公开(公告)号：CN115117169A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110861494.2

申请日：2021-07-29

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 松下宪一 ,  安原纪夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40

Abstract: 实施方式的半导体装置设定有单元区域和终端区域，并具备：第一电极；半导体部，设置在第一电极上的半导体部；绝缘膜，在终端区域中设置在半导体部上；多个第二电极，设置在绝缘膜上，当从上方观察时在从半导体部的中心朝向外周的第一方向排列并相互分离；第一浮动电极，设置在绝缘膜中，当从上方观察时与多个第二电极中的相邻的一对第二电极的间隙重叠，并隔着绝缘膜与一对第二电极中的一方对置；以及第二浮动电极，以与第一浮动电极分离的方式设置在绝缘膜中，当从上方观察时在间隙内与第一浮动电极重叠，与第一浮动电极重叠的部分位于在第一浮动电极中与间隙重叠的部分的下方，并隔着绝缘膜与一对第二电极中的另一方对置。

公开(公告)号：CN100514670C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200410101189.X

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村和敏 ,  安原纪夫 ,  末代知子 ,  松下宪一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/00 ,  H01L29/78 ,  H02M3/00

CPC classification number: H02M3/158 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H02M1/08 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包含功率MOSFET和驱动该晶体管的驱动电路的、适用于高速转换的非绝缘型DC-DC转换器。半导体装置具备高端开关元件、驱动电路和低端开关元件。所述高端开关元件形成于第1半导体基底上，向电流通路的一端提供输入电压，所述电流通路的另一端连接于电感上。所述驱动电路形成于形成所述高端开关元件的所述第1半导体基底上，驱动所述高端开关元件。所述低端开关元件形成于与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上，在漏极上连接电感，向源极提供基准电位。

公开(公告)号：CN108417549B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201710659413.4

申请日：2017-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田刚志 ,  野中裕子 ,  五郎丸麻美 ,  仲敏行 ,  安原纪夫

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、栅极电极和第2电极。上述第1半导体区域具有多个第1部分和多个第1突出部。多个第1部分沿着第1方向和与第1方向垂直的第2方向排列。多个第1突出部分别从多个第1部分突出。第1半导体区域设在第1电极之上。多个第2半导体区域相互隔开间隔而设在除了多个第1部分及多个第1突出部以外的第1半导体区域中。

公开(公告)号：CN109509789B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201810181594.9

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 下条亮平 ,  中村和敏 ,  安原纪夫 ,  玉城朋宏

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1二极管部，具有设于半导体层之中的第1阳极区域、第1阴极区域、漂移区域、沿第1方向延伸的第1沟槽、以及第1沟槽电极；第2二极管部，具有第2阳极区域、第2阴极区域、漂移区域、沿第1方向延伸的第2沟槽、以及第2沟槽电极，上述第2二极管部在第1方向上的宽度比第1二极管部在与第1方向正交的第2方向上的宽度大，上述第2二极管部在第1方向上与第1二极管部相邻地设置；以及第1IGBT部，具有第1发射极区域、第1集电极区域、漂移区域、第1基极区域、沿第1方向延伸的第3沟槽、以及第1栅极电极，该第1IGBT部在第2方向上与第1二极管部相邻地设置，并在第1方向上与第2二极管部相邻地设置。

公开(公告)号：CN105990412A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510553388.2

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  安原纪夫 ,  小仓常雄

IPC: H01L29/739

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域之上；第1导电型的第3半导体区域，设置在所述第2半导体区域之上；层间绝缘膜，设置在所述第2半导体区域之上及所述第3半导体区域之上；第1电极，设置在所述第1半导体区域之下；第2电极，设置在所述层间绝缘膜之上；多个第1接触区域，在所述层间绝缘膜内朝从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向延伸，将所述第3半导体区域与所述第2电极电连接；多个第2接触区域，在所述层间绝缘膜内朝所述第1方向延伸，设置在相邻的所述第1接触区域之间；以及第3电极，介隔第1绝缘膜而设置在所述第2半导体区域。

公开(公告)号：CN1244160C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN03108615.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野升太郎 ,  山口好广 ,  川口雄介 ,  中村和敏 ,  安原纪夫 ,  松下宪一 ,  帆玉信一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7809

Abstract: 本发明提供一种保持低导通阻抗仍能降低栅漏间容量的半导体器件。本发明的功率MOSFET(1)，具有：在n+型低阻抗半导体衬底(10)上形成的n-型高阻抗外延层(50)；在n-型高阻抗外延层(50)的表面部分选择地形成的p型基极层(14)；在p型基极层(14)的表面部分选择地形成的n+型源极层(16)；在n-型高阻抗外延层(50)的表面部分，在p型基极层(14)之间，选择地形成的具有比n-型高阻抗外延层(50)高的杂质浓度的Njfet层(40)；隔着栅极绝缘膜(22)形成的栅电极(24)；及源电极(20)和漏电极(12)；在该功率MOSFET(1)中，将夹着Njfet层(40)的p型基极层(14)被配置成相互接近，以便从这些基极层(14)控制耗尽。

公开(公告)号：CN104701361A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410305483.6

申请日：2014-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小仓常雄 ,  三须伸一郎 ,  下条亮平 ,  安原纪夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0761 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供能够实现高速化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备重复配置有晶体管的晶体管区域和配置有二极管的二极管区域，所述晶体管具有：集电极电极；发射极电极；第1导电型半导体的集电极层；第2导电型半导体的基极层；第1导电型半导体的第一体层；第2导电型半导体的发射极层；与第一体层相比第1导电型杂质浓度更高的第1导电型半导体的第二体层；栅极电极；以及栅极绝缘膜；所述二极管具有：阴极电极；阳极电极；第1导电型半导体的第一阳极层；以及与第一阳极层相比第1导电型杂质浓度更高的第1导电型半导体的第二阳极层。并且，第二体层的第1导电型杂质的杂质量比第二阳极层的第1导电型杂质的杂质量多。

公开(公告)号：CN103325829A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210315961.2

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西胁达也 ,  大田刚志 ,  安原纪夫 ,  新井雅俊 ,  河野孝弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/82 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种可微细化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的基极层，被设置在所述第1半导体层上；第1导电型的第2半导体层，被设置在所述基极层上；多个栅电极，栅电极的上端比所述基极层的上表面位于上方，栅电极的下端比所述基极层的下表面位于下方，隔着栅极绝缘膜与所述第1半导体、所述第2半导体层及所述基极层接触；绝缘部件，被配置在所述栅电极上，所述绝缘部件的上表面比所述第2半导体层的上表面位于下方；以及导电膜，在所述栅电极之间，与所述栅电极相隔规定的距离，将所述第2半导体层的从上端至下端、以及所述第2半导体层及所述绝缘部件的上端覆盖。

公开(公告)号：CN1262019C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN02130376.2

申请日：2002-05-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安原纪夫 ,  中村和敏 ,  川口雄介

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238

Abstract: 本发明的半导体器件包括：形成在半导体衬底表面上的第一导电型的半导体表层；第二导电型源极层；第二导电型漏极层；栅电极；元件侧连接部，与源极层邻接，电阻小于半导体表层，选择地形成在半导体表层上，不到达源极层和漏极层之间的沟道以及半导体衬底；接触侧连接部，与元件侧连接部邻接，电阻小于半导体表层，选择地形成在半导体表层，到达半导体衬底；连接源极层、元件侧连接部和所述接触侧连接部的源电极；位于半导体衬底背面的背面电极。

公开(公告)号：CN1630093A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410101189.X

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村和敏 ,  安原纪夫 ,  末代知子 ,  松下宪一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/00 ,  H01L29/78 ,  H02M3/00

CPC classification number: H02M3/158 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H02M1/08 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包含功率MOSFET和驱动该晶体管的驱动电路的、适用于高速转换的非绝缘型DC－DC转换器。半导体装置具备高端开关元件、驱动电路和低端开关元件。所述高端开关元件形成于第1半导体基底上，向电流通路的一端提供输入电压，所述电流通路的另一端连接于电感上。所述驱动电路形成于形成所述高端开关元件的所述第1半导体基底上，驱动所述高端开关元件。所述低端开关元件形成于与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上，在漏极上连接电感，向源极提供基准电位。