公开(公告)号：CN112631089A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202010877538.6

申请日：2020-08-27

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 堀越章 ,  中村昭平 ,  高辻茂 ,  河野元宏 ,  木村贵弘 ,  小林健司

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法以及基板处理装置。在基板(SB)上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜(LQ)。对液膜(LQ)照射等离子体(PL)。

公开(公告)号：CN112631089B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202010877538.6

申请日：2020-08-27

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 堀越章 ,  中村昭平 ,  高辻茂 ,  河野元宏 ,  木村贵弘 ,  小林健司

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法以及基板处理装置。在基板(SB)上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜(LQ)。对液膜(LQ)照射等离子体(PL)。

公开(公告)号：CN113451124A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110198269.5

申请日：2021-02-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 堀越章 ,  中村昭平 ,  高辻茂 ,  木村贵弘

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。在使用等离子体去除抗蚀膜时，抑制对衬底造成的损伤并且不需要使用SPM。在等离子体处理(步骤S102)中，执行对抗蚀膜(R)的表面供给自由基(活性种)的自由基供给步序。然后，执行抗蚀剂去除步序，即，在自由基供给步序之后对存在于衬底(S)的正面(Sa)的抗蚀膜(R)供给低表面张力的有机溶剂，由此从衬底(S)的正面(Sa)去除抗蚀膜(R)(步骤S104)。

公开(公告)号：CN114256060A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110980176.8

申请日：2021-08-25

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 堀越章 ,  上野美佳 ,  竹市弥生 ,  柳田隆明 ,  中西健二 ,  高辻茂 ,  木村贵弘

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法。本发明的课题在于有效率地去除衬底上表面的抗蚀剂。本发明的衬底处理方法具备如下工序：对衬底的上表面供给处理液；使形成在衬底上表面的至少一部分上的处理液的液膜厚度为第1厚度，并且在大气压下对液膜进行等离子体处理；及使形成在衬底上表面的至少一部分上的处理液的液膜厚度为第2厚度，并且在大气压下对液膜进行等离子体处理；且第1厚度小于第2厚度。

公开(公告)号：CN106574060A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580024485.0

申请日：2015-05-11

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 今川清水 ,  饭田健二 ,  木场繁夫 ,  富田裕介 ,  木村贵弘 ,  锹田豊

IPC: C08J5/18 ,  H05K1/03 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明提供一种电子设备等的制造方法，在剥离处理之前将支撑体和基底膜良好的粘接，在剥离处理后可以容易地剥离支撑体和基底膜。本发明的电子设备的制造方法，在基底膜上形成器件(83)，其中，作为基底膜，至少具有聚酰亚胺膜，所述电子设备的制造方法包括：工序(a)，将含有可溶性聚酰亚胺树脂、热固化性的交联材料及溶剂的聚酰亚胺清漆涂布于支撑体(81)上，并以超过聚酰亚胺树脂的玻璃化转变温度且低于交联材料的交联起始温度进行干燥而形成涂膜；工序(c)，在通过工序(a)得到的聚酰亚胺膜(82)上形成器件(83)；工序(b)，在促进所述交联材料的交联反应后，将经由工序(c)得到的聚酰亚胺膜(82)从支撑体(81)剥离。

公开(公告)号：CN114982383A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080093531.3

申请日：2020-12-16

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 堀越章 ,  中村昭平 ,  高辻茂 ,  木村贵弘

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  A01G7/04

Abstract: 本发明的等离子产生装置具备电极群与介电质。介电质具有第1主面、及与第1主面为相反侧的第2主面。电极群由介电质密封，包含在与第1主面平行的排列面内交替排列的至少一个第1电极及至少一个第2电极，使通过在第1电极21a与第2电极21b之间施加高频电压而产生的电场，作用于比第1主面3a更外侧。

公开(公告)号：CN106574060B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201580024485.0

申请日：2015-05-11

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 今川清水 ,  饭田健二 ,  木场繁夫 ,  富田裕介 ,  木村贵弘 ,  锹田豊

IPC: C08J5/18 ,  H05K1/03 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明提供一种电子设备等的制造方法，在剥离处理之前将支撑体和基底膜良好的粘接，在剥离处理后可以容易地剥离支撑体和基底膜。本发明的电子设备的制造方法，在基底膜上形成器件(83)，其中，作为基底膜，至少具有聚酰亚胺膜，所述电子设备的制造方法包括：工序(a)，将含有可溶性聚酰亚胺树脂、热固化性的交联材料及溶剂的聚酰亚胺清漆涂布于支撑体(81)上，并以超过聚酰亚胺树脂的玻璃化转变温度且低于交联材料的交联起始温度进行干燥而形成涂膜；工序(c)，在通过工序(a)得到的聚酰亚胺膜(82)上形成器件(83)；工序(b)，在促进所述交联材料的交联反应后，将经由工序(c)得到的聚酰亚胺膜(82)从支撑体(81)剥离。