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公开(公告)号：CN113308249B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110220598.5
申请日：2021-02-26
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
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公开(公告)号：CN111518562A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010080739.3
申请日：2020-02-05
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法。本发明提供一种硅蚀刻液，其能抑制药液中的溶解氧量的影响，能与溶解氧浓度无关地进行同样的蚀刻处理。一种硅蚀刻液，是包含四烷基氢氧化铵、水的混合液，所述硅蚀刻液包含下述式(1)所示的化合物。R1O－(CmH2mO)n－R2 (1)(式中，R1为氢原子或碳原子数1～3的烷基，R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基，m为整数2～6，n为1或2。)。
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公开(公告)号：CN113308249A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110220598.5
申请日：2021-02-26
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
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公开(公告)号：CN109155247B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201780026979.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 基板处理装置包括：处理腔室；基板保持单元，配置在所述处理腔室内，用于保持基板；第一喷嘴，具有用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体的喷出口。在基板处理装置中执行：第一处理步骤，将第一药剂流体从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出，对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；第二处理步骤，将第二药剂流体供给至所述基板的主面，对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及水置换步骤，在所述第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以水置换所述药剂流体配管的内部。
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公开(公告)号：CN109545704B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201810994507.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置。一种药液生成方法，生成用以对基板上所形成的膜进行处理的药液，所述药液生成方法包括气体溶解工序，所述气体溶解工序通过将含有氧气的含氧气体及含有惰性气体的含惰性气体供给至药液来使所述含氧气体及所述含惰性气体溶解至药液中，并且通过将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为与规定的目标溶解氧浓度相对应的混合比来调整药液的溶解氧浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110047776A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811633335.1
申请日：2018-12-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基于所需蚀刻量来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方。然后，基于所需蚀刻量以及所确定的设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方。使具有与所确定的设定气氛氧浓度一致或接近的氧浓度的低氧气体流入至容纳基板的腔室内。进一步，将按照溶解氧浓度与所确定的设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的蚀刻液供给至保持为水平的基板的整个上表面。
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公开(公告)号：CN113728416B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202080028876.0
申请日：2020-04-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 将含有水的漂洗液供给至衬底的上表面。将衬底的上表面上的漂洗液置换成第1液体。将衬底的上表面上的第1液体置换成第2液体。将衬底的上表面上的第2液体除去，由此使衬底干燥。第2液体在水中的溶解度小于第1液体在水中的溶解度。第2液体的表面张力低于第1液体的表面张力。第2液体的比重大于第1液体的比重。第2液体的沸点为室温以上，从第2液体的沸点减去室温而得的值为室温以下。
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公开(公告)号：CN110047776B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201811633335.1
申请日：2018-12-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基于所需蚀刻量来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方。然后，基于所需蚀刻量以及所确定的设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方。使具有与所确定的设定气氛氧浓度一致或接近的氧浓度的低氧气体流入至容纳基板的腔室内。进一步，将按照溶解氧浓度与所确定的设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的蚀刻液供给至保持为水平的基板的整个上表面。
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公开(公告)号：CN115989564A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052201.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306
Abstract: 在基板W上形成有凹部95。凹部95的宽度比凹部95的深度短。在侧面95s的上部的至少一部分以及侧面95s的下部的至少一部分露出表示单晶硅、多晶硅以及非晶硅中的至少一个的蚀刻对象物。通过将溶解了非活性气体的碱性的第一蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。通过在第一蚀刻液被供给至基板W之前或者在第一蚀刻液被供给至基板W之后将溶解了溶解气体且溶氧浓度比第一蚀刻液高的碱性的第二蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN114695185A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111570262.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置具备：旋转夹盘，保持衬底；及流体喷嘴，与保持在所述旋转夹盘的衬底的主面对向配置。所述流体喷嘴包含：气体喷出口，从所述衬底的主面的中心侧朝周缘侧放射状喷出气体；及气体流路，对所述气体喷出口供给气体，且具有沿相对于所述衬底的主面交叉的方向的筒形状。所述气体流路具有：气体积存部，流路剖面积大于所述气体流路中的其它部位；及整流构造，在所述气体流路中设置在与所述气体积存部不同的部分，将所述气体流路内的气流整流。
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