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公开(公告)号：CN103975490A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059153.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01S5/02469 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1064 , H01S5/2036 , H01S5/2054
Abstract: 提出一种具有下述特征的半导体激光二极管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距辐射耦合输出面(11)的间距相关地变化，其中导出热量的结构化的层(4)能够实现从有源区域(24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。
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公开(公告)号：CN102498625A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041692.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 , 京特·格伦宁格 , 克里斯蒂安·劳尔 , 哈拉尔德·柯尼希
CPC classification number: H01S5/20 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/34313 , H01S2301/16 , H01S2301/166
Abstract: 公开了一种具有产生辐射的有源区(1)和全波导(8)的边发射半导体激光器，所述半导体激光器适用于对在有源区(1)中所产生的辐射在半导体激光器之内进行引导。全波导(8)包括第一n掺杂层(4)和设置在第一n掺杂层(4)和有源区(1)之间的第二n掺杂层(5)，其中第二n掺杂层(5)的折射率n2以数值dn大于第一n掺杂层(4)的折射率n1。
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公开(公告)号：CN102498625B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201080041692.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 , 京特·格伦宁格 , 克里斯蒂安·劳尔 , 哈拉尔德·柯尼希
CPC classification number: H01S5/20 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/34313 , H01S2301/16 , H01S2301/166
Abstract: 公开了一种具有产生辐射的有源区(1)和全波导(8)的边发射半导体激光器，所述半导体激光器适用于对在有源区(1)中所产生的辐射在半导体激光器之内进行引导。全波导(8)包括第一n掺杂层(4)和设置在第一n掺杂层(4)和有源区(1)之间的第二n掺杂层(5)，其中第二n掺杂层(5)的折射率n2以数值dn大于第一n掺杂层(4)的折射率n1。
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公开(公告)号：CN109964375B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201780071378.2
申请日：2017-11-15
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01S5/32
Abstract: 提出一种半导体激光器(10)，所述半导体激光器具有有源区(1)和波导(2)，其中有源区具有有源层(13)，所述有源层在半导体激光器运行时构建用于产生电磁辐射。波导构建用于在半导体激光器内引导在半导体激光器运行时产生的电磁辐射。波导具有子区(210，220)，所述子区由化合物半导体材料形成，其中化合物半导体材料的一种材料的份额在整个子区中沿着竖直方向朝向有源区逐渐升高，由此子区的折射率朝向有源区逐渐减小。
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公开(公告)号：CN109964375A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780071378.2
申请日：2017-11-15
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01S5/32
Abstract: 提出一种半导体激光器(10)，所述半导体激光器具有有源区(1)和波导(2)，其中有源区具有有源层(13)，所述有源层在半导体激光器运行时构建用于产生电磁辐射。波导构建用于在半导体激光器内引导在半导体激光器运行时产生的电磁辐射。波导具有子区(210，220)，所述子区由化合物半导体材料形成，其中化合物半导体材料的一种材料的份额在整个子区中沿着竖直方向朝向有源区逐渐升高，由此子区的折射率朝向有源区逐渐减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104319625A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410563205.0
申请日：2010-08-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克里斯蒂安·劳尔 , 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
Abstract: 提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿半导体本体(10)的生长方向在波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，在半导体本体(10)中，构成有用于选择由有源层(3)所发射的激光辐射的横模的相结构(6)，其中相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，所述凹槽从半导体本体(10)的表面(5)延伸到第二包层(1B)中，由与第二包层(1B)的半导体材料不同的半导体材料所组成的至少一个第一中间层(11)嵌入到第二包层(1B)中，并且凹槽(7)从半导体本体(10)的表面(5)至少部分地延伸至第一中间层(11)中。
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公开(公告)号：CN104319625B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201410563205.0
申请日：2010-08-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克里斯蒂安·劳尔 , 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
Abstract: 提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿半导体本体(10)的生长方向在波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，在半导体本体(10)中，构成有用于选择由有源层(3)所发射的激光辐射的横模的相结构(6)，其中相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，所述凹槽从半导体本体(10)的表面(5)延伸到第二包层(1B)中，由与第二包层(1B)的半导体材料不同的半导体材料所组成的至少一个第一中间层(11)嵌入到第二包层(1B)中，并且凹槽(7)从半导体本体(10)的表面(5)至少部分地延伸至第一中间层(11)中。
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公开(公告)号：CN103975490B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280059153.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01S5/02469 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1064 , H01S5/2036 , H01S5/2054
Abstract: (24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向提出一种具有下述特征的半导体激光二极 和/或侧向方向变化。管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的
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公开(公告)号：CN102598440B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080049541.3
申请日：2010-08-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克里斯蒂安·劳尔 , 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯
CPC classification number: H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
Abstract: 提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿半导体本体(10)的生长方向在波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，在半导体本体(10)中，构成有用于选择由有源层(3)所发射的激光辐射的横模的相结构(6)，其中相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，所述凹槽从半导体本体(10)的表面(5)延伸到第二包层(1B)中，由与第二包层(1B)的半导体材料不同的半导体材料所组成的至少一个第一中间层(11)嵌入到第二包层(1B)中，并且凹槽(7)从半导体本体(10)的表面(5)至少部分地延伸至第一中间层(11)中。
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公开(公告)号：CN102598440A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049541.3
申请日：2010-08-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克里斯蒂安·劳尔 , 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯
CPC classification number: H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
Abstract: 提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿半导体本体(10)的生长方向在波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，在半导体本体(10)中，构成有用于选择由有源层(3)所发射的激光辐射的横模的相结构(6)，其中相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，所述凹槽从半导体本体(10)的表面(5)延伸到第二包层(1B)中，由与第二包层(1B)的半导体材料不同的半导体材料所组成的至少一个第一中间层(11)嵌入到第二包层(1B)中，并且凹槽(7)从半导体本体(10)的表面(5)至少部分地延伸至第一中间层(11)中。
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