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公开(公告)号：CN114982383A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080093531.3
申请日：2020-12-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H05H1/24 , H01L21/027 , H01L21/304 , A01G7/04
Abstract: 本发明的等离子产生装置具备电极群与介电质。介电质具有第1主面、及与第1主面为相反侧的第2主面。电极群由介电质密封，包含在与第1主面平行的排列面内交替排列的至少一个第1电极及至少一个第2电极，使通过在第1电极21a与第2电极21b之间施加高频电压而产生的电场，作用于比第1主面3a更外侧。
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公开(公告)号：CN114256060A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110980176.8
申请日：2021-08-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法。本发明的课题在于有效率地去除衬底上表面的抗蚀剂。本发明的衬底处理方法具备如下工序：对衬底的上表面供给处理液；使形成在衬底上表面的至少一部分上的处理液的液膜厚度为第1厚度，并且在大气压下对液膜进行等离子体处理；及使形成在衬底上表面的至少一部分上的处理液的液膜厚度为第2厚度，并且在大气压下对液膜进行等离子体处理；且第1厚度小于第2厚度。
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公开(公告)号：CN110402480A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880017000.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体。BCl3在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足-1200·X+290≤Vpp≤-1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。
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公开(公告)号：CN112631089A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010877538.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法以及基板处理装置。在基板(SB)上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜(LQ)。对液膜(LQ)照射等离子体(PL)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110692285A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880036677.7
申请日：2018-05-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种液体中等离子体发生装置，其使向液体中供给的气体产生等离子体，并高效且稳定地产生等离子体。液体中等离子体发生装置(3)具备：在内部空间保持液体的框体(31)；在内部空间内具有开口并从该开口向液体中排出气体的气体供给管(32)；从气体供给管(32)内经由开口向内部空间突出且该突出部位具有导体部(341)被电介质(342)覆盖的结构的第一电极(34)；围绕第一电极(34)的突出部位设置且具有通过电介质与液体隔离的导体部的第二电极(36)；以及向第一电极(34)和第二电极(36)之间施加电压的电压施加部(4)，突出部位和第二电极(36)之间的空间是供从开口排出的气体流通的流路。
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公开(公告)号：CN112631089B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202010877538.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法以及基板处理装置。在基板(SB)上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜(LQ)。对液膜(LQ)照射等离子体(PL)。
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公开(公告)号：CN110402480B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201880017000.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体。BCl3在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足‑1200·X+290≤Vpp≤‑1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。
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公开(公告)号：CN110692285B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201880036677.7
申请日：2018-05-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种液体中等离子体发生装置，其使向液体中供给的气体产生等离子体，并高效且稳定地产生等离子体。液体中等离子体发生装置(3)具备：在内部空间保持液体的框体(31)；在内部空间内具有开口并从该开口向液体中排出气体的气体供给管(32)；从气体供给管(32)内经由开口向内部空间突出且该突出部位具有导体部(341)被电介质(342)覆盖的结构的第一电极(34)；围绕第一电极(34)的突出部位设置且具有通过电介质与液体隔离的导体部的第二电极(36)；以及向第一电极(34)和第二电极(36)之间施加电压的电压施加部(4)，突出部位和第二电极(36)之间的空间是供从开口排出的气体流通的流路。
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公开(公告)号：CN113451124A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110198269.5
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。在使用等离子体去除抗蚀膜时，抑制对衬底造成的损伤并且不需要使用SPM。在等离子体处理(步骤S102)中，执行对抗蚀膜(R)的表面供给自由基(活性种)的自由基供给步序。然后，执行抗蚀剂去除步序，即，在自由基供给步序之后对存在于衬底(S)的正面(Sa)的抗蚀膜(R)供给低表面张力的有机溶剂，由此从衬底(S)的正面(Sa)去除抗蚀膜(R)(步骤S104)。
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