由固相线温度比所述连接电极低的低熔点金属构成。

公开(公告)号：CN1305133C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200310119538.6

申请日：2003-11-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  株式会社东芝 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 根本义彦 ,  谷田一真 ,  高桥健司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明得到易制造的半导体器件。具备：互相相向配置的第1和第2半导体衬底(1、2)；在第1半导体衬底(1)的相向面上形成、由第1半导体电路(3)和第1电极(7)构成的第1半导体元件(5)；在第2半导体衬底(2)的相向面上形成、由第2半导体电路(4)和第2电极(8)构成的第2半导体元件(6)；夹在第1与第2电极(7、8)之间的布线层(9)；及贯通第1半导体衬底(1)，同时连接在布线层(9)上且经布线层(9)与第1和第2电极(7、8)连接的贯通电极(12)，第2半导体衬底(2)在贯通电极(12)的侧面方向隔开配置，从第1半导体衬底(1)突出的贯通电极(12)的侧面和第2半导体元件(6)的侧面被绝缘材料(13)覆盖，贯通电极(12)的一端从第1半导体衬底(1)背面露出，另一端位于与第2半导体衬底(2)背面相同的高度，并从绝缘材料(13)露出。

公开(公告)号：CN100514565C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200510084836.5

申请日：2005-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司 ,  日本电气株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 梅本光雄 ,  冈山芳央 ,  谷田一真 ,  寺尾博 ,  根本义彦

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN100397601C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410011782.5

申请日：2004-09-29

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  梅本光雄

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，该制造方法包括：形成钝化膜的工序，上述钝化膜覆盖形成有电极的半导体基板的形成该电极的一面并形成有使规定的该电极露出的开口；在上述钝化膜的开口附近，形成由金属构成的扩散防止接头的工序；向上述半导体基板的形成上述扩散防止接头的一面供给金属材料而形成由该金属构成的晶种层的工序；形成抗蚀剂膜的工序，上述抗蚀剂膜覆盖上述晶种层并形成有使上述扩散防止接头上方的上述晶种层的规定区域露出的开口；向上述抗蚀剂膜的开口内供给金属材料而形成由该金属构成的突起电极的工序；在形成该突起电极的工序后，去除上述抗蚀剂膜的工序；在形成上述突起电极的工序后，去除上述晶种层的工序。