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公开(公告)号：CN101320678B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200810135737.9
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分，合并了向上推动切割带的三个块，抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块，在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外，在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片，首先，同时向上推动三个块，然后，进一步向上推动中间块和内部块，最后，进一步向上推动内部块。
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公开(公告)号：CN100435301C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410058682.8
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/73215 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92147 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，以在装配半导体集成电路器件中，改善生产率。提供矩阵衬底，且半导体芯片被放置在第一加热平台上，然后，矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上，随后，在用第一加热平台直接加热芯片的情况下，用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键合，然后，暂时键合的矩阵衬底被放置在邻近第一加热平台的第二加热平台上，然后，在被第二加热平台直接加热的情况下，在第二加热平台上将半导体芯片热压键合到矩阵衬底。
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公开(公告)号：CN1599035A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410079704.9
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分，合并了向上推动切割带的三个块，抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块，在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外，在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片，首先，同时向上推动三个块，然后，进一步向上推动中间块和内部块，最后，进一步向上推动内部块。
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公开(公告)号：CN1534762A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410031904.7
申请日：2004-03-31
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/48 , H01L21/304 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 本发明给出半导体器件的制造方法，它能够快速剥离迭压在胶带上的极薄的芯片，而不会产生裂缝或碎片。振动器的头部与迭压了许多通过分离半导体晶片而得到的半导体芯片的胶带的背表面接触。通过施加频率1kHz到100kHz、幅度1μm到50μm的纵向振动，芯片被从胶带上剥离下来。在向胶带施加纵向振动时，对胶带施加水平方向的张力。
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公开(公告)号：CN101431036A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810169041.8
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/73215 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92147 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 在装配半导体集成电路器件中，要改善生产率。本发明提供一种制造半导体集成电路器件的方法，包含下列步骤：准备具有多个器件形成区域、并具有由有机材料构成的基底的有机布线衬底；准备具有形成有集成电路的主面和在与主面相反一侧的背面的多个半导体芯片；通过接合剂将多个半导体芯片以其主面一侧朝着有机布线衬底的方式暂时键合到上述多个器件形成区域；将暂时粘合着多个半导体芯片的有机布线衬底配置在加热平台上，使得多个半导体芯片的背面与加热平台相接触；利用加热平台以第一温度加热多个半导体芯片，并利用配置在有机布线衬底上方的加热夹具以低于第一温度的第二温度加热有机布线衬底，据此利用粘合剂将多个半导体芯片主键合到上述器件形成区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101335191A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810128606.8
申请日：2008-06-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/683 , H01L21/60 , H01L21/603
CPC classification number: H01L24/75 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在半导体集成电路装置的制造工序中，在组装工序的划片后的芯片的拾取工序中，由于迅速的芯片的薄膜化而使得降低拾取不良成为重要的课题。特别是，因剥离动作造成的芯片周边部的弯曲很有可能导致芯片的破裂、缺损。为了解决这些的课题的本申请发明是在通过吸引吸嘴真空吸附芯片以从划片带(粘接带)等剥离的情况下，通过监视吸引吸嘴的真空吸附系统的流量，来监视芯片从粘接带完全剥离以前的芯片的弯曲状态。
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公开(公告)号：CN101320678A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810135737.9
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分，合并了向上推动切割带的三个块，抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块，在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外，在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片，首先，同时向上推动三个块，然后，进一步向上推动中间块和内部块，最后，进一步向上推动内部块。
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公开(公告)号：CN100347845C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410031904.7
申请日：2004-03-31
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/48 , H01L21/304 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 本发明给出半导体器件的制造方法，它能够快速剥离叠压在胶带上的极薄的芯片，而不会产生裂缝或碎片。振动器的头部与叠压了许多通过分离半导体晶片而得到的半导体芯片的胶带的背表面接触。通过施加频率1kHz到100kHz、幅度1μm到50μm的纵向振动，芯片被从胶带上剥离下来。在向胶带施加纵向振动时，对胶带施加水平方向的张力。
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公开(公告)号：CN100495650C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200410079704.9
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分，合并了向上推动切割带的三个块，抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块，在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外，在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片，首先，同时向上推动三个块，然后，进一步向上推动中间块和内部块，最后，进一步向上推动内部块。
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公开(公告)号：CN101079374A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710107948.7
申请日：2007-05-18
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/00 , H01L21/78 , H01L21/50 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L21/68742 , H01L21/78 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/27436 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种可在接着面不产生空洞的情况下进行芯片接合的技术。由2个系统形成真空供给线路，该真空供给线路与设置在吸附夹盘105底面的吸附口连接，并且将用以真空吸附芯片1C的减压力供给于吸附夹盘105。即，形成将下述配管121及配管122连接于吸附夹盘105的结构；其中，配管121是当芯片1C自切割胶带上剥离，并移送到配线基板上的安装位置时，将作为吸附力的真空供给于吸附夹盘105；配管122是当芯片1C安装在配线基板上时，将作为吸附力的真空供给于吸附夹盘105。对供给于吸附夹盘105的真空(吸附力)的强度控制，是通过分别安装在配管121、122上的阀123、124的开闭动作来进行的。
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