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公开(公告)号：CN102893466B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180024049.5
申请日：2011-05-09
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01S5/042 , H01S5/0625 , H01S5/40
CPC classification number: H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种边缘发射的半导体激光器（1001），其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括适合于产生电磁辐射的有源区（5）；在所述有源区（5）上的至少两个小面（7），所述小面形成谐振器（55）；至少两个在侧向方向（100）上通过至少一个中间区域（22）彼此隔开的接触部位（2），所述接触部位安装在半导体本体（1）的外面（11）上。
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公开(公告)号：CN103326232B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310088321.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 艾尔弗雷德·莱尔 , 森克·陶茨 , 乌韦·施特劳斯 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体（1），其具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的装配件（11），装配件沿着延伸方向（110）远离壳体部件（10）延伸；以及在装配件（11）上的激光二极管芯片（2），激光二极管芯片在衬底（20）上具有带用于辐射光的有源层（23）的半导体层（21、22、23、24），其中壳体部件（10）和装配件（11）具有铜制基体，并且至少壳体部件（10）被钢包封，在激光二极管芯片（2）和装配件（11）之间设有第一焊料层（3），第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且激光二极管芯片（2）具有辐射耦合输出面（27），在辐射耦合输出面（27）上施加有结晶保护层（6）。
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公开(公告)号：CN103975490A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059153.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01S5/02469 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1064 , H01S5/2036 , H01S5/2054
Abstract: 提出一种具有下述特征的半导体激光二极管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距辐射耦合输出面(11)的间距相关地变化，其中导出热量的结构化的层(4)能够实现从有源区域(24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。
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公开(公告)号：CN101689594A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880024265.8
申请日：2008-06-20
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3095 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提出了一种发射辐射的半导体本体，其具有接触层(3)和有源区(7)，其中该半导体本体具有设置在接触层与有源区之间的隧道结(4)，并且有源区具有多量子阱结构，该多量子阱结构包含至少两个有源层(71)，所述有源层在工作电流注入到半导体本体中时发射电磁辐射。
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公开(公告)号：CN103975490B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280059153.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01S5/02469 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1064 , H01S5/2036 , H01S5/2054
Abstract: (24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向提出一种具有下述特征的半导体激光二极 和/或侧向方向变化。管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103326233A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310088473.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体（1），该壳体具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的安装部件（11），该安装部件沿着延伸方向（110）背离壳体部件（10）地延伸；和在安装部件（11）上的激光二极管芯片（2），所述激光二极管芯片在衬底（20）上具有半导体层（21，22，23，24，26），该半导体层具有用于放射光的有源层（23），其中壳体部件（10）和安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件（10）是钢包封的，并且在激光二极管芯片（2）与安装部件（11）之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层（3）。
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公开(公告)号：CN103119806A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045253.5
申请日：2011-09-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 马库斯·阿尔茨贝格尔
CPC classification number: H01S5/02244 , H01L23/495 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01S5/02208 , H01S5/02216 , H01S5/02268 , H01S5/02276 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01S5/024 , H01S5/02476 , H05K5/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种用于光电子半导体器件（10）的壳体（1），所述壳体具有带有安装平面（20）的壳体本体（2），并且具有带有第一连接导体（31）和第二连接导体（32）的导体框架（3）。所述壳体本体（2）局部地使所述导体框架（3）变形。所述导体框架（3）具有主延伸平面，所述主延伸平面倾斜于或垂直于所述安装平面（20）伸展。此外，本发明还提出了一种具有这样的壳体（1）和半导体芯片（6）的半导体器件（10）以及一种用于制造壳体（1）的方法。
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公开(公告)号：CN102668140A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080057782.2
申请日：2010-11-30
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/44 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L33/44 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L31/02019 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/186 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01S5/02 , H01S5/028 , H01S5/20 , H01S2301/176 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 提出一种光电子器件，其具有：带有有源区（3）的至少一个无机光电子有源半导体器件（10），所述有源区适于在运行时辐射光或者接收光；和在至少一个表面区域（7）上的借助于原子层沉积所施加的灌封材料（6），所述灌封材料气密密封地覆盖所述表面区域（7）。此外，提出一种用于制造光电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN105406351B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510958578.2
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体(1)，该壳体具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的安装部件(11)，该安装部件沿着延伸方向(110)背离壳体部件(10)地延伸；和在安装部件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层(21，22，23，24，26)，该半导体层具有用于放射光的有源层(23)，其中壳体部件(10)和安装部件(11)具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件(10)是钢包封的，并且在激光二极管芯片(2)与安装部件(11)之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层(3)。
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公开(公告)号：CN103119806B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180045253.5
申请日：2011-09-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 马库斯·阿尔茨贝格尔
CPC classification number: H01S5/02244 , H01L23/495 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01S5/02208 , H01S5/02216 , H01S5/02268 , H01S5/02276 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01S5/024 , H01S5/02476 , H05K5/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种用于光电子半导体器件(10)的壳体(1)，所述壳体具有带有安装平面(20)的壳体本体(2)，并且具有带有第一连接导体(31)和第二连接导体(32)的导体框架(3)。所述壳体本体(2)局部地围绕所述导体框架(3)成形。所述导体框架(3)具有主延伸平面，所述主延伸平面倾斜于或垂直于所述安装平面(20)伸展。此外，本发明还提出了一种具有这样的壳体(1)和半导体芯片(6)的半导体器件(10)以及一种用于制造壳体(1)的方法。
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