公开(公告)号：CN1738002A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510084836.5

申请日：2005-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司 ,  日本电气株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 梅本光雄 ,  冈山芳央 ,  谷田一真 ,  寺尾博 ,  根本义彦

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN100514565C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200510084836.5

申请日：2005-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司 ,  日本电气株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 梅本光雄 ,  冈山芳央 ,  谷田一真 ,  寺尾博 ,  根本义彦

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN100382304C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510009366.6

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央 ,  梅本光雄 ,  高桥健司 ,  寺尾博 ,  星野雅孝

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。

公开(公告)号：CN1722370A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084655.2

申请日：2005-07-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 梅本光雄 ,  星野雅孝 ,  寺尾博

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置的制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在对应焊盘电极11的位置形成贯通半导体衬底10的通孔16。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面上形成绝缘膜17。然后，在半导体衬底10的背面上，形成在通孔16的开口部的边缘具有悬空部18a的加强用绝缘膜18。然后，以该加强用绝缘膜18为掩模，使通孔16的侧壁的绝缘膜17留下，同时蚀刻除去该底部的绝缘膜17。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面，形成贯通电极21、布线层22、及导电端子24。最后，通过切割把半导体衬底10切断分离为半导体芯片10A。

公开(公告)号：CN1658387A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009366.6

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央 ,  梅本光雄 ,  高桥健司 ,  寺尾博 ,  星野雅孝

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。

公开(公告)号：CN100382247C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510084655.2

申请日：2005-07-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 梅本光雄 ,  星野雅孝 ,  寺尾博

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置的制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在对应焊盘电极11的位置形成贯通半导体衬底10的通孔16。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面上形成绝缘膜17。然后，在半导体衬底10的背面上，形成在通孔16的开口部的边缘具有悬空部18a的加强用绝缘膜18。然后，以该加强用绝缘膜18为掩模，使通孔16的侧壁的绝缘膜17留下，同时蚀刻除去该底部的绝缘膜17。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面，形成贯通电极21、布线层22、及导电端子24。最后，通过切割把半导体衬底10切断分离为半导体芯片10A。