公开(公告)号：CN117223089A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280028338.0

申请日：2022-03-23

Applicant: 株式会社斯库林集团 ,  大金工业株式会社

Inventor： 石津岳明 ,  小林健司 ,  太田乔 ,  並川敬 ,  细田一辉

IPC: H01L21/304

Abstract: 基板处理方法具备：对基板的表面供给药液的工序(步骤S11)；在步骤S11之后，对基板的表面供给冲洗液的工序(步骤S12)；在步骤S12之后，使经过加热的干燥处理液接触至基板的表面的工序(步骤S14)；以及在步骤S14之后，从基板的表面去除干燥处理液，由此使基板干燥的工序(步骤S15)。干燥处理液的表面张力比冲洗液的表面张力低。干燥处理液的沸点比冲洗液的沸点高。在步骤S14中接触至基板的表面的干燥处理液的温度为冲洗液的沸点以上且小于干燥处理液的沸点的规定的接触温度。由此，能抑制干燥处理时的图案的倒塌。

公开(公告)号：CN113448307B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202110205886.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 脇田明日香 ,  泽崎尚树 ,  太田乔

IPC: G05B23/02 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08 ,  G06N20/00 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种学习完成的模型生成方法、异常主要原因推定装置、基板处理装置、异常主要原因推定方法、学习方法、学习装置以及学习数据制作方法。学习完成的模型生成方法包括：获取学习数据的步骤；以及通过对学习数据进行机器学习从而生成学习完成的模型的步骤，所述学习完成的模型推定经处理流体处理后的处理对象基板的异常的主要原因。学习数据包含特征量及异常主要原因信息。异常主要原因信息表示经处理流体处理后的学习对象基板的异常的主要原因。特征量包含表示时序数据中的区间数据的时间推移的特征的、第一特征量信息，所述时序数据表示利用处理流体对学习对象基板进行处理的基板处理装置使用的物体的物理量。第一特征量信息由时间表示。

公开(公告)号：CN112542399B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010823747.2

申请日：2020-08-17

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 中泽和彦 ,  高山祐一 ,  森冈利仁 ,  蒲裕充 ,  佐藤卓也 ,  日野出大辉 ,  菊本宪幸 ,  坂田健典 ,  太田乔

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够合适地处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置(1)。基板处理方法具有向由固定销(103)在比第一板(101)的上表面(102)更靠上方的位置支撑的基板(W)供给处理液的步骤(S39)。在向基板(W)供给处理液的步骤(S39)中，从第一吹出口(105)向上方吹出气体，并且从第二吹出口(106)向上方吹出气体。第一吹出口(105)形成于第一板(101)的上表面(102)的中央部。第二吹出口(105)形成于第一板(101)的上表面(102)的周缘部。第二吹出口(106)以比第一吹出口(105)大的流量吹出气体。

公开(公告)号：CN113053728B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202011545248.8

申请日：2020-12-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 阿部博史 ,  太田乔 ,  石津岳明 ,  小林健司 ,  村元僚 ,  根来世 ,  奥谷学 ,  酒井渉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。

公开(公告)号：CN110071055B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201811531441.9

申请日：2018-12-14

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 武明励 ,  林昌之 ,  太田乔

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理方法对基板(W)进行处理。基板处理方法包含：利用磷酸液(Lp)对基板(W)进行处理的步骤、利用淋洗液(Lr)对基板(W)进行处理的步骤及利用含有氨的药液(Lc)对基板(W)进行处理的步骤。在利用淋洗液(Lr)对基板(W)进行处理后，利用药液(Lc)对基板(W)进行处理的步骤从利用磷酸液(Lp)对基板(W)进行了处理时形成在基板(W)上的磷扩散区域(PD)中去除磷扩散区域(PD)的深度方向上的一部分的厚度的膜。

公开(公告)号：CN114551304A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210184346.6

申请日：2018-05-17

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 太田乔 ,  相原友明 ,  林昌之 ,  奥田次郎 ,  山田邦夫

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板处理装置，具备：基板保持单元，将基板保持为水平；处理液供给单元，具有喷出处理液的处理液喷嘴，向基板的上表面供给处理液；移动单元，使处理液供给单元在处理液喷嘴与基板的上表面相对的处理位置和处理液喷嘴从与基板的上表面相对的位置退避的退避位置之间移动，处理液供给单元具有：第一流路，形成于处理液喷嘴，在处理液供给单元位于处理位置的状态下，一端部与基板的中央区域相对且另一端部与基板的外周区域相对；第二流路，从第一流路的一端部折返延伸，向第一流路的一端部供给处理液；多个喷出口，形成于处理液喷嘴，沿着第一流路延伸的方向排列，向基板的上表面喷出第一流路内的处理液。

公开(公告)号：CN108630569B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201810159654.7

申请日：2018-02-26

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 阿部博史 ,  奥谷学 ,  太田乔 ,  吉原直彦

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明的目的在于，在加热器与附着有处理液的基板的下表面接触加热时防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。基板处理装置(1)的旋转基座(21)具备把持基板W的周缘的多个卡盘销(20)。加热器主体(60)配置在旋转基座(21)与由卡盘销(20)把持的基板(W)之间。在加热器主体(60)的上表面设置有多个气体嘴(61)。气体嘴(61)与非活性气体供给机构(68)和抽吸机构(69)连通，通过从气体嘴(61)喷出非活性气体来防止向加热器主体(60)下落的处理液进入气体嘴(61)，通过由气体嘴(61)抽吸能够使基板(W)均匀地吸附于加热器主体(60)的上表面。由此，防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。

公开(公告)号：CN109545706B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN201811083916.2

申请日：2018-09-17

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 阿部博史 ,  奥谷学 ,  太田乔

IPC: H01L21/67 ,  B05C9/14 ,  B05D1/00 ,  B05D3/02

Abstract: 本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。本发明的课题在于提供一种能够提高改变衬底表面的化学性质的改性处理液的反应性的技术。本发明的解决手段为对衬底W的表面进行处理的衬底处理方法，其包括下述工序：(a)一边使衬底W旋转一边向该衬底W的表面供给IPA并进行处理的第一溶剂供给工序S4；和(b)在第一溶剂供给工序S4之后供给硅烷化液体从而形成液膜的改性处理液供给工序S5；和(c)在第一溶剂供给工序S4及改性处理液供给工序S5中加热衬底W的工序。所述工序(c)为在改性处理液供给工序S5中对衬底W施加的每单位时间的热量H2大于在第一溶剂供给工序S4中对衬底W施加的每单位时间的热量H1的工序。

公开(公告)号：CN107871691B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201710850685.2

申请日：2017-09-20

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 吉原直彦 ,  奥谷学 ,  太田乔 ,  阿部博史

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能由有机溶剂良好地处理基板，并使基板良好地干燥的基板处理方法和装置。该方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；基板旋转工序，使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转；液膜形成工序，向基板的上表面供给处理上表面的第一有机溶剂，在上表面形成第一有机溶剂的液膜；蒸气供给工序，向具有与基板的下表面相向的相向面的加热器单元的相向面和下表面之间的空间，供给第二有机溶剂的蒸气；基板加热工序，与基板旋转工序和液膜形成工序并行，由第二有机溶剂的蒸气加热旋转状态的基板；基板干燥工序，在基板加热工序后，从基板排除第一有机溶剂的液膜，使基板停止旋转，在将基板与加热器单元接触的状态下，使基板的上表面干燥。

公开(公告)号：CN111886677A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201880090875.1

申请日：2018-12-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 太田乔 ,  林昌之 ,  奥田次郎 ,  中岛章宏

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

Abstract: 基板处理装置(100)包括温度检测部(17)及控制部(30)。温度检测部(17)在预分配处理执行中的处理液的温度到达目标温度(Tt)之前，对处理液的温度进行检测。控制部(30)基于目标温度预测时间(tP)，来设定预分配处理中的处理液的喷出停止时间。目标温度预测时间(tP)是指处理液的温度自检测温度(Td)起到达目标温度(Tt)为止的预测时间。检测温度(Td)是指通过温度检测部(17)在到达目标温度(Tt)之前检测出的处理液的温度。目标温度预测时间(tP)是基于温度分布图(PF)而定。温度分布图(PF)是指过去依照预分配处理条件执行预分配处理时的处理液的温度的时间推移的记录。