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公开(公告)号：CN102306635B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110266920.4
申请日：2005-11-16
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3178 , H01L21/78 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L2223/5446 , H01L2224/02255 , H01L2224/0226 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/16 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/182 , H01L2924/186 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/13 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的半导体装置具备：具有钝化膜的半导体芯片；设在所述钝化膜上且用于密封所述半导体芯片的表面侧的密封树脂层。所述密封树脂层蔓延到所述钝化膜的侧面，且被覆该侧面。
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公开(公告)号：CN101015053B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200580029878.7
申请日：2005-10-17
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置(1、21)的制造方法，包括：准备由多个布线基板(2)制成，在至少一表面(2a)具有跨相互邻接的上述布线基板的边界而形成的导电构件(13)的原基板(11)的工序；使具有形成有功能元件(4)的功能面(3a)的半导体芯片(3)对着各布线基板，使其功能面与上述一表面隔有规定间隔而相对地连接的芯片连接工序；在此芯片连接工序后，在上述原基板与上述半导体芯片的间隙，以及上述导电构件上形成密封树脂层(7)的密封树脂层形成工序；在该密封树脂层形成工序之后，使上述原基板和切割工具(B)相对移动，以使该切割工具从与上述原基板的上述一表面呈相反侧的另一表面(2b)穿到上述一表面，由此沿着互相邻接的上述布线基板的边界切割上述原基板的切割工序。
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公开(公告)号：CN101847611B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010166640.1
申请日：2006-06-28
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/3735 , H01L23/544 , H01L2223/54406 , H01L2223/5448 , H01L2224/16 , H01L2924/01004
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置集合体，其不导致厚度的增大，并能够防止由于急剧的温度变化导致的半导体芯片的弯曲。该半导体装置具备：半导体芯片；表面侧树脂层，其使用第一树脂材料，形成在所述半导体芯片的表面上；背面侧树脂层，其使用具有比所述第一树脂材料大的热膨胀系数的第二树脂材料，形成在所述半导体芯片的背面侧，且比所述表面侧树脂层薄。
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公开(公告)号：CN1167039C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN98800978.1
申请日：1998-07-13
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: G06K19/00
CPC classification number: G06K19/07747 , B29C45/0046 , B29C45/14647 , B29L2031/3456 , G06K19/07724 , G06K19/07745 , G06K19/07749 , H01L2224/16 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
Abstract: 一种IC模块的制造方法，包括使用在合模状态下形成内腔空间(50)的上下金属模(5)进行的树脂封装工序，树脂封装工序是将载有IC芯片(3)的底板(2)和俯视呈圆环状且整体呈扁平状态的绕组线圈(20A)装入内腔空间(50)后注入熔融树脂。关于树脂封装工序，如果是在底板(2)上形成天线线圈(20)图案后实行树脂封装，就在底板(2)上形成高度与内腔空间(50)的高度相等或大致相等的衬垫(28)，并将其装入内腔空间(50)内后注入熔融树脂。也可以不在底板(2)上形成衬垫(28)，而是对装入内腔空间(50)内的底板(2)实行吸引。采用上述制造方法，可以良好地保护IC芯片及天线线圈。
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公开(公告)号：CN102306635A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110266920.4
申请日：2005-11-16
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3178 , H01L21/78 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L2223/5446 , H01L2224/02255 , H01L2224/0226 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/16 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/182 , H01L2924/186 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/13 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的半导体装置具备：具有钝化膜的半导体芯片；设在所述钝化膜上且用于密封所述半导体芯片的表面侧的密封树脂层。所述密封树脂层蔓延到所述钝化膜的侧面，且被覆该侧面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1950939B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580014582.8
申请日：2005-07-21
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/563 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/3185 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/52 , H01L23/562 , H01L24/01 , H01L24/17 , H01L24/28 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L51/5246 , H01L2224/01 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/14 , H01L2924/153 , H01L2924/183 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 提供一种半导体装置(1、21)，包括：固体装置(2、22)；半导体芯片(3)，其具有形成了功能元件(4)的功能面(3a)，使该功能面相面对于上述固体装置的表面，在与上述固体装置的表面之间保持规定的间隔而接合；绝缘膜(6)，其设置于上述固体装置的与上述半导体芯片的相对面(2a、22a)，并具有开口(6a)，该开口(6a)在垂直俯视该相对面的俯视中，形成为比上述半导体芯片大的尺寸；以及密封层(7)，其对上述固体装置和上述半导体芯片之间进行密封。
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公开(公告)号：CN101002313A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580026766.6
申请日：2005-09-01
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/49811 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13609 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05099
Abstract: 本发明提供一种半导体装置(1、21、31、31A)，具备：固体装置(2、33)，该固体装置具有连接面(2a、33a)，在该连接面上突出形成有由金属制成的连接电极(13、46)；半导体芯片(3、34)，该半导体芯片具有功能面(3a、34a)，在该功能面上突出形成有由金属制成的突起电极(13、46)，使该功能面与所述固体装置的所述连接面相面对，并在所述功能面与所述连接面之间保持规定间隔(D3、D6、D9)而接合；连接部件(15、22、47)，该连接部件含有具有比所述连接电极及所述突起电极的固相线温度更低的低熔点的金属，并连接所述固体装置的所述连接电极和所述半导体芯片的所述突起电极。在所述功能面与所述连接面的对置方向上，所述连接电极的高度(D1、D4、D7)与所述突起电极的高度(D2、D5、D8)之和为所述规定间隔的二分之一以上。
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公开(公告)号：CN1234888A
公开(公告)日：1999-11-10
申请号：CN98801036.4
申请日：1998-06-23
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01Q7/00 , G06K19/07718 , G06K19/07745 , G06K19/07747 , G06K19/07779 , G06K19/07783 , H01L2224/16 , H01L2924/01037 , H01Q1/2225
Abstract: 装入IC卡(B)内部的IC卡用模块(A)具有基板、搭载在该基板(1)上的IC芯片(2)、覆盖该IC芯片(2)与上述基板(1)粘接的保护部件(4)。通过在上述保护部件(4)和上述IC芯片(2)之间设置间隙(S),不让保护部件(4)和IC芯片(2)直接接触。在上述间隙(S)中,根据需要可以充填弹性率小的充填剂(6)。上述保护部件(4)设置增强部件(8)。
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公开(公告)号：CN101847611A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010166640.1
申请日：2006-06-28
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/3735 , H01L23/544 , H01L2223/54406 , H01L2223/5448 , H01L2224/16 , H01L2924/01004
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置集合体，其不导致厚度的增大，并能够防止由于急剧的温度变化导致的半导体芯片的弯曲。该半导体装置具备：半导体芯片；表面侧树脂层，其使用第一树脂材料，形成在所述半导体芯片的表面上；背面侧树脂层，其使用具有比所述第一树脂材料大的热膨胀系数的第二树脂材料，形成在所述半导体芯片的背面侧，且比所述表面侧树脂层薄。
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公开(公告)号：CN100446234C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200410094970.9
申请日：2004-11-19
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 宫田修
IPC: H01L23/50 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49548 , H01L21/4842 , H01L23/49503 , H01L24/48 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种引线框的制造方法，用来制造对半导体芯片进行树脂密封而制造的半导体装置用的引线框，该引线框具有与上述半导体芯片在密封树脂内电连接、并且至少安装面的一部分从上述密封树脂中露出地被密封在上述密封树脂内的引线部。该方法包括：形成引线部的引线部形成工序；以及侧缘部压印加工工序，通过从作为与引线部的上述安装面相反侧的面的密封面侧，对该引线部的上述密封面的侧缘部实施压印加工，形成向该引线部的侧面伸出、并且在该引线部的上述安装面以及密封面之间具有防脱面的防脱部。
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