公开(公告)号：CN105207053B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201510541116.0

申请日：2006-02-17

Applicant: 镁可微波技术有限公司

Inventor： A·A·贝希尔

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/323 ,  G02F1/17 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214

Abstract: 本发明公开了高可靠性的蚀刻小面光子器件。半导体光子器件表面被覆盖以电介质或金属保护层。保护层覆盖整个器件，包括在有源区小面附近的区域，以保护裸露或未经保护的半导体区，由此形成非常高可靠性蚀刻小面的光子器件。

公开(公告)号：CN109193338A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811289020.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 南京紫宇光电科技有限公司

Inventor： 樊海波 ,  母一宁 ,  张拓 ,  王帅 ,  母恩旗

IPC: H01S5/028 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01S5/0282 ,  C23C14/06 ,  C23C14/081 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器腔面镀钝化膜的方法，包括如下步骤：S1：将半导体激光芯片在空气中解理成腔长为500μm-2000μm的巴条；S2：将解理好的巴条固定到芯片镀膜专用夹具上并放入真空镀膜机，抽真空至真空镀膜机内压强低于1×10-4 Pa；S4：在巴条的腔面上蒸镀GaSe材料作为钝化薄膜层；S5：在巴条的前腔面上镀上增透腔面膜，在巴条的后腔面上镀上高反射腔面膜；S6：将镀好膜的器件再解理成单管，焊接到无氧铜热沉上。本发明的半导体激光器腔面镀钝化膜的方法，使用GaSe作为蒸镀钝化薄膜的材料，GaSe的禁带宽度大，达到了2.2eV。有效的防止电子和空穴扩散到表面发生复合，消除腔面的吸收，提高半导体激光器的光学镜面损伤阈值，延长半导体激光器的使用寿命。

公开(公告)号：CN103107481B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310049689.2

申请日：2008-12-17

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： A.莱利 ,  C.艾克勒 ,  W.施米德 ,  S.陶茨 ,  W.赖尔 ,  D.迪尼

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/1082 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1078 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/02 ,  H01S2301/166

Abstract: 一种激光源,其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。

公开(公告)号：CN103326233A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310088473.7

申请日：2013-03-19

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 乌韦·施特劳斯 ,  森克·陶茨 ,  艾尔弗雷德·莱尔 ,  卡斯滕·奥恩 ,  克莱门斯·菲尔海利希

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体（1），该壳体具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的安装部件（11），该安装部件沿着延伸方向（110）背离壳体部件（10）地延伸；和在安装部件（11）上的激光二极管芯片（2），所述激光二极管芯片在衬底（20）上具有半导体层（21，22，23，24，26），该半导体层具有用于放射光的有源层（23），其中壳体部件（10）和安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件（10）是钢包封的，并且在激光二极管芯片（2）与安装部件（11）之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层（3）。

公开(公告)号：CN102460865A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080028814.6

申请日：2010-05-26

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 东康弘 ,  原坂和宏

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/0042 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176 ,  H04N1/024

Abstract: 制造表面发射激光器元件的方法，该表面发射激光器元件包括具有发射区域的发光台地结构，该台地结构包括具有高反射率部分和低反射率部分的发射区域，所述方法包括：在衬底上形成包括下部反射镜、腔结构和上部反射镜的层叠体；在层叠体的上表面上形成与第一区域相同尺寸的第二区域；通过蚀刻第一区域和第二区域分别形成发光台地结构和监视台地结构；在发光台地结构和监视台地结构中形成包括由氧化物围绕的电流通过区域的限制结构；以及测量监视台地结构的电流通过区域的尺寸。

公开(公告)号：CN101868888A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880117257.8

申请日：2008-11-20

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 谷口英广 ,  行谷武 ,  片山悦治

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/318 ,  H01S5/028 ,  H01S5/16

CPC classification number: H01S5/16 ,  H01L21/02057 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/2068

Abstract: 一种在结构中包括半导体层和其上堆积的电介质层的半导体器件的制造方法，包括：半导体层形成步骤，形成半导体层；表面处理步骤，对于所述半导体层形成步骤中形成的所述半导体层的表面，实施用于除去残留碳化合物的表面处理；电介质膜形成步骤，在所述表面处理步骤中实施过表面处理的半导体层的表面的至少一部分，以对应于所述表面处理后的表面状态的堆积条件，形成电介质膜；热处理步骤，通过对所述电介质膜形成步骤中形成了电介质膜的所述半导体层实施热处理，使所述半导体层的至少一部分区域的结晶状态改变。由此，可以使电介质膜的作用充分发挥。

公开(公告)号：CN100581013C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200710096023.7

申请日：2007-04-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蛭川秀一 ,  岸本克彦

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34353 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了在高功率输出时能稳定工作而不损伤谐振腔端面的半导体激光装置及其制造方法，以及使用该半导体激光装置的光传输模块和光盘设备。一种半导体激光装置的制造方法，包括：形成至少具有半导体层以形成谐振腔端面的激光器晶片的激光器晶片形成步骤；在空气中解理该激光器晶片并形成具有该谐振腔端面的半导体激光元件的解理步骤；将该谐振腔端面与含氮气90-100体积%的含氮气气体接触至少一个小时的接触步骤；以及形成与该谐振腔端面接触的反射控制膜的反射控制膜形成步骤。

公开(公告)号：CN101453098A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810178899.0

申请日：2008-12-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川上俊之 ,  川口佳伸 ,  神川刚

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/028 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。在使用具有六方晶体结构的氮化物半导体的激光芯片1中，－c面被用作第一谐振器端面A，其为通过其光被发射得激光芯片1侧。在第一谐振器端面A上，也就是在－c面上，形成端面保护膜14。这确保在第一谐振器端面A和端面保护膜14之间稳固地接合，并减轻第一谐振器端面A的退化。

公开(公告)号：CN100463311C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200610142391.6

申请日：2006-10-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松山隆之 ,  小野村正明

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02224 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，其特征在于：具备氮化镓衬底和在上述氮化镓衬底上设置的包含发光层的氮化物半导体的多层膜，上述氮化镓衬底和上述多层膜分别构成由同一劈开面形成的激光出射侧端面和由同一劈开面形成的激光反射侧端面，在上述激光出射侧端面上设置了包含第1氮化硅层的第1膜，在上述激光反射侧端面上设置了包含第2氮化硅层和交替地层叠在上述第2氮化硅层上设置的氧化物层与氮化硅层的层叠膜的第2膜。

公开(公告)号：CN101232151A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810005122.4

申请日：2008-01-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川口佳伸 ,  神川刚

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/028 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种半导体激光器(10)包括在半导体发光部形成的用于调整反射率的涂布膜(31)，其中涂布膜(31)具有设定为满足R(d，n)＞R(d，n+0.01)和d＞λ/n的厚度，其中n表示涂布膜(31)对于激光发射波长λ的折射率，R(d，n)表示依据厚度d和折射率n的、所述发光部处的反射率。