公开(公告)号：CN115976499A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211657822.8

申请日：2022-12-22

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 吕亦乐 ,  张鸿鑫 ,  陈强 ,  谭灿健 ,  谢为芝

IPC: C23C18/06

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆单面化学镀的装置和方法，通过将两片晶圆的背面相对设置，然后在两片晶圆的背面之间设置环形保护膜；然后利用晶圆夹持组件夹持两片晶圆，使得所述环形保护膜紧密贴合在两片晶圆的背面，通过晶圆夹持组件的夹持使得晶圆背面被完全遮挡，避免了晶圆背面区域镀上目标金属；最后将夹持好的晶圆夹持组件放入目标金属镀液中对上述两片晶圆的正面同时进行单面化学镀，有利于提高化学镀的效率和节约成本；同时，本发明可以同时兼顾Taiko晶圆以及普通片厚晶圆，适应性更广；且本发明无需引进国外垄断的Taiko晶圆背面贴膜设备，也无需对现有的浸泡式化学镀设备进行任何调整和更换，极大地降低了晶圆单面化学镀的成本。

公开(公告)号：CN119361476A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411424817.1

申请日：2024-10-12

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 袁福全 ,  魏宏杰 ,  张鸿鑫 ,  谢为芝 ,  吕亦乐

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H05B3/20 ,  H05B3/02

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种加热装置。其中，加热装置包括：加热板，加热板的第一表面包括加热台面和围绕加热台面四周的第一环形台面，第一环形台面低于加热台面且与加热台面呈台阶结构；若干凸件，凸件位于加热台面上，用于在第一表面承托待加热件时，从加热台面向待加热件的方向进行导热。本发明提供的加热装置解决了待加热件的表面受热不均匀和工艺良品率低的问题，使得待加热件的表面受热均匀，且工艺良品率高。

公开(公告)号：CN117420735A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311404310.5

申请日：2023-10-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 袁福全 ,  张鸿鑫 ,  朱睿中 ,  吕亦乐 ,  李广

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种晶圆正面曝光装置及方法，该装置包括：曝光台；所述曝光台具有一支撑面；所述支撑面开设有真空吸附孔，所述支撑面还凹陷设置有一限位槽，所述限位槽环绕所述真空吸附孔的外侧设置，所述限位槽用于容置晶圆的taiko环，所述真空吸附孔用于产生负压，以使得所述晶圆贴附于所述支撑面。通过在曝光台的支撑面上开设限位槽，用于容置晶圆的taiko环，使得晶圆与曝光台之间的距离减小至晶圆贴附于支撑面，使得曝光台可通过真空吸附孔吸附住晶圆，使得晶圆表面平整，既减少在传输过程中晶圆传输偏移导致的晶圆表面曝光偏移的情况，又实现了对晶圆进行正面曝光的工艺。