-
公开(公告)号：CN117223089A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280028338.0
申请日：2022-03-23
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理方法具备：对基板的表面供给药液的工序(步骤S11)；在步骤S11之后，对基板的表面供给冲洗液的工序(步骤S12)；在步骤S12之后，使经过加热的干燥处理液接触至基板的表面的工序(步骤S14)；以及在步骤S14之后，从基板的表面去除干燥处理液，由此使基板干燥的工序(步骤S15)。干燥处理液的表面张力比冲洗液的表面张力低。干燥处理液的沸点比冲洗液的沸点高。在步骤S14中接触至基板的表面的干燥处理液的温度为冲洗液的沸点以上且小于干燥处理液的沸点的规定的接触温度。由此，能抑制干燥处理时的图案的倒塌。
-
公开(公告)号：CN117242546A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280030580.1
申请日：2022-04-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明的基板处理方法具有：将基板保持为水平姿势的工序；向基板的上表面供给处理液，并且使基板以铅垂轴为中心旋转，从而在基板的上表面形成处理液的液膜的工序(S103)；检测液膜的膜厚的工序(S104)；以及在膜厚的检测结果为规定的目标值的情况下，使等离子体产生源与基板的上表面相对地配置，并从等离子体产生源对液膜进行等离子体照射的工序(S106、S107)。根据本发明，能够抑制处理液的消耗量，并且能够良好地处理基板。
-
公开(公告)号：CN117174615A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311140487.9
申请日：2017-11-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 在供第一供给液及第二供给液分别流动的第一以及第二供给液管路(412、422)设置有第一以及第二浓度测定部(415、425)。第二供给液中的气体的溶解浓度比第一供给液低。第一以及第二分支管路(51、52)的一端分别连接于第一以及第二供给液管路中比浓度测定部更靠上游侧的位置。第一以及第二分支管路的另一端连接于混合部(57)，且混合第一以及供给液来生成处理液。基于第一以及第二浓度测定部的测定值来控制第一以及第二分支管路的流量调整部(58)，以使处理液中的气体的溶解浓度成为设定值。由此，能一边防止包含因浓度测定部所引起的颗粒等的供给液，包含在供给至基板的处理液中，一边能使处理液中的气体的溶解浓度高精度地调整至设定值。
-
公开(公告)号：CN109545704B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201810994507.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置。一种药液生成方法，生成用以对基板上所形成的膜进行处理的药液，所述药液生成方法包括气体溶解工序，所述气体溶解工序通过将含有氧气的含氧气体及含有惰性气体的含惰性气体供给至药液来使所述含氧气体及所述含惰性气体溶解至药液中，并且通过将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为与规定的目标溶解氧浓度相对应的混合比来调整药液的溶解氧浓度。
-
公开(公告)号：CN113308249B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110220598.5
申请日：2021-02-26
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113363180A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110243978.0
申请日：2021-03-05
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明的课题在于提高蚀刻轮廓的自由度。本发明的衬底处理方法包括如下工序：使衬底旋转；使用中央喷嘴向旋转的衬底的中央部喷出第1处理液；以及使用边缘喷嘴向旋转的衬底的边缘部喷出第2处理液，俯视时该边缘部包围着中央部；边缘喷嘴从相对于衬底的主表面倾斜的方向，顺着衬底的旋转方向喷出第2处理液，且边缘喷嘴向如下位置的衬底的边缘部喷出第2处理液，即，俯视时从连结衬底的中心和中央喷嘴的线，顺着衬底的旋转方向前进半周后的位置。
-
公开(公告)号：CN112631089A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010877538.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法以及基板处理装置。在基板(SB)上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜(LQ)。对液膜(LQ)照射等离子体(PL)。
-
公开(公告)号：CN110047776A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811633335.1
申请日：2018-12-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基于所需蚀刻量来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方。然后，基于所需蚀刻量以及所确定的设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方。使具有与所确定的设定气氛氧浓度一致或接近的氧浓度的低氧气体流入至容纳基板的腔室内。进一步，将按照溶解氧浓度与所确定的设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的蚀刻液供给至保持为水平的基板的整个上表面。
-
公开(公告)号：CN119852213A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510072039.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够适当地排出处理壳体的气体的开闭机构、切换机构以及衬底处理装置。衬底处理装置(1)具备处理壳体(23A1)、保持部(31)及液体供给部(33)。保持部(31)收容在处理壳体(23A1)中。保持部(31)保持衬底(W)。液体供给部(33)收容在处理壳体(23A1)中。液体供给部(33)对保持部(31)所保持的衬底(W)供给处理液。衬底处理装置(1)具备排气管(41A)、(42A)。排气管(41A)、(42A)分别配置在处理壳体(23A1)侧方。排气管(41A)、(42A)分别排出气体。衬底处理装置(1)具备切换机构(51A1)。切换机构(51A1)配置在与处理壳体(23A1)相同的高度位置。切换机构(51A1)将处理壳体(23A1)的排气通路切换为排气管(41A)、(42A)中的一个。
-
公开(公告)号：CN116097406A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180053024.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308
Abstract: 通过将碱性的第1蚀刻液供应给基板，而对表示单晶硅与多晶硅中的至少一者的蚀刻对象物施行蚀刻。在将第1蚀刻液供应给基板前或供应后，将碱性的第2蚀刻液供应给基板，而对蚀刻对象物施行蚀刻；该第2蚀刻液含有阻碍氢氧化物离子与蚀刻对象物接触的化合物，且对硅的(110)面、(100)面、及(111)面的蚀刻速度的最大值与最小值差比第1蚀刻液小，蚀刻速度的最大值比第1蚀刻液小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.036 seconds)
