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公开(公告)号：CN1244160C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN03108615.2
申请日：2003-03-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/26586 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66712 , H01L29/7809
Abstract: 本发明提供一种保持低导通阻抗仍能降低栅漏间容量的半导体器件。本发明的功率MOSFET(1)，具有：在n+型低阻抗半导体衬底(10)上形成的n-型高阻抗外延层(50)；在n-型高阻抗外延层(50)的表面部分选择地形成的p型基极层(14)；在p型基极层(14)的表面部分选择地形成的n+型源极层(16)；在n-型高阻抗外延层(50)的表面部分，在p型基极层(14)之间，选择地形成的具有比n-型高阻抗外延层(50)高的杂质浓度的Njfet层(40)；隔着栅极绝缘膜(22)形成的栅电极(24)；及源电极(20)和漏电极(12)；在该功率MOSFET(1)中，将夹着Njfet层(40)的p型基极层(14)被配置成相互接近，以便从这些基极层(14)控制耗尽。
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公开(公告)号：CN1581486A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055997.7
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/04 , H01L27/10 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/267 , H01L29/42368 , H01L29/4933
Abstract: 本发明提供能提高开关特性的半导体器件及其制造方法。纵式MOSFET，在漏区(21)上形成基区(22)，在该基区中形成源区(23)。形成沟槽(24)，其从上述源区的表面贯穿该基区，深度至少到达漏区的附近。在沟槽的侧壁和底部形成栅绝缘膜(25)，栅电极(26)的至少一部分形成在沟槽内。上述基区的杂质浓度分布具有源区与基区的界面附近的第1峰值、及在基区与漏区的界面附近且低于上述第1峰值的第2峰值；由上述第1峰值决定阈值电压，由上述第2峰值决定基区的掺杂量。
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公开(公告)号：CN100514670C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410101189.X
申请日：2004-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02M3/158 , H01L27/0922 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/7813 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H02M1/08 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种包含功率MOSFET和驱动该晶体管的驱动电路的、适用于高速转换的非绝缘型DC-DC转换器。半导体装置具备高端开关元件、驱动电路和低端开关元件。所述高端开关元件形成于第1半导体基底上，向电流通路的一端提供输入电压，所述电流通路的另一端连接于电感上。所述驱动电路形成于形成所述高端开关元件的所述第1半导体基底上，驱动所述高端开关元件。所述低端开关元件形成于与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上，在漏极上连接电感，向源极提供基准电位。
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公开(公告)号：CN1324716C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410005581.4
申请日：2004-02-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/7801
Abstract: 本发明提供一种降低了无效电流并且抑制了基板电流的半导体装置。半导体装置包括：具有主表面的硅基板(110)，硅基板(110)的主表面上设置的P型半导体层(130)，半导体层(130)与硅基板(110)之间设置的P型埋入层(140)，设置在硅基板(110)的周围、从半导体层(130)的表面到达埋入层(140)的P型第1连接区域(160)，半导体层(130)的表面设置的开关元件(10)，设置在比开关元件(10)更靠近连接区域(160)的半导体层(130)的表面上、耐压比开关元件(10)低的低耐压元件(20)。
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公开(公告)号：CN1344032A
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：CN01132928.9
申请日：2001-09-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L27/0266 , H01L29/7436 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件具备:有选择地形成在有源层表面的基极层;有选择地形成在基极层表面的源极层;在有源层表面上离开上述基极层有选择地形成的阳极层;形成在用基极层和阳极层夹着的区域表面的漏极层;形成在用基极层和漏极层夹着的区域的表面的电阻层;经过栅绝缘膜形成在用源极层和有源层夹着的区域的上述基极层上的栅电极,在基极层和源极层的表面上形成源电极,在漏极层和阳极层的表面上形成漏电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1841769A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610075295.4
申请日：2001-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/739
Abstract: 为折衷关断特性和导通特性，在衬底一面上形成N型缓冲层和低注入发射极构造的P型集电极层(10)。N型漂移层的厚度确保耐压。在衬底另一面上形成P型基极层、N型发射极层以及P型接触层。N型低电阻层降低了结型场效应晶体管效果。发射极电极与N型发射极层以及P型接触层连接，集电极与P型集电极层连接。栅电极被形成在P型基极层表面部分的沟道区域上的栅绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN1519954A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003508.3
申请日：2004-02-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/41741
Abstract: 本发明提供元件特性指标Ron·Qgd值小的并且雪崩耐量大的沟槽栅极型功率MOSFET。与本发明相关的半导体器件，以与现有的普通沟槽栅极型功率MOSFET相同的节距形成多列条形沟槽，并且在每隔1列或者2列的沟槽内形成栅极电极，在其余的沟槽内形成源极电极。
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公开(公告)号：CN100565914C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610075295.4
申请日：2001-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/739
Abstract: 为折衷关断特性和导通特性，在衬底一面上形成N型缓冲层和低注入发射极构造的P型集电极层(10)。N型漂移层的厚度确保耐压。在衬底另一面上形成P型基极层、N型发射极层以及P型接触层。N型低电阻层降低了结型场效应晶体管效果。发射极电极与N型发射极层以及P型接触层连接，集电极与P型集电极层连接。栅电极被形成在P型基极层表面部分的沟道区域上的栅绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN1327524C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410055997.7
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/04 , H01L27/10 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/267 , H01L29/42368 , H01L29/4933
Abstract: 本发明提供能提高开关特性的半导体器件及其制造方法。纵式MOSFET，在漏区(21)上形成基区(22)，在该基区中形成源区(23)。形成沟槽(24)，其从上述源区的表面贯穿该基区，深度至少到达漏区的附近。在沟槽的侧壁和底部形成栅绝缘膜(25)，栅电极(26)的至少一部分形成在沟槽内。上述基区的杂质浓度分布具有源区与基区的界面附近的第1峰值、及在基区与漏区的界面附近且低于上述第1峰值的第2峰值；由上述第1峰值决定阈值电压，由上述第2峰值决定基区的掺杂量。
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公开(公告)号：CN1630093A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410101189.X
申请日：2004-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02M3/158 , H01L27/0922 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/7813 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H02M1/08 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种包含功率MOSFET和驱动该晶体管的驱动电路的、适用于高速转换的非绝缘型DC－DC转换器。半导体装置具备高端开关元件、驱动电路和低端开关元件。所述高端开关元件形成于第1半导体基底上，向电流通路的一端提供输入电压，所述电流通路的另一端连接于电感上。所述驱动电路形成于形成所述高端开关元件的所述第1半导体基底上，驱动所述高端开关元件。所述低端开关元件形成于与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上，在漏极上连接电感，向源极提供基准电位。
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