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公开(公告)号：CN108027236B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201680054552.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 株式会社斯库林集团 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供一种在锂离子电池的制造工序中，以非接触的方式进行膜的膜厚检查的技术，该膜包括形成于集电体的活性物质材料。膜厚测量装置(1)具有：太赫兹波照射部(10)，向样品(9)照射太赫兹波(LT1)；反射波检测部(30A)，具有用于检测被样品(9)反射的太赫兹波(LT1)的反射波(LT3)的光传导开关(34A)。膜厚测量装置(1)具有：时间差获取模块(509)，获取由反射波检测部(30A)检测出的反射波(LT3)中的表面反射波(LT31)与界面反射波(LT32)到达光传导开关(34A)的时间差(Δt)，该表面反射波(LT31)是被样品(9)的活性物质膜(91)的表面反射的波，该界面反射波(LT32)是被样品(9)的活性物质膜(91)与集电体(93)的界面反射的波；膜厚计算部(511)，基于时间差(Δt)及活性物质膜(91)的折射率(nS)来计算活性物质膜(91)的膜厚(d)。
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公开(公告)号：CN110402480A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880017000.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体。BCl3在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足-1200·X+290≤Vpp≤-1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。
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公开(公告)号：CN108027236A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054552.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 株式会社斯库林集团 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供一种在锂离子电池的制造工序中，以非接触的方式进行膜的膜厚检查的技术，该膜包括形成于集电体的活性物质材料。膜厚测量装置(1)具有：太赫兹波照射部(10)，向样品(9)照射太赫兹波(LT1)；反射波检测部(30A)，具有用于检测被样品(9)反射的太赫兹波(LT1)的反射波(LT3)的光传导开关(34A)。膜厚测量装置(1)具有：时间差获取模块(509)，获取由反射波检测部(30A)检测出的反射波(LT3)中的表面反射波(LT31)与界面反射波(LT32)到达光传导开关(34A)的时间差(Δt)，该表面反射波(LT31)是被样品(9)的活性物质膜(91)的表面反射的波，该界面反射波(LT32)是被样品(9)的活性物质膜(91)与集电体(93)的界面反射的波；膜厚计算部(511)，基于时间差(Δt)及活性物质膜(91)的折射率(nS)来计算活性物质膜(91)的膜厚(d)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112631089B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202010877538.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法以及基板处理装置。在基板(SB)上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜(LQ)。对液膜(LQ)照射等离子体(PL)。
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公开(公告)号：CN110402480B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201880017000.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体。BCl3在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足‑1200·X+290≤Vpp≤‑1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。
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公开(公告)号：CN110692285B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201880036677.7
申请日：2018-05-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种液体中等离子体发生装置，其使向液体中供给的气体产生等离子体，并高效且稳定地产生等离子体。液体中等离子体发生装置(3)具备：在内部空间保持液体的框体(31)；在内部空间内具有开口并从该开口向液体中排出气体的气体供给管(32)；从气体供给管(32)内经由开口向内部空间突出且该突出部位具有导体部(341)被电介质(342)覆盖的结构的第一电极(34)；围绕第一电极(34)的突出部位设置且具有通过电介质与液体隔离的导体部的第二电极(36)；以及向第一电极(34)和第二电极(36)之间施加电压的电压施加部(4)，突出部位和第二电极(36)之间的空间是供从开口排出的气体流通的流路。
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公开(公告)号：CN112631089A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010877538.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法以及基板处理装置。在基板(SB)上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜(LQ)。对液膜(LQ)照射等离子体(PL)。
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公开(公告)号：CN110692285A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880036677.7
申请日：2018-05-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种液体中等离子体发生装置，其使向液体中供给的气体产生等离子体，并高效且稳定地产生等离子体。液体中等离子体发生装置(3)具备：在内部空间保持液体的框体(31)；在内部空间内具有开口并从该开口向液体中排出气体的气体供给管(32)；从气体供给管(32)内经由开口向内部空间突出且该突出部位具有导体部(341)被电介质(342)覆盖的结构的第一电极(34)；围绕第一电极(34)的突出部位设置且具有通过电介质与液体隔离的导体部的第二电极(36)；以及向第一电极(34)和第二电极(36)之间施加电压的电压施加部(4)，突出部位和第二电极(36)之间的空间是供从开口排出的气体流通的流路。
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