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公开(公告)号：CN118020028A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280063256.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： I·戈多尔 , Y·卢巴舍夫斯基 , A·A·沃尔夫曼 , D·内格里 , Y·梅恩 , E·法尔基
IPC: G03F7/20 , G01B11/27
Abstract: 使用具有变迹器的系统对半导体晶片执行计量。在所述半导体晶片上形成具有从2nm到5nm的直径的光斑。相关联光束具有从400nm到800nm的波长。小目标测量可在光学波长范围下执行。
