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公开(公告)号：CN100514565C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510084836.5
申请日：2005-07-18
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/0231 , H01L2224/02372 , H01L2224/05548
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。
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公开(公告)号：CN1738002A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510084836.5
申请日：2005-07-18
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/0231 , H01L2224/02372 , H01L2224/05548
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。
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公开(公告)号：CN100382304C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510009366.6
申请日：2005-02-17
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。
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公开(公告)号：CN1658387A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510009366.6
申请日：2005-02-17
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。
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公开(公告)号：CN101540299B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910134693.2
申请日：2009-02-01
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/58 , H01L21/603
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: 本发明涉及元件搭载用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。该元件搭载用基板具有：绝缘树脂层、设置在绝缘树脂层的一个主表面的配线层、以及与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极。在包含突起电极的中心轴的截面看，突起电极的侧面向中心轴方向弯曲，并且侧面的曲率半径从配线层侧端部到前端侧端部连续地变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102377105A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110226624.1
申请日：2011-08-04
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02204 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02212 , H01S5/02216 , H01S5/02244 , H01S5/02296 , H01S5/0683 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和光装置。该半导体激光装置具备：由多个部件构成且内部具有密封空间的封装体和配置在密封空间内的半导体激光元件，部件的位于密封空间内的表面由含有乙烯-聚乙烯醇共聚物的被覆剂覆盖。
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公开(公告)号：CN101312169B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810142810.5
申请日：2008-01-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备，其目的在于提高半导体模块的电极部的连接可靠性。在半导体模块中成为半导体基板的安装面的表面(特别是在外周缘部)形成有半导体元件的电极。为了进一步加宽该电极的间隔，在电极上形成绝缘层，并且形成贯通该绝缘层与电极连接的多个突起部以及一体地设置有这些突起部的再布线图案。再布线图案具有设置突起部的突起区域和与突起区域连接并延伸的布线区域。在此，绝缘层在突起部间形成为具有凹状的上表面，布线区域中的再布线图案则沿着该上表面形成。由此，与突起区域中的再布线图案相比，布线区域中的再布线图案以更向半导体基板的侧凹陷的状态形成。
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公开(公告)号：CN101877349A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010155369.1
申请日：2010-04-09
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/94 , H01L21/4832 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/49537 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68377 , H01L2224/02319 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/11003 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提供一种半导体模块及便携式设备。第一电路元件及第二电路元件均使电极形成面面向布线层的一个面安装。在布线层的一个面上一体地形成的第一突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第一电路元件的元件电极的镀金层和设置在第一突起电极的顶部的镀金层。另外，在布线层的一个面上一体地形成的第二突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层及第二绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第二电路元件的元件电极的镀金层和设置在第二突起电极的顶部的镀金层。
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公开(公告)号：CN102870209A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180019475.X
申请日：2011-04-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/4832 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49861 , H01L23/49894 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 在通过晶圆级工艺技术制造电路装置的情况下，抑制半导体衬底的弯曲。为使设于半导体衬底（50）的元件电极（52），和被薄型化前的铜板（200）所连接的突起电极（32）电连接，在以130℃以下的温度（第1温度）贴合半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）后，在将铜板（200）薄膜化为布线层的厚度的状态下，以170℃以上的高温（第2温度）压接半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）。此后，通过使薄膜化后的铜板（200）布线成形，来形成布线层（再布线）。
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公开(公告)号：CN101877349B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010155369.1
申请日：2010-04-09
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/94 , H01L21/4832 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/49537 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68377 , H01L2224/02319 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/11003 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提供一种半导体模块及便携式设备。第一电路元件及第二电路元件均使电极形成面面向布线层的一个面安装。在布线层的一个面上一体地形成的第一突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第一电路元件的元件电极的镀金层和设置在第一突起电极的顶部的镀金层。另外，在布线层的一个面上一体地形成的第二突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层及第二绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第二电路元件的元件电极的镀金层和设置在第二突起电极的顶部的镀金层。
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