公开(公告)号：CN113308249B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202110220598.5

申请日：2021-02-26

Applicant: 株式会社德山 ,  株式会社斯库林集团

Inventor： 清家吉贵 ,  东野诚司 ,  置盐真奈美 ,  小林健司 ,  根来世

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。

公开(公告)号：CN113308249A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110220598.5

申请日：2021-02-26

Applicant: 株式会社德山 ,  株式会社斯库林集团

Inventor： 清家吉贵 ,  东野诚司 ,  置盐真奈美 ,  小林健司 ,  根来世

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。

公开(公告)号：CN108351539B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN201680067489.1

申请日：2016-12-22

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 森力宏 ,  平连利光 ,  置盐真奈美

IPC: G02C7/10 ,  B32B27/00 ,  B32B27/36 ,  B32B27/42 ,  C08G18/10 ,  G02B5/23 ,  G02B5/30 ,  G02C7/12

Abstract: 本发明提供一对含有聚碳酸酯的光学片或膜经由偏光膜层和包含含有(I)聚氨酯脲树脂和(II)光致变色化合物的光致变色组合物的粘合层层叠而成的、具有优异的光致变色特性、粘合性、耐热性和耐汗性，而且与透镜基材的密合性优异的层叠体。

公开(公告)号：CN111542575A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201980007044.8

申请日：2019-01-30

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 置盐真奈美 ,  森力宏 ,  川端雄一郎

IPC: C09D183/00 ,  B32B27/00 ,  B32B27/20 ,  C09D5/00 ,  C09D7/20 ,  C09D7/61 ,  G02B1/14

Abstract: 一种用于形成硬涂膜的涂覆组合物，其包含：无机氧化物微粒(A)、含水解性基团的有机硅化合物(B)、水或酸水溶液(C)、固化催化剂(D)和有机溶剂(E)，前述无机氧化物微粒(A)相对于包含50质量％以上的氧化锆成分的第一无机氧化物微粒(A1)100质量份含有氧化铈微粒(A2)0.1质量份以上且90质量份以下。

公开(公告)号：CN111542575B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201980007044.8

申请日：2019-01-30

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 置盐真奈美 ,  森力宏 ,  川端雄一郎

IPC: C09D183/00 ,  B32B27/00 ,  B32B27/20 ,  C09D5/00 ,  C09D7/20 ,  C09D7/61 ,  G02B1/14

Abstract: 一种用于形成硬涂膜的涂覆组合物，其包含：无机氧化物微粒(A)、含水解性基团的有机硅化合物(B)、水或酸水溶液(C)、固化催化剂(D)和有机溶剂(E)，前述无机氧化物微粒(A)相对于包含50质量％以上的氧化锆成分的第一无机氧化物微粒(A1)100质量份含有氧化铈微粒(A2)0.1质量份以上且90质量份以下。

公开(公告)号：CN113243041A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201980083578.9

申请日：2019-12-09

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 置盐真奈美 ,  东野诚司 ,  清家吉贵

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种以TMAH等四级铵化合物为主剂的蚀刻液，该蚀刻液提高对硅的蚀刻速度，且蚀刻中不在蚀刻面形成附着物，而且即使长时间、连续使用蚀刻速度也不下降。本发明的硅蚀刻液的特征在于，包含下述式(1)所示的酚化合物、四级铵化合物以及水，所述硅蚀刻液的pH为12.5以上。(式中，R1为氢原子、羟基、烷基、烷氧基或氨基，R2为氢原子、羟基、烷氧基或氨基。R1与R2不同时为氢原子，R1为氢原子时R2不为羟基，R1为烷基或羟基时R2不为氢原子。)

公开(公告)号：CN108351539A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680067489.1

申请日：2016-12-22

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 森力宏 ,  平连利光 ,  置盐真奈美

IPC: G02C7/10 ,  B32B27/00 ,  B32B27/36 ,  B32B27/42 ,  C08G18/10 ,  G02B5/23 ,  G02B5/30 ,  G02C7/12

CPC classification number: B32B27/00 ,  B32B27/36 ,  B32B27/42 ,  C08G18/10 ,  G02B5/23 ,  G02B5/30 ,  G02C7/10 ,  G02C7/12

Abstract: 本发明提供一对含有聚碳酸酯的光学片或膜经由偏光膜层和包含含有(I)聚氨酯脲树脂和(II)光致变色化合物的光致变色组合物的粘合层层叠而成的、具有优异的光致变色特性、粘合性、耐热性和耐汗性，而且与透镜基材的密合性优异的层叠体。