公开(公告)号：CN117242546A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280030580.1

申请日：2022-04-26

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 柴田秀一 ,  石津岳明 ,  西出基 ,  小林健司

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明的基板处理方法具有：将基板保持为水平姿势的工序；向基板的上表面供给处理液，并且使基板以铅垂轴为中心旋转，从而在基板的上表面形成处理液的液膜的工序(S103)；检测液膜的膜厚的工序(S104)；以及在膜厚的检测结果为规定的目标值的情况下，使等离子体产生源与基板的上表面相对地配置，并从等离子体产生源对液膜进行等离子体照射的工序(S106、S107)。根据本发明，能够抑制处理液的消耗量，并且能够良好地处理基板。

公开(公告)号：CN117916861A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280059831.9

申请日：2022-05-19

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 柴田秀一 ,  石津岳明 ,  藤田直人

IPC: H01L21/306 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供使抗蚀剂的剥离能力提高的技术。基板处理方法具有：保持工序(S1)，使保持部(1)保持设置有抗蚀剂的基板(W)；第一等离子体处理工序(S2)，对被保持部(1)保持的基板(W)照射等离子体；液膜形成工序(S3)，在进行第一等离子体处理工序后，在被保持部(1)保持的基板(W)形成处理液的液膜；第二等离子体处理工序(S5)，在进行液膜形成工序后，对被保持部(1)保持的基板(W)照射等离子体；以及冲洗工序(S6)，在进行第二等离子体处理工序后，从被保持部(1)保持的基板(W)冲洗掉液膜。