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公开(公告)号：CN103975490B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280059153.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01S5/02469 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1064 , H01S5/2036 , H01S5/2054
Abstract: (24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向提出一种具有下述特征的半导体激光二极 和/或侧向方向变化。管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的
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公开(公告)号：CN110474230A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910393811.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 哈拉尔德·柯尼希 , 延斯·埃贝克 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 斯文·格哈德 , 克莱门斯·菲尔海利希
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体本体的光电子半导体器件，半导体本体包括第一传导类型的第一区域、设计用于产生电磁辐射的有源区域和第二传导类型的第二区域以及设置用于耦合输出电磁辐射的耦合输出面。第一区域、有源区域和第二区域沿着堆叠方向设置。有源区域从与耦合输出面相对置的后侧面沿着纵向方向延伸至耦合输出面，纵向方向横向于或垂直于堆叠方向伸展。耦合输出面平面平行于后侧面设置。半导体本体的耦合输出面和后侧面借助于蚀刻工艺产生。此外提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN103975490A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059153.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01S5/02469 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1064 , H01S5/2036 , H01S5/2054
Abstract: 提出一种具有下述特征的半导体激光二极管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距辐射耦合输出面(11)的间距相关地变化，其中导出热量的结构化的层(4)能够实现从有源区域(24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。
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公开(公告)号：CN102498625A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041692.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 , 京特·格伦宁格 , 克里斯蒂安·劳尔 , 哈拉尔德·柯尼希
CPC classification number: H01S5/20 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/34313 , H01S2301/16 , H01S2301/166
Abstract: 公开了一种具有产生辐射的有源区(1)和全波导(8)的边发射半导体激光器，所述半导体激光器适用于对在有源区(1)中所产生的辐射在半导体激光器之内进行引导。全波导(8)包括第一n掺杂层(4)和设置在第一n掺杂层(4)和有源区(1)之间的第二n掺杂层(5)，其中第二n掺杂层(5)的折射率n2以数值dn大于第一n掺杂层(4)的折射率n1。
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公开(公告)号：CN113991426A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111134840.3
申请日：2017-05-15
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01S5/22 , H01S5/30 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/3105 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01S5/20 , H01S5/223
Abstract: 提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片(100)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107394581A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710339165.5
申请日：2017-05-15
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L21/02636 , H01L21/3105 , H01L21/3247 , H01S5/2068 , H01S5/2077 , H01S5/222 , H01S5/223 , H01S2304/00 , H01S5/22 , H01S5/30
Abstract: 提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片(100)。
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公开(公告)号：CN102498625B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201080041692.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 , 京特·格伦宁格 , 克里斯蒂安·劳尔 , 哈拉尔德·柯尼希
CPC classification number: H01S5/20 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/34313 , H01S2301/16 , H01S2301/166
Abstract: 公开了一种具有产生辐射的有源区(1)和全波导(8)的边发射半导体激光器，所述半导体激光器适用于对在有源区(1)中所产生的辐射在半导体激光器之内进行引导。全波导(8)包括第一n掺杂层(4)和设置在第一n掺杂层(4)和有源区(1)之间的第二n掺杂层(5)，其中第二n掺杂层(5)的折射率n2以数值dn大于第一n掺杂层(4)的折射率n1。
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公开(公告)号：CN110474230B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910393811.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 哈拉尔德·柯尼希 , 延斯·埃贝克 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 斯文·格哈德 , 克莱门斯·菲尔海利希
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体本体的光电子半导体器件，半导体本体包括第一传导类型的第一区域、设计用于产生电磁辐射的有源区域和第二传导类型的第二区域以及设置用于耦合输出电磁辐射的耦合输出面。第一区域、有源区域和第二区域沿着堆叠方向设置。有源区域从与耦合输出面相对置的后侧面沿着纵向方向延伸至耦合输出面，纵向方向横向于或垂直于堆叠方向伸展。耦合输出面平面平行于后侧面设置。半导体本体的耦合输出面和后侧面借助于蚀刻工艺产生。此外提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102893466A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024049.5
申请日：2011-05-09
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01S5/042 , H01S5/0625 , H01S5/40
CPC classification number: H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种边缘发射的半导体激光器（1001），其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括适合于产生电磁辐射的有源区（5）；在所述有源区（5）上的至少两个小面（7），所述小面形成谐振器（55）；至少两个在侧向方向（100）上通过至少一个中间区域（22）彼此隔开的接触部位（2），所述接触部位安装在半导体本体（1）的外面（11）上。
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公开(公告)号：CN102893466B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180024049.5
申请日：2011-05-09
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01S5/042 , H01S5/0625 , H01S5/40
CPC classification number: H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种边缘发射的半导体激光器（1001），其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括适合于产生电磁辐射的有源区（5）；在所述有源区（5）上的至少两个小面（7），所述小面形成谐振器（55）；至少两个在侧向方向（100）上通过至少一个中间区域（22）彼此隔开的接触部位（2），所述接触部位安装在半导体本体（1）的外面（11）上。
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