公开(公告)号：CN109326689A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201710644311.5

申请日：2017-07-31

Applicant: 山东浪潮华光光电子股份有限公司

Inventor： 王成新 ,  徐现刚 ,  郑兆河 ,  肖成峰

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/325 ,  H01L33/40

Abstract: 一种提高光萃取效率的UV LED结构及其制备方法，其结构包括衬底、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源区、掺Mg的P型AlzGa1-zN电子阻挡层和P型欧姆接触层，P型欧姆接触层为金刚石薄膜；其制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底上依次生长AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源区和AlzGa1-zN电子阻挡层，得到AlGaN基外延片；(2)在AlzGa1-zN电子阻挡层上生长掺杂B元素的厚度为3-200nm的金刚石薄膜。本发明以金刚石薄膜为欧姆接触层的结构，消除了接触层对UV光的吸收问题，可以大幅度提升UV LED的光萃取效率。同时，载流子浓度得到有效提升，从而更有效形成欧姆接触层，降低器件工作电压。

公开(公告)号：CN108807358A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810687787.1

申请日：2016-03-10

Applicant: 阿尔发得株式会社

Inventor： 加贺广持 ,  田岛纯平 ,  岡俊行 ,  宫部主之

IPC: H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/04 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62

Abstract: 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。

公开(公告)号：CN108598233A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810378693.6

申请日：2018-04-18

Applicant: 湘能华磊光电股份有限公司

Inventor： 徐平

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/04 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32

Abstract: 本申请公开了一种LED外延层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长AlGaN/GaN超晶格层、交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层、交替生长InGaN/GaN超晶格层，降温冷却。本发明通过分别引入AlGaN/GaN超晶格和InGaN/GaN短周期超晶格结构，用来减少晶格失配带来的应力，提高发光层的晶格质量，提升LED器件的抗静电能力，并提高空穴的浓度，提高ITO与p-GaN之间欧姆接触性能，降低LED的正向电压。

公开(公告)号：CN104979448B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201410394673.X

申请日：2014-08-12

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 李佳佑 ,  林大为 ,  邹安杰 ,  郭浩中

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明揭示一种发光二极管组件，包含:硅基板、缓冲层、超晶格结构层、纳米结构层、第一半导体层、发光层及第二半导体层，其中缓冲层设置在硅基板上、超晶格结构层设置在缓冲层上、奈米结构层设置在超晶格结构层上、第一半导体层设置在奈米结构层上以及发光层设置在第一半导体层及第二半导体层之间，藉由超晶格结构层及奈米结构层可以有效的释放发光二极管组件的应力以及降低磊晶缺陷，并且可以提高内部量子效率以及外部量子效率。

公开(公告)号：CN105590999B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201610127836.7

申请日：2011-06-17

Applicant: 传感器电子技术股份有限公司

Inventor： R·格斯卡 ,  M·S·沙特洛娃 ,  M·舒尔

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405

Abstract: 提供深紫外发光二极管，该深紫外发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。

公开(公告)号：CN104205297B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201380015737.4

申请日：2013-03-21

Applicant: 首尔伟傲世有限公司

Inventor： 崔承奎 ,  金材宪 ,  郑廷桓

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0025

Abstract: 提供了一种制造非极性氮化镓基半导体层的方法。所述方法是利用金属有机化学气相沉积来制造非极性氮化镓层的方法，所述方法包括：在室内设置具有m面生长表面的氮化镓基底；通过加热基底将基底温度升高到GaN生长温度；以及通过在生长温度下将Ga源气体、N源气体和环境气体提供到室中在氮化镓基底上生长氮化镓层。提供的环境气体包含N2而不包含H2。通过切断H2的供给，防止在基底生长表面上的各向异性蚀刻，从而引起氮化镓层的表面形态的改善。

公开(公告)号：CN107903901A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711179494.4

申请日：2017-11-23

Applicant: 纳晶科技股份有限公司

Inventor： 高远

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/04

CPC classification number: C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02 ,  H01L33/04

Abstract: 本申请提供了一种核壳量子点、其制备方法及含其的发光器件。该核壳量子点包括核和包裹该核的壳，该壳材料包括ⅡB族元素和ⅥA族元素，壳材料还包括ⅢA族元素，该ⅢA族元素位于壳表面上，且ⅢA族元素与壳表面上的ⅥA族元素化学键地连接。由于ⅢA族元素比ⅡB族元素具有更高的稳定性，壳表面的ⅢA族元素通过与ⅥA族元素形成化学键结合，稳定存在于壳表面，从而提高了壳表面应对外界的光学或化学稳定性。本申请提供了合成上述核壳量子点的三种制备方法，方法操作简单、制备条件温和，利用这些制备工艺获得的核壳量子点的发光器件具有良好的稳定性。

公开(公告)号：CN107863429A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711365930.7

申请日：2017-12-18

Applicant: 山东聚芯光电科技有限公司

Inventor： 闫稳玉 ,  吴伟东 ,  张薇葭 ,  王占伟 ,  刘双昭 ,  王旭东 ,  赵利

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种GaN外延片及制造方法，其中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，所述的二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间；优点为：提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。

公开(公告)号：CN107808912A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201711018197.1

申请日：2017-10-27

Applicant: 安徽三安光电有限公司

Inventor： 林继宏 ,  林兓兓 ,  蔡吉明

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明属于半导体领域，尤其涉及一种氮化物发光二极管及其制备方法，其在P型半导体层的电子阻挡层和P型接触层之间插入一多层结构，多层结构包括复数个含In的厚度20~50埃的子结构层，以降低其能隙，便于空穴迁移，提高电子空穴的复合；同时，设置第二Inx1N层的P型杂质浓度高于第一Inx1N层，使得厚度较薄的子结构层仍可以提供足够浓度的空穴；另外，本发明采用原子层沉积技术生长子结构层，从而获得厚度较薄，但质量较高的子结构层。

公开(公告)号：CN107808910A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710870742.3

申请日：2017-09-23

Applicant: 苏州思创源博电子科技有限公司

Inventor： 不公告发明人

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明公开了一种LED外延结构的制备方法，该方法本发明采用特殊工艺清洗的硅衬底，该硅衬底具有容易去除、抗辐射、热导率高、耐高温、化学性质较稳定、强度较高等优点，具有很高的可靠性，基于硅衬底的氮化镓纳米柱LED可广泛应用于高温器件；本发明方法形成的外延结构包括衬底，依次层叠形成在所述衬底的缓冲层、N型GaN层、InaGa1-aN/GaN电流扩展层、InbGa1-bN/IncGa1-cN发光层、InGaN/GaN多量子阱和P型GaN层，具有更大的发光面积，能有效避免效率骤降的问题，且能减少全反射损失；本发明采用渐变In组分的pInGaN导电层可以避免异质结界面势垒对空穴的阻挡作用，同时降低欧姆接触势垒高度，减小电压，进一步提高LED器件的光电转换效率。