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公开(公告)号:CN117980828A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202280063733.2
申请日:2022-12-06
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种叠对计量系统可包含照明源及照明光学器件以根据测量配方在样本相对于来自所述照明源的照明运动时,用来自所述照明源的所述照明照射所述样本上的叠对目标。所述叠对目标可包含一或多个胞元,其中单胞元适合于沿着特定方向测量。此胞元可包含具有不同节距的两个或更多个光栅。此外,所述系统可包含两个或更多个光电检测器,其各自经配置以从所述两个或更多个光栅结构捕获三个衍射波瓣。所述系统可进一步包含控制器以确定与所述叠对目标的每一胞元相关联的叠对测量。
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公开(公告)号:CN117980828B
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202280063733.2
申请日:2022-12-06
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种叠对计量系统可包含照明源及照明光学器件以根据测量配方在样本相对于来自所述照明源的照明运动时,用来自所述照明源的所述照明照射所述样本上的叠对目标。所述叠对目标可包含一或多个胞元,其中单胞元适合于沿着特定方向测量。此胞元可包含具有不同节距的两个或更多个光栅。此外,所述系统可包含两个或更多个光电检测器,其各自经配置以从所述两个或更多个光栅结构捕获三个衍射波瓣。所述系统可进一步包含控制器以确定与所述叠对目标的每一胞元相关联的叠对测量。
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公开(公告)号:CN119256205A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202380042536.7
申请日:2023-08-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 公开一种在单个单元中具有多个方向上的节距的叠加计量系统。根据计量配方,叠加目标可包含在所述样本的单元的两个或更多个层上的多层结构。所述多层结构可包含每一层中的结构,所述结构在一或多个周期性方向上具有一或多个节距。所述多层结构可包含具有第一方向上的第一节距、第二方向上的第二节距、所述第一方向上的第三节距及所述第二方向上的第四节距的结构。所述第一节距或所述第三节距中的至少一者可不同于所述第二节距或所述第四节距中的至少一者。
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公开(公告)号:CN117980694A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202380013695.4
申请日:2023-02-28
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种系统包含经配置以产生照明光束的照明源及包含物镜、经定位于集光瞳平面处的一或多个检测器、光调制器及控制器的集光子系统。所述光调制器经配置以将测量光的一或多个选定部分引导到所述一或多个检测器。所述控制器包含一或多个处理器,其经配置以执行程序指令,从而引起所述一或多个处理器通过以下执行度量配方:接收来自所述一或多个检测器的检测信号,其中所述检测信号与经引导到所述一或多个检测器的所述测量光的所述一或多个选定部分相关联;及基于所述检测信号来产生与样本的至少两个层相关联的叠对测量。
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公开(公告)号:CN119317876A
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202380041347.8
申请日:2023-10-27
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 公开一种用于产生包含具有呈反转顺序的结构的单元的重叠目标的重叠测量的重叠计量系统及方法。所述重叠计量系统可包含照明子系统及集光子系统。所述集光子系统可包含用以收集来自样本的测量光的一或多个检测器。根据计量配方,所述样本可包含具有第一单元类型的第一单元及第二单元类型的第二单元的重叠目标,其中所述第二单元类型包含相对于所述第一单元类型呈反转顺序的结构。所述计量配方可包含:接收检测信号;基于所述检测信号来产生每一单元的重叠测量;及基于指示每一单元的所述重叠测量的平均值的值来产生与所述重叠目标相关联的重叠测量。
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公开(公告)号:CN117980693A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202380013717.7
申请日:2023-02-22
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种叠对度量衡系统可包含:照明,用于产生照明光束的照明源;一或多个照明光学器件,其用于在沿着扫描方向相对于所述照明光束扫描样本时将所述照明光束引导到所述样本上的叠对目标,所述目标包含具有摩尔结构的一或多个单元。所述系统还可包含在光瞳平面的与来自所述摩尔结构的摩尔或重叠衍射阶相关联的位置处的两个光电检测器。所述系统可接着基于在扫描所述样本时由所述检测器捕获的时变干涉信号产生叠对测量。
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公开(公告)号:CN117546092A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202280043764.1
申请日:2022-10-06
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于半导体计量的方法包含将第一及第二上覆膜层沉积于半导体衬底上及图案化所述层以界定叠对目标。所述目标包含:所述第一层中的第一光栅图案,其包含在第一方向上定向的至少第一线性光栅及在垂直于所述第一方向的第二方向上定向的至少第二线性光栅;及所述第二层中的第二光栅图案,其包含相同于所述第一线性光栅的至少第三线性光栅及相同于所述第二线性光栅的第四线性光栅。所述第二光栅图案分别在所述第一及第二方向上具有相对于所述第一光栅图案达第一及第二位移的标称偏移。撷取且处理所述衬底的散射测量图像以估计所述第一与第二层的图案化之间的叠对误差。
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