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公开(公告)号：CN109545704A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201810994507.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置。一种药液生成方法，生成用以对基板上所形成的膜进行处理的药液，所述药液生成方法包括气体溶解工序，所述气体溶解工序通过将含有氧气的含氧气体及含有惰性气体的含惰性气体供给至药液来使所述含氧气体及所述含惰性气体溶解至药液中，并且通过将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为与规定的目标溶解氧浓度相对应的混合比来调整药液的溶解氧浓度。
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公开(公告)号：CN109545704B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201810994507.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置。一种药液生成方法，生成用以对基板上所形成的膜进行处理的药液，所述药液生成方法包括气体溶解工序，所述气体溶解工序通过将含有氧气的含氧气体及含有惰性气体的含惰性气体供给至药液来使所述含氧气体及所述含惰性气体溶解至药液中，并且通过将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为与规定的目标溶解氧浓度相对应的混合比来调整药液的溶解氧浓度。
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公开(公告)号：CN110073472A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201780077433.9
申请日：2017-11-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板处理方法，包含：药液供给步骤，将含有离子的药液供给至基板的表面；低纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤之后执行，并将含有杂质的低纯度冲洗液供给至所述基板的表面，所述杂质通过与所述药液所含有的所述离子相互作用而形成析出物；以及高纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤与所述低纯度冲洗液供给步骤之间执行，将所含有的所述杂质的量比所述低纯度冲洗液少的高纯度冲洗液供给至所述基板的表面。
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公开(公告)号：CN107634015B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201710565095.5
申请日：2017-07-12
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 一种基板处理装置，具有：筒状的挡板，其接住从旋转夹具向外侧飞散的液体；环状的杯，其用接液槽接住被挡板向下方引导的液体；挡板升降单元，其使挡板沿上下方向移动；清洗液供给单元，其将从冲洗液喷嘴喷出的纯水经由旋转夹具和挡板向接液槽供给；清洗液排出单元，其排出接液槽内的纯水；控制装置，其通过控制清洗液供给单元和清洗液排出单元，来在接液槽中积存纯水，通过控制挡板升降单元，来使筒状部的下端部浸渍于接液槽内的纯水中。
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公开(公告)号：CN108172529A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711237826.X
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供能抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差的基板处理方法和装置。基板处理方法对多张基板依次实施共同的共同蚀刻处理，共同蚀刻处理具有：蚀刻工序，通过向共同配管供给第一液温的蚀刻液，并从喷嘴喷出蚀刻液，对基板进行蚀刻；高温液体喷出工序，在蚀刻工序之后向共同配管供给具有高于第一液温的液温的高温液体，并从喷嘴喷出高温液体，基板处理方法还包括配管升温工序，在配管升温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使共同配管的管壁升温至高于第一液温的规定的第二液温，在各共同蚀刻处理中，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前不进行使共同配管的管壁降温的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107799438A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710755442.0
申请日：2017-08-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
CPC classification number: H01L21/67051 , B05B1/02 , B05B15/55 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/6715 , H01L21/67017 , B08B3/02 , B08B3/08
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置和喷嘴清洗方法，该基板处理装置的控制装置执行：液柱形成工序，在旋转夹具没有保持基板时，通过使下面喷嘴喷出清洗液，形成从下面喷嘴向上方延伸的液柱；以及，第一下垂部清洗工序，与液柱形成工序并行地执行，通过使上面喷嘴在上面喷嘴的下垂部没有接触液柱的第一位置和上面喷嘴的下垂部没有接触液柱的第二位置之间沿着水平方向往返，使上面喷嘴经过第一中间位置，所述第一中间位置指，在俯视时上面喷嘴的上喷出口与液柱重叠的位置。
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公开(公告)号：CN107658242A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710618997.0
申请日：2017-07-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: B08B3/14 , B08B3/08 , H01L21/02052 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/68764 , H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及基板处理方法及装置，基板处理方法由基板处理装置执行，装置包括：回收杯，划分出引导使用过的药液的回收空间，回收配管，回收引导至回收空间的药液，排液配管，排出液体，切换单元，将液体在回收配管和排液配管间切换，方法包括：药液供给工序，向基板供给药液；经过期间测量工序，测量结束后经过期间；回收工序，在开始执行药液供给工序的情况下，在结束后经过期间小于第一期间时，将切换单元控制为，将液体向回收配管引导的回收导出状态；排液工序，在开始执行药液供给工序的情况下，在结束后经过期间为第一期间以上时，将切换单元控制为，将液体向排液配管引导的排液导出状态，并根据排液结束条件的成立，切换到回收导出状态。
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公开(公告)号：CN107871692B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201710858481.3
申请日：2017-09-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能防止或抑制清洗液进入到药液回收配管，并能降低清洗用药液的消耗量的回收配管清洗方法及基板处理装置。该方法为清洗回收配管的方法，在基板处理中使用过的药液经由处理杯引导至回收配管，回收配管将引导至该回收配管的药液向预先设定的药液回收配管引导，包括：配管清洗工序，通过对回收配管供应清洗液并且将被引导至回收配管的液体引导至与药液回收配管不同的排液配管，从而用清洗液清洗所述回收配管内；清洗用药液供应工序，配管清洗工序后，为了将回收配管内存在的清洗液替换为与药液同种的清洗用药液，将被引导至回收配管的液体引导至所述排液配管，并且对回收配管供应来自与回收配管相连的清洗用药液供应配管的清洗用药液。
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公开(公告)号：CN108172529B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201711237826.X
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差的基板处理方法和装置。基板处理方法对多张基板依次实施共同的共同蚀刻处理，共同蚀刻处理具有：蚀刻工序，通过向共同配管供给第一液温的蚀刻液，并从喷嘴喷出蚀刻液，对基板进行蚀刻；高温液体喷出工序，在蚀刻工序之后向共同配管供给具有高于第一液温的液温的高温液体，并从喷嘴喷出高温液体，基板处理方法还包括配管升温工序，在配管升温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使共同配管的管壁升温至高于第一液温的规定的第二液温，在各共同蚀刻处理中，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前不进行使共同配管的管壁降温的工序。
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公开(公告)号：CN107799438B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201710755442.0
申请日：2017-08-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置和喷嘴清洗方法，该基板处理装置的控制装置执行：液柱形成工序，在旋转夹具没有保持基板时，通过使下面喷嘴喷出清洗液，形成从下面喷嘴向上方延伸的液柱；以及，第一下垂部清洗工序，与液柱形成工序并行地执行，通过使上面喷嘴在上面喷嘴的下垂部没有接触液柱的第一位置和上面喷嘴的下垂部没有接触液柱的第二位置之间沿着水平方向往返，使上面喷嘴经过第一中间位置，所述第一中间位置指，在俯视时上面喷嘴的上喷出口与液柱重叠的位置。
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