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公开(公告)号:CN106981821B
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201710390852.X
申请日:2015-10-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/0085 , G02B6/4214 , G02B6/4224 , G02B6/4227 , G02B6/4239 , G02B6/4244 , G02B6/4265 , G02B6/4271 , G02B27/0955 , G02B27/141 , G02B27/30 , G02F1/2255 , G02F2001/212 , H01L2224/48091 , H01L2224/4903 , H01L2924/19107 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/02216 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02446 , H01S5/02476 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/0687 , H04B10/505 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开一种光学模块。该光学模块包括输出第一和第二CW光束的波长可调谐激光二极管(t‑LD)、通过调制第一CW光束产生第一输出光束的光调制器、对第二CW光束进行分束以产生被监测光束和第二输出光束的波长检测器、以及壳体。壳体的前壁中设置有第一和第二输出端口,波长检测器和t‑LD排列在第二输出端口的沿壳体两侧壁中的一个延伸的光轴上,光调制器排列在第一输出端口的沿壳体两侧壁中的另一个延伸的光轴上。光调制器具有输入端口、输出端口和信号焊盘,输入端口设置在光调制器的与两侧壁中的一个相对的一侧,输出端口设置在光调制器的与壳体的前壁相对的一侧,信号焊盘设置在光调制器的与壳体的后壁相对的一侧,信号焊盘提供包括高频分量的信号。
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公开(公告)号:CN108474918A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201780007379.0
申请日:2017-01-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: G02B6/4295 , G02B6/42 , H01S5/022 , H01S5/02476
Abstract: 在从子基座(5)的端部至预定的范围内形成非镀敷部(21)。非镀敷部(21)是未设置镀层(17)且子基座的母材露出的部位。中间层(13)形成于镀层(17)上。另外,在中间层(13)上形成镀层(19)。半导体激光器(11)形成于镀层(19)上。半导体激光器(11)的端部位置与镀层(19)(中间层13)的端部位置大致一致。即,即使在中间层(13)的端面与半导体激光器(11)的端面存在偏移的情况下,该偏移量也足够小于从子基座(5)的端面起的中间层(13)的缩回量。
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公开(公告)号:CN107887789A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201711463247.7
申请日:2017-12-28
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01S5/024
CPC classification number: H01S5/02476
Abstract: 本发明公开了一种半导体碟片激光器,在基底背面设置有密闭沟道,在该沟道内填充有预设体积的工作液,所述工作液的预设体积小于沟道的容积。当半导体碟片激光器正面受到泵浦光照射时,被泵浦光照射的区域会产生大量的热量。处在照射区域的沟道内的工作液会气化吸收热量,并且气化后的气体分子会沿着沟道的轴向方向迅速扩散。由于相变吸热和气相传热会极快的完成,通过上述结构可以使得半导体碟片激光器的散热面积从一个点变成了一个面,并且通过一个面继续向半导体碟片激光器的背面传热,会极大的增加半导体碟片激光器的横向散热面积以及纵向散热面积,从而有效降低半导体碟片激光器发光区域的热流密度,极大的增加半导体碟片激光器的散热速率。
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公开(公告)号:CN103178442B
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201210563102.5
申请日:2012-12-21
Applicant: 普林斯顿光电子学公司
CPC classification number: F21V29/74 , F21L4/02 , F21V29/56 , F21V29/65 , F21V29/67 , F21V29/70 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/141 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/4018 , H01S5/423 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及高速垂直腔表面发射激光器的表面封装。具体地,本发明提供一种光学照明器模块和光学照明器系统。该光学照明器模块包括:具有一大面积端子和第二端子的垂直腔表面发射激光器VCSEL。该光学照明器模块包括基底,包括彼此电隔离并位于第一表面上的第一和第二接合盘。VCSEL的大面积端子被接合到第一接合盘,使得VCSEL与基底热接触。第二端子被电连接到第二接合盘。第一和第二接合盘被电连接到位于基底的第二表面上的相应的第一和第二接合盘,基底的第二表面与基底的第一表面相对。在各种实施例中,照明器模块可以被配置为执行运动识别、手势识别、和三维感测中的至少一个。
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公开(公告)号:CN104350651B
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201380025414.3
申请日:2013-04-04
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/483 , H01L33/64 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01S5/0206 , H01S5/02212 , H01S5/0226 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体发光装置(300)具有:在表面有极性面或半极性面的氮化物半导体基板(201)上层叠氮化物半导体多层膜的氮化物半导体发光元件(310);和搭载该元件的搭载部(311)。氮化物半导体多层膜包含电子阻挡层(204)。电子阻挡层的晶格常数小于氮化物半导体基板的晶格常数。搭载部至少具有第1搭载部基材(311a)。第1搭载部基材位于搭载氮化物半导体发光元件一侧。第1搭载部基材的热膨胀系数小于氮化物半导体多层膜的热膨胀系数。第1搭载部基材的热传导率大于氮化物半导体多层膜的热传导率。
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公开(公告)号:CN106981821A
公开(公告)日:2017-07-25
申请号:CN201710390852.X
申请日:2015-10-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/0085 , G02B6/4214 , G02B6/4224 , G02B6/4227 , G02B6/4239 , G02B6/4244 , G02B6/4265 , G02B6/4271 , G02B27/0955 , G02B27/141 , G02B27/30 , G02F1/2255 , G02F2001/212 , H01L2224/48091 , H01L2224/4903 , H01L2924/19107 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/02216 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02446 , H01S5/02476 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/0687 , H04B10/505 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开一种光学模块。该光学模块包括输出第一和第二CW光束的波长可调谐激光二极管(t‑LD)、通过调制第一CW光束产生第一输出光束的光调制器、对第二CW光束进行分束以产生被监测光束和第二输出光束的波长检测器、以及壳体。壳体的前壁中设置有第一和第二输出端口,波长检测器和t‑LD排列在第二输出端口的沿壳体两侧壁中的一个延伸的光轴上,光调制器排列在第一输出端口的沿壳体两侧壁中的另一个延伸的光轴上。光调制器具有输入端口、输出端口和信号焊盘,输入端口设置在光学模块的与两侧壁中的一个相对的一侧,输出端口设置在光学模块的与壳体的前壁相对的一侧,信号焊盘设置在光学模块的与壳体的后壁相对的一侧,信号焊盘提供包括高频分量的信号。
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公开(公告)号:CN106471686A
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201580035005.0
申请日:2015-06-25
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
CPC classification number: H01S5/02476 , G01B11/22 , H01L33/642 , H01S5/022 , H01S5/02248 , H01S5/02469 , H01S5/4031 , H04N5/2251 , H04N5/2256
Abstract: 公开了涉及包括边缘发射激光二极管(EELD)的照明包的各种实现。在一实施例中,照明包包括包含底座和从底座延伸的桩的散热器、被配置以生成照明光的EELD,该EELD被安装到桩的侧表面、以及在与EELD隔开的位置处被耦合至底座的基底,该基底被电连接至EELD。
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公开(公告)号:CN105793979A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201380081242.1
申请日:2013-12-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01S5/02236 , H01L21/563 , H01L31/0232 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H01S5/0226 , H01S5/02476 , H01S5/18 , H01L2924/00
Abstract: 提供了对于高性能计算应用、数据中心中板到板、内存到CPU、用于芯片到芯片互连的开关/FPGA(现场可编程门阵列)以及存储器扩展中的光学数据传输有用的光电子封装组件。封装组件提供细间距的倒装芯片互连和具有良好热机械可靠性的芯片叠置组件。提供底部填充坝状物和光学悬突区域用于光学互连。
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公开(公告)号:CN101986179B
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201010238868.7
申请日:2010-07-28
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor: 普拉萨德·雅拉曼丘里 , 邱向东 , 瑞迪·拉贾 , 杰伊·A.·斯基德莫尔 , 迈克尔·阿尤 , 劳拉·扎瓦拉 , 理查德·L.·杜斯特博格
CPC classification number: G02B6/423 , H01L2224/48465 , H01S5/02216 , H01S5/02252 , H01S5/02276 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02476 , Y10T29/41
Abstract: 本发明涉及一种光纤耦合半导体器件,其相对于温度变化具有提高的光稳定性。该稳定性提高通过将固定半导体芯片和光纤的平台放置到安装于基座上的衬垫上实现。该衬垫的面积小于平台区域的面积,以使由于半导体器件的平台的变形而导致的基座的热诱导变形机械解耦。将光纤固定到光纤支架的垂直安装表面,并且再将光纤支架固定到半导体芯片的子支架,以进一步提高封装器件的热稳定性。
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公开(公告)号:CN104603626A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201380046158.6
申请日:2013-07-26
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 上山明纪
CPC classification number: G01R31/2886 , H01L2224/48091 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/02236 , H01S5/02476 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种试验装置,能够使用易于维护管理的夹具,进行质量不良判定时的损失为最小限度的试验。试验装置(20)针对的被试验体(1)是与基座(3)接合的半导体芯片(2),在装卸自如地配备于试验装置(20)的试验用夹具(10)中,在托架(11)上载置被试验体(1),将接触块(12)装卸自如地安装于托架(11),接触块(12)的接触部件与被试验体(1)电连接。在试验装置(20)中,控制保持被试验体(1)的试验用夹具(10)的温度环境,同时经由试验用夹具(10)的接触块(12)对由试验用夹具(10)保持的被试验体(1)供给用于驱动被试验体(1)的电力,测定响应于供电而驱动的被试验体(1)的驱动结果。
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